KR102396669B1 - 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치 - Google Patents

반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 챔버의 고압 공정 전 그리고 공정 후의 가스를 안정적으로 검출하여, 반도체 챔버의 구동 전 챔버 내부의 잔류가스를 확인하여 반도체 챔버가 구동하며 발생되는 폭파사고 및 고농도의 중수소 및 수소가 대중 중으로 누출되어 폭발사고가 발생되지 않도록 하는 장치에 과한 것이다. 이러한 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치는 반도체 처리용 제1가스를 대기압보다는 높은 제1압력으로 유지하는 내부챔버와, 중공형 형상으로 형성되며 내부 벽면에 삽입된 히터모듈을 포함하고 내부의 수용공간에 내부챔버를 수용하며 제2가스로 채워지며 제2가스를 제1압력의 이상의 압력으로 유지하는 외부챔버를 포함하는 이중챔버부, 이중챔버부와 연결되어 이중챔버부의 내부로 공급되는 유체 및 이중챔버부의 내부에서 외부로 배출되는 유체를 제어하는 유체제어부, 유체제어부와 연결되어, 이중챔버부에서 웨이퍼 열처리 가공을 하기 전에 구동하여 이중챔버부의 내부에서 유체를 흡입해 산소(O2)를 검출하는 산소검출부, 유체제어부와 연결되어 이중챔버부에서 웨이퍼 열처리 가공을 진행한 후에 구동하여 이중챔버부의 내부에서 유체를 흡입해 수소 또는 중수소를 검출하는 수소검출부 및 유체제어부와 연결되어, 산소검출부 또는 수소검출부와 동기화 하여 작동하며 이중챔버부의 내부에 퍼징가스를 공급하는 퍼징가스공급부를 포함한다.

Description

반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치{Residual Gas Detection Device Before and After Processing In Semiconductor Chamber}
본 발명은 고압가스를 통해 열처리를 진행하는 반도체 고압 챔버와 관련된 기술이다.
웨이퍼는 다양한 열처리를 통해 반도체 소자로 제조된다. 일례로, 반도체 소자는 웨이퍼에 산화, 질화, 실리사이드, 이온 주입 및 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 공정 및 반도체 소자의 제조 전 공정 동안 다양한 공정에서 유발된 손상을 보수하는 공정 즉, 수소 열처리 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 이때, 열처리 공정은 400~1000℃의 고온에서 중수소(D2) 및 수소(H2)를 웨이퍼에 공급하는 것으로 진행되며 웨이퍼의 상측면에 박막이 안정적으로 증착될 수 있도록 웨이퍼의 상측면을 개선시킬 수 있다.
이와 같은 열처리 공정에서 사용되는 중수소(D2) 및 수소(H2)는 가연성이 매우 높다. 이에, 고농도의 중수소(D2) 및 수소(H2)가 대기 중으로 누출될 경우, 폭발 사고가 발생되는 위험이 있다.
더욱이, 고농도의 중수소 및 수소는 분자의 크기가 매우 작아, 고압인 조건 하에서는 쉽게 누출될 수도 있다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해, 고압가스 공정 챔버, 고압가스 공정 챔버에 고압 가스 전달 시스템 및 공정 완료 후 고압가스의 처리 또는 배기 기계 장치들이 활발히 개발되고 있다.
그러나, 아직까지 이중 공정 챔버의 고압 공정 과정에서 중수소 및 수소의 발화점 이상의 환경에서 내부 챔버의 잔류 유체를 검출하여 열처리 공정에 대한 안정성을 높일 수 있는 장치에 대한 개발은 미흡한 실정이다. 아울러, 고압가스 공정 챔버의 웨이퍼 열처리 공정 이후의 환경에서 내부 챔버의 잔류 유체를 챔버 외부로 안전하게 배출시키는 장치의 개발 또한 미진한 상황이다.
