JP4167280B2 - 半導体製造装置及び半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
又本発明は、ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を閉塞する防爆弁を設けた半導体製造装置を用いた半導体の製造方法であって、前記ヒータにより前記反応管内が所定の温度に加熱される工程と、被処理基板が前記反応管に装入される工程と、前記防爆弁が前記通気孔を閉塞し、前記反応管内にガスが導入されつつ該反応管内から排気され、被処理基板が熱処理される工程とを有する半導体の製造方法に係るものである。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
5 ヒータ
7 反応管
9 ガス供給管
11 排気管
12 シールキャップ
25 シールリング
26 フランジ
27 シールリング
29 反応管フランジ
30 シール溝
36 吸入ポート
48 フランジ
49 フランジ
53 フランジ
54 フランジ
65 不活性ガス導入管
68 不活性ガス排気管
71 スカベンジャー
83 覗き窓
85 耐圧ガラス
90 ロック機構
93 ロックシリンダ
95 ブラケット
96 クランプ受け
Claims (2)
- ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を閉塞する防爆弁を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
- ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を閉塞する防爆弁を設けた半導体製造装置を用いた半導体の製造方法であって、前記ヒータにより前記反応管内が所定の温度に加熱される工程と、被処理基板が前記反応管に装入される工程と、前記防爆弁が前記通気孔を閉塞し、前記反応管内にガスが導入されつつ該反応管内から排気され、被処理基板が熱処理される工程とを有することを特徴とする半導体の製造方法。
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