JP2006261296A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】水素アニール装置の安全性を確保しつつスループットを向上すること。
【解決手段】ウエハ1を処理する処理室36に水素ガスを供給する水素ガス供給管51と、処理室36を排気するメイン排気ライン40と、メイン排気ライン40に接続された燃焼用排気ライン47とを備えた水素アニール装置において、処理室36の酸素濃度を検出してコントローラ62に送信する酸素濃度計61を設置する。ウエハを処理室に搬入後、処理室内を窒素ガスパージするとともに、処理室内の酸素濃度を酸素濃度計で検出する。コントローラは検出した酸素濃度が許容値以下に減少した時点で水素アニールステップを直ちに開始する。水素アニールの総処理時間を短縮できるので、水素アニール装置および水素アニール工程のスループットを向上できる。処理室内のリーク等の異常を高感度で検知できるので、水素アニール装置および水素アニール工程の安全性を向上できる。
【選択図】図3
【解決手段】ウエハ1を処理する処理室36に水素ガスを供給する水素ガス供給管51と、処理室36を排気するメイン排気ライン40と、メイン排気ライン40に接続された燃焼用排気ライン47とを備えた水素アニール装置において、処理室36の酸素濃度を検出してコントローラ62に送信する酸素濃度計61を設置する。ウエハを処理室に搬入後、処理室内を窒素ガスパージするとともに、処理室内の酸素濃度を酸素濃度計で検出する。コントローラは検出した酸素濃度が許容値以下に減少した時点で水素アニールステップを直ちに開始する。水素アニールの総処理時間を短縮できるので、水素アニール装置および水素アニール工程のスループットを向上できる。処理室内のリーク等の異常を高感度で検知できるので、水素アニール装置および水素アニール工程の安全性を向上できる。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)へのイオン打ち込み工程後のキャリア活性化のためのアニール、多層配線工程の平坦化のためのリフロー、配線工程のメタル配線の自然酸化膜除去や酸化シリコンの未結合種(界面欠陥)の終端処理のための低温アニール、酸化、拡散および成膜等々の熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に利用して有効な技術に関する。
ICの製造方法の所謂前工程における熱処理工程の実施には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置が、広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置は、石英が使用されて上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、処理室内の温度の均一化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータとの間に敷設された均熱チューブ(均熱管)と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートとを備えており、処理室内に搬入されたボート上のウエハ群をヒータによって加熱することにより、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されている。例えば、特許文献1参照。
特開2004−14543号公報
バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置は、石英が使用されて上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、処理室内の温度の均一化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータとの間に敷設された均熱チューブ(均熱管)と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートとを備えており、処理室内に搬入されたボート上のウエハ群をヒータによって加熱することにより、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されている。例えば、特許文献1参照。
このようなバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置であって、ウエハに水素アニールを大気圧下で施すものとして、バッチ式縦形ホットウオール形常圧アニール装置(以下、水素アニール装置という。)、がある。
一般に、水素アニール装置は、上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室に水素ガスまたは重水素ガス(以下、水素という。)を供給する供給管と、処理室を排気する真空ポンプを備えた排気ラインと、排気ガスを燃焼させる燃焼装置を備えた排気ラインと、を備えている。
一般に、水素アニール装置は、上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室に水素ガスまたは重水素ガス(以下、水素という。)を供給する供給管と、処理室を排気する真空ポンプを備えた排気ラインと、排気ガスを燃焼させる燃焼装置を備えた排気ラインと、を備えている。
このような水素アニール装置においては、処理室へウエハを搬入した後に、処理室を真空まで減圧することが実施されている。