대한민국 등록특허 제10-0766303호 (공고일: 2007년 10월 11일)
본 발명은 고압가스 공정 챔버의 고압 공정 과정에서 중수소(D2) 및 수소(H2)의 발화점 이상의 공정 환경에서 내부 챔버의 잔류 유체를 검출하지 못하는 문제 및 고압가스 공정 챔버의 웨이퍼 열처리 공정 이후의 환경에서 내부 챔버의 잔류 유체를 챔버 외부로 안전하게 배출시키지 못하는 문제를 해결하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치는, 반도체 처리용 제1가스를 대기압보다는 높은 제1압력으로 유지하는 내부챔버와, 중공형 형상으로 형성되며 내부의 수용공간에 내부챔버를 수용하며 제2가스로 채워지며 제2가스를 제1압력의 이상의 압력으로 유지하는 외부챔버를 포함하는 이중챔버부, 이중챔버부와 연결되어 이중챔버부의 내부로 공급되는 유체 및 이중챔버부의 내부에서 외부로 배출되는 유체를 제어하는 유체제어부, 유체제어부와 연결되어 이중챔버부에서 웨이퍼 열처리 가공을 하기 전에 구동하여 이중챔버부의 내부에서 유체를 흡입해 산소(O2)를 검출하는 산소검출부, 유체제어부와 연결되어 이중챔버부에서 웨이퍼 열처리 가공을 진행한 후에 구동하여 이중챔버부의 내부에서 유체를 흡입해 중수소(D2) 및 수소(H2)를 검출하는 수소검출부 및 유체제어부와 연결되어 산소검출부 또는 수소검출부와 동기화 하여 작동하며 이중챔버부의 내부에 퍼징가스를 공급하는 퍼징가스공급부를 포함한다. 이때, 퍼징가스는 질소(N2)를 포함하는 가스가 될 수 있다.
여기서, 유체제어부는 제1밸브, 제2밸브 및 제3밸브를 포함하고, 산소검출부는 제1밸브와 연결되고, 수소검출부는 산소검출부의 일단에 직렬로 연결되거나 제2밸브와 연결되고, 퍼징가스공급부는 제3밸브와 연결될 수 있다. 그리고 유체제어부는 내부에 수용공간이 형성되어 수용공간에 제1밸브, 제2밸브 및 제3밸브를 포함하고, 외측면의 일단에 산소검출부 또는 수소검출부 중 적어도 어느 하나의 배출관과 연결되는 배기라인모듈과 배기라인모듈과 대향되는 위치에 외부의 공기주입모듈과 연결되어, 수용공간으로 공기가 유입되도록 하는 공기라인모듈을 포함할 수 있다.
본 발명은 중수소 및 수소 발화온도인 580℃이상 공정 환경에서 반도체 챔버가 웨이퍼 열처리 공정 진행 전, 챔버 내부에 있는 산소를 감지하고, 이를 외부로 배출시켜 본격적인 웨이퍼 열처리 과정 시 발생될 수 있는 폭발사고가 일어나지 않도록 한다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 열처리 공정 진행 후, 챔버 내부에 잔류하는 고농도의 중수소 및 수소를 감지하고, 이를 배기라인으로 안전하게 배출시키며 대기 상에 중수소 및 수소의 누출 시 발생될 수 있는 폭발사고가 일어나지 않도록 한다. 즉, 본 발명은 자연 발화 고압 공정 전/후 잔류가스 검출하는 방식으로 화학반응에 대한 안정성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치의 관계도이다.
도 2는 도 1에 포함되는 유체제어부의 내부에서 공기가 유입되어 배출되는 상태를 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치의 작동을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징 그리고 그것들을 달성하기 위한 장치는 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되지는 않는다. 본 발명은 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
본 발명의 청구범위는 청구항에 의해 정의될 수 있다. 아울러, 본 명세서 전체에 걸쳐 기재된 동일 참조부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 본 발명에 대한 설명이 간결하고 명확해질 수 있도록 도 1을 참조하여, 본 발명의 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치에 대해 개괄적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치의 관계도이다.
반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 중수소(D2) 및 수소(H2)의 발화온도인 580℃이상 공정 환경에서 반도체 챔버가 웨이퍼 열처리 공정 진행 전, 챔버 내부에 있는 산소(O2)를 감지하고, 이를 외부로 배출시켜 본격적인 웨이퍼 열처리 과정 시 발생될 수 있는 폭발사고가 일어나지 않도록 한다. 또한, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 웨이퍼 열처리 공정 진행 후, 챔버 내부에 잔류하는 고농도의 중수소(D2) 및 수소(H2)를 감지하고 이를 배기라인으로 안전하게 배출시키며 대기 상에 중수소(D2) 및 수소(H2)의 누출 시 발생될 수 있는 폭발사고가 일어나지 않도록 한다.
다시 말해, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 반도체 챔버의 고압 공정 전 그리고 공정 후의 가스를 안정적으로 검출하고 이를 외부로 배출시키며 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후에 폭발사고가 일어나지 않도록 한다. 이와 같은, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 이중챔버부(10), 유체제어부(20), 산소검출부(30), 수소검출부(40) 및 퍼징가스공급부(50) 그리고 유체제어부(20)를 제어하는 제어부(미도시) 등을 구성요소로 포함한다. 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 이러한 구성요소들의 유기적인 연동을 통해 전술한 바와 같은 특징을 나타낸다.
이하, 도 1과 도 2를 참조하여, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치의 구성요소에 대해 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치의 관계도이고, 도 2는 도 1에 포함되는 유체제어부의 내부에서 공기가 유입되어 배출되는 상태를 나타낸 도면이다.
이중챔버부(10)는 내부챔버(110)와 외부챔버(120)를 포함하는 이중 챔버로 형성되어 웨이퍼에 중수소(D2) 및 수소(H2)를 통한 열처리 공정을 진행할 수 있다. 이와 같은 이중챔버부(10)를 구성하는 내부챔버(110)는 복수 개의 반도체 기판을 내부에 수용가능한 구조로 형성된다. 이와 같은 내부챔버(110)의 내부는 가연성이며 인체에 유해한 활성 가스로 충전된다. 내부챔버(110)는 충전된 수소(H2) 또는 중수소(D2)와 같은 제1가스 즉, 활성가스와 외부챔버(120)에서 전달되는 열을 통해 내부에 수용된 복수 개의 반도체 기판을 열처리할 수 있다. 여기서, 활성가스 즉, 공정가스는 공정가스공급부(60)에서 공급되는 가스가 된다. 이러한 공정가스공급부(60)는 퍼징가스공급부(50)와 동일 선상에 배치되어, 퍼징가스공급부(50)와 이중챔버부(10)와 연결된 배관으로 공정가스를 공급할 수 있게 된다.
웨이퍼를 열처리 가공하는 내부챔버(110)는 비금속재인 석영을 재료로 하여 제1가스를 대기압보다 높은 압력으로 유지시키며 웨이퍼를 열처리할 수 있다. 내부챔버(110)는 석영으로 제조되어 고온과 고압의 작업환경에서 쉽게 오염되지 않고 응력이 높은 특성을 가질 수 있다.
외부챔버(120)는 중공형 형상으로 형성되며 내부에 수용공간이 형성되어 내부챔버(110)를 수용하여 내부챔버(110)에 열을 전달한다. 이와 같은 외부챔버(120)는 내부 벽면에 히터모듈이 삽입된 제1외부모듈과 제1외부모듈을 감싸는 제2외부모듈로 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 외부챔버(120)의 제1외부모듈의 내부 벽면에는 일정 한 간격을 두고 히터모듈이 설치된다. 여기서, 히터모듈은 열선이 될 수 있고 열선이 될 수 있다. 그리고 제1외부모듈의 내부 수용공간에는 내부챔버(110)가 수용되며, 질소와 같은 제2가스 즉, 비활성 가스가 채워질 수 있다. 이와 같은, 외부챔버(120)는 금속 재인 스테인레스강으로 형성되어 비활성 가스인 제2가스로 채워져 내부챔버(110)에서 제1가스가 누출되지 않도록 한다.
전술한 바와 같은 내부챔버(110)와 외부챔버(120)를 포함하는 이중챔버부(10)는 유체제어부(20)와 연결되어 수소(H2) 또는 중수소(D2)와 같은 제1가스 및 질소와 같은 제2가스 즉, 비활성 가스를 공급받을 수 있다. 그리고 내부챔버(110)에 있는 산소(O2)를 외부로 배출시킬 수 있다.
유체제어부(20)는 이중챔버부(10)와 연결되어 이중챔버부(10)의 내부로 공급되는 유체 및 이중챔버부(10)의 내부에서 외부로 배출되는 유체를 제어하는 장치이다. 이와 같은 유체제어부(20)는 도 2에 도시된 바와 같이, 내부에 수용공간이 형성된 케이스모듈(210), 케이스모듈(210)의 상단부에 내부의 수용공간과 연통되도록 설치된 배기라인모듈(220)과 케이스모듈(210)의 하단부에 내부의 수용공간과 연통되도록 설치된 공기라인모듈(230)을 포함한다.