これは、水素と反応して爆発の原因になる酸素や水分等のガスを処理室から排出する目的や、水素が処理室外へ漏洩する原因および大気(酸素)が処理室内へ侵入する原因になる亀裂(ひび)等の破損がプロセスチューブにないか否かを検知する目的によって実施されている。
このように処理室を真空まで一度減圧した後に、反応室を水素ガスまたは窒素ガスによって大気圧に戻して水素アニールを実施する手順が、一般的である。
これは、水素と反応して爆発の原因になる酸素や水分等のガスを処理室から排出する目的や、水素が処理室外へ漏洩する原因および大気(酸素)が処理室内へ侵入する原因になる亀裂(ひび)等の破損がプロセスチューブにないか否かを検知する目的によって実施されている。
このように処理室を真空まで一度減圧した後に、反応室を水素ガスまたは窒素ガスによって大気圧に戻して水素アニールを実施する手順が、一般的である。
しかしながら、前述した従来の水素アニール装置においては、一度、処理室の雰囲気を真空まで減圧してから、処理室を大気圧に戻す必要があるために、水素アニールステップを実施する前に30分以上の時間が必要であるという問題点がある。
その結果、ウエハが必要以上に高温状態で維持されることによるプロセス特性(所謂サーマルバジェット)の劣化を招くという問題点や、水素アニール工程全体としてのスループットが低下するという問題点、が派生する。
その結果、ウエハが必要以上に高温状態で維持されることによるプロセス特性(所謂サーマルバジェット)の劣化を招くという問題点や、水素アニール工程全体としてのスループットが低下するという問題点、が派生する。
本発明の目的は、水素アニール工程の安全を確保しつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
本願が開示する発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を熱処理する処理室と、
前記処理室内に水素ガスまたは重水素ガスを供給する供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記処理室内の酸素濃度を検出する酸素濃度計と、
前記処理室内に前記基板を搬入後に、前記酸素濃度計によって前記処理室の酸素濃度を検出し、前記処理室内の酸素濃度が許容値以下となった後に水素または重水素を導入するように制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)処理室内に基板を搬入後に、酸素濃度計によって前記処理室の酸素濃度を検出し、前記処理室内の酸素濃度が許容値以下となった後に水素または重水素を導入する水素アニール工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(1)基板を熱処理する処理室と、
前記処理室内に水素ガスまたは重水素ガスを供給する供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記処理室内の酸素濃度を検出する酸素濃度計と、
前記処理室内に前記基板を搬入後に、前記酸素濃度計によって前記処理室の酸素濃度を検出し、前記処理室内の酸素濃度が許容値以下となった後に水素または重水素を導入するように制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)処理室内に基板を搬入後に、酸素濃度計によって前記処理室の酸素濃度を検出し、前記処理室内の酸素濃度が許容値以下となった後に水素または重水素を導入する水素アニール工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記(1)によれば、処理室内の酸素濃度が安全な値になった状況を確認した後に、水素ガスまたは重水素ガスを処理室内に直ちに導入することができるので、安全性を確保しつつ、スループットを向上させることができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、図1および図2に示されているように、本発明に係る基板処理装置は、水素アニール装置(バッチ式縦形ホットウオール形常圧アニール装置)10として構成されている。
この水素アニール装置10はICの製造方法におけるメタル配線の自然酸化膜除去や酸化シリコンの未結合種(界面欠陥)の終端処理等の水素アニール工程を実施するものとして構成されている。
この水素アニール装置10はICの製造方法におけるメタル配線の自然酸化膜除去や酸化シリコンの未結合種(界面欠陥)の終端処理等の水素アニール工程を実施するものとして構成されている。
図1および図2に示された水素アニール装置10は、ロードロック方式(ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と予備室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式)の熱処理装置として構成されている。
すなわち、水素アニール装置10は少なくとも大気圧および大気圧未満(減圧)の気密を維持可能な略直方体の気密室を形成する箱形状に構築された筐体11を備えており、筐体11の気密室はロードロック方式の予備室であって、ボートが処理室への搬入搬出に対して待機する待機室12を構成している。
図2に示されているように、待機室12の正面壁にはウエハ搬入搬出口13が開設されており、ウエハ搬入搬出口13はゲートバルブ14によって開閉されるように構成されている。
すなわち、水素アニール装置10は少なくとも大気圧および大気圧未満(減圧)の気密を維持可能な略直方体の気密室を形成する箱形状に構築された筐体11を備えており、筐体11の気密室はロードロック方式の予備室であって、ボートが処理室への搬入搬出に対して待機する待機室12を構成している。
図2に示されているように、待機室12の正面壁にはウエハ搬入搬出口13が開設されており、ウエハ搬入搬出口13はゲートバルブ14によって開閉されるように構成されている。
図2に示されているように、待機室12のウエハ搬入搬出口13側にはウエハ移載室筐体15が隣接して構築されており、ウエハ移載室筐体15はウエハ移載室16を形成している。
ウエハ移載室筐体15のウエハ搬入搬出口13の反対側には、前側のウエハ搬入搬出口17が開設されており、前側のウエハ搬入搬出口17はゲートバルブ18によって開閉されるように構成されている。
ウエハ移載室16にはウエハ移載装置(wafer transfer equipment )19が設置されている。ウエハ移載装置19は複数枚または一枚のツィーザ20を備えており、ウエハ1を保持したツィーザ20を三次元的に移動させることにより、複数枚または一枚のウエハ1をウエハ搬入搬出口13から待機室12へ搬入して、後記するボートに移載するように構成されている。
ウエハ移載室筐体15のウエハ搬入搬出口13の反対側には、前側のウエハ搬入搬出口17が開設されており、前側のウエハ搬入搬出口17はゲートバルブ18によって開閉されるように構成されている。
ウエハ移載室16にはウエハ移載装置(wafer transfer equipment )19が設置されている。ウエハ移載装置19は複数枚または一枚のツィーザ20を備えており、ウエハ1を保持したツィーザ20を三次元的に移動させることにより、複数枚または一枚のウエハ1をウエハ搬入搬出口13から待機室12へ搬入して、後記するボートに移載するように構成されている。
図1に示されているように、待機室12には送りねじ軸装置によって構成されたボートエレベータ21が設置されている。すなわち、ボートエレベータ21は待機室12に垂直に立脚されて回転自在に支承された送りねじ軸22と、待機室12の外部に設置されて送りねじ軸22を回転駆動するモータ23と、送りねじ軸22に噛合されて送りねじ軸22の回転に伴って昇降する昇降台24と、昇降台24に水平に突設された支持アーム25とを備えている。
支持アーム25の先端部にはシールキャップ27がベース26を介して水平に支持されている。シールキャップ27はプロセスチューブ35の外径と略等しい円盤形状に構築されている。
支持アーム25の先端部にはシールキャップ27がベース26を介して水平に支持されている。シールキャップ27はプロセスチューブ35の外径と略等しい円盤形状に構築されている。
シールキャップ27の中心線上には、円筒形状に形成されたボート29が垂直に立脚されて、断熱キャップ28を介して支持されるようになっている。断熱キャップ28はボート29をシールキャップ27から持ち上げることにより、ボート29を温度制御が不安定なボート搬入搬出口の付近から離間させるようになっている。ボート29は複数枚のウエハ1を中心を揃えて水平に整列させた状態で保持することができるように構成されている。
図1および図2に示されているように、待機室12の天井壁にはマニホールド設置口30が開設されており、待機室12の天井壁の上には、ヒータユニット31がマニホールド設置口30を被覆するように垂直に設置されている。
ヒータユニット31はステンレス鋼板等によって形成されたケース32と、断熱材によって円筒形状に形成されてケース32内に据え付けられた断熱槽33と、電気抵抗発熱体等によって形成されて断熱槽33の内周面に敷設されたヒータ34とを備えている。
ヒータ34は温度コントローラ(図示せず)によってシーケンス制御およびフィードバック制御されるように構成されている。
ヒータユニット31はステンレス鋼板等によって形成されたケース32と、断熱材によって円筒形状に形成されてケース32内に据え付けられた断熱槽33と、電気抵抗発熱体等によって形成されて断熱槽33の内周面に敷設されたヒータ34とを備えている。
ヒータ34は温度コントローラ(図示せず)によってシーケンス制御およびフィードバック制御されるように構成されている。
ヒータ34の内側にはプロセスチューブ35が、マニホールド設置口30に同心円に配置されている。プロセスチューブ35は石英が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ35の筒中空部によって処理室36が形成されており、処理室36はボート29によって略水平姿勢で垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハを収容することができるように構成されている。
なお、プロセスチューブ35の内径は取り扱うべきウエハの最大外径(例えば、300mm)よりも大きくなるように設定されている。
なお、プロセスチューブ35の内径は取り扱うべきウエハの最大外径(例えば、300mm)よりも大きくなるように設定されている。
マニホールド設置口30には、プロセスチューブ35と同径の円筒形状に形成されたマニホールド37が同心円に配されて設置されており、プロセスチューブ35はマニホールド37の上に載置された状態で、筐体11の天井壁に垂直に支持されている。
図1および図2に示されているように、ボート29が処理室36から搬