케이스모듈(210)은 도 2에 도시된 바와 같이 직육면체 형상의 케이스가 된다. 이와 같은 케이스모듈(210)의 내부 수용공간에는 수 개의 밸브 즉, 제1밸브(201), 제2밸브(202) 및 제3밸브(203)가 설치된다. 여기서, 제1밸브(201)는 산소검출부(30)와 연결되어 산소검출부(30)로 산소(O2)가 이동되도록 하고, 제2밸브(202)는 수소검출부(40)와 연결되어 수소검출부(40)로 수소(H2)가 이동되도록 한다. 그리고 제3밸브(203)는 퍼징가스공급부(50)와 연결되어 케이스모듈(210)로 질소가 공급되도록 한다.
산소검출부(30)는 유체제어부(20)의 제1밸브(201)와 연결되어, 이중챔버부(10)에서 웨이퍼 열처리 가공을 하기 전에 구동하여 이중챔버부(10)의 내부에서 유체를 흡입해 산소(O2)를 검출한다. 즉, 산소검출부(30)는 이중챔버부(10)가 웨이퍼 열처리 공정을 진행하기 전, 구동하여 내부챔버의 내부에 산소를 흡입해 외부로 배출한다. 일례로, 산소검출부(30)는 내부에 흡입장치가 포함되고, 배출구가 유체제어부(20)의 배기라인모듈(220)과 배관 등으로 연결되어 흡입된 유체 즉, 산소를 배기라인모듈(220)로 배출할 수 있다.
수소검출부(40)는 유체제어부(20)의 제2밸브(202)와 연결되거나, 산소검출부(30)의 일단에 직렬로 연결되어 작동될 수 있다. 이러한 수소검출부(40)는 이중챔버부(10)에서 웨이퍼 열처리 가공을 진행한 후에 구동하여 이중챔버부(10)의 내부에서 유체를 흡입해 수소(H2) 또는 중수소(D2)를 검출한다. 즉, 수소검출부(40)는 이중챔버부(10)가 웨이퍼 열처리 공정을 진행한 후, 구동하여 내부챔버의 내부에 잔류한 중수소 및 수소를 흡입해 외부로 배출한다. 일례로, 수소검출부(40)는 내부에 흡입장치가 포함되고, 배출구가 유체제어부(20)의 배기라인모듈(220)과 배관 등으로 연결되어 흡입된 유체 즉, 중수소(D2) 및 수소(H2)를 배기라인모듈(220)로 배출할 수 있다. 여기서, 배기라인모듈(220)을 통해 배출되는 수소(H2) 또는 중수소(D2)는 희석탱크(A) 및 스크러버(B)를 거쳐 희석되고 연소된 후 대기 중으로 배출된다.
퍼징가스공급부(50)는 유체제어부(20)의 제3밸브(203)와 연결되어, 산소검출부(30) 또는 수소검출부(40)와 동기화 하여 작동하며 이중챔버부(10)의 내부에 질소(N2)를 공급할 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치의 작동에 대해 설명한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치의 작동을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 대한 설명이 간결하고 명확해질 수 있도록, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)에 대한 설명이 명확해질 수 있도록, 웨이퍼 열처리 가공 전 그리고 웨이퍼 열처리 가공 후로 나누어 설명하도록 한다. 먼저, 도 3은 반도체 챔버의 공정 전의 상태에서 작동되는 상태이다.
여기서, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 수소(H2) 및 중수소(D2)의 발화온도인 580℃이상 공정 환경에서 제3밸브(203)가 개방되고, 퍼징가스공급부(50)가 턴-온 되어 이중챔버부(10)에 질소를 공급하며 이중챔버부(10)의 내부챔버(110)의 내부에 있는 산소가 외부로 배출될 수 있는 환경이 조성되도록 한다. 이때, 지속적인 질소 공급 및 산소검출부(30)의 흡입에 따라 산소가 산소검출부(30)로 흡입되며 측정될 수 있도록 한다. 이와 같이, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 반도체소자 중수소 및 수소 고압 공정 과정에서 중수소 및 수소와 산소의 화학반응을 방지하기 위해 웨이퍼 열처리 공정에 대한 안정성을 높일 수 있다. 아울러, 반도체 챔버의 공정 전과 공전 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 내부챔버(110)에서 웨이퍼 열처리 공정이 완료된 환경에서 제3밸브(203)가 개방되고, 퍼징가스공급부(50)가 턴-온 되어 이중챔버부(10)에 질소를 공급하며 내부챔버(110)의 내부에 있는 수소(H2) 및 중수소(D2)가 외부로 배출될 수 있는 환경이 조성되도록 한다. 이때, 지속적인 질소 공급 및 수소검출부(40)의 흡입에 따라 수소(H2)가 수소검출부(40)로 흡입되며 측정될 수 있도록 한다. 그리고 수소검출부(40)에서 검출된 수소(H2) 및 중수소(D2)는 제4밸브(402)와 연결된 배출관(401)을 통해 배기라인모듈(220)으로 배출되어, 희석탱크(A) 및 스크러버(B)를 거쳐 희석되고 연소되어 분산물로 변환되어 배출된다.
즉, 반도체 챔버의 공정 전과 공전 후 잔류 가스 검출 장치(1)는 웨이퍼 열처리 공정 진행 후, 챔버 내부에 잔류하는 고농도의 중수소 및 수소를 감지하고, 이를 배기라인으로 안전하게 배출시키며 대기 상에 중수소 및 수소의 누출 시 발생될 수 있는 폭발사고가 일어나지 않도록 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.
1: 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치
10: 이중챔버부
110: 내부챔버 120: 외부챔버
20: 유체제어부
201: 제1밸브 202: 제2밸브
203: 제3밸브 210: 케이스모듈
220: 배기라인모듈 210: 공기라인모듈
30: 산소검출부 40: 수소검출부
401: 배출관 402: 제4밸브
50: 퍼징가스공급부 60: 공정가스공급부
A: 희석탱크 B: 스크러버

Claims (4)

  1. 반도체 처리용 제1가스를 대기압보다는 높은 제1압력으로 유지하는 내부챔버(110)와, 중공형 형상으로 형성되며 내부의 수용공간에 내부챔버(110)를 수용하며 제2가스로 채워지며 제2가스를 제1압력의 이상의 압력으로 유지하는 외부챔버(120)를 포함하는 이중챔버부(10);
    이중챔버부(10)와 연결되어 이중챔버부(10)의 내부로 공급되는 유체 및 이중챔버부(10)의 내부에서 외부로 배출되는 유체를 제어하는 유체제어부(20);
    유체제어부(20)와 연결되어, 이중챔버부(10)에서 웨이퍼 열처리 가공을 하기 전에 구동하여 이중챔버부(10)의 내부에서 유체를 흡입해 산소(O2)를 검출하는 산소검출부(30);
    유체제어부(20)와 연결되어, 이중챔버부(10)에서 웨이퍼 열처리 가공을 진행한 후에 구동하여 이중챔버부(10)의 내부에서 유체를 흡입해 수소(H2) 또는 중수소(D2)를 검출하는 수소검출부(40) 및
    유체제어부(20)와 연결되어, 산소검출부(30) 또는 수소검출부(40)와 동기화 하여 작동하며 이중챔버부(10)의 내부에 퍼징가스를 공급하는 퍼징가스공급부(50)를 포함하고,
    유체제어부(20)는 제1밸브(201), 제2밸브(202) 및 제3밸브(203)를 포함하고,
    산소검출부(30)는 제1밸브(201)와 연결되고,
    수소검출부(40)는 산소검출부(30)의 일단에 직렬로 연결되거나 제2밸브(202)와 연결되고,
    퍼징가스공급부(50)는 제3밸브(203)와 연결되고,
    상기 유체제어부(20)는,
    내부에 수용공간이 형성되어, 수용공간에 제1밸브(201), 제2밸브(202) 및 제3밸브(203)를 포함하는 케이스모듈(210)과, 케이스모듈(210)의 일단에 설치되어 산소검출부(30) 또는 수소검출부(40) 중 적어도 어느 하나의 배출관(401)과 연결되는 배기라인모듈(220)과, 배기라인모듈(210)과 다른 위치에 외부의 공기주입모듈과 연결되어, 수용공간으로 공기가 유입되도록 하는 공기라인모듈(230)을 포함하는, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    퍼징가스는 질소(N2)를 포함하는, 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류 가스 검출 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
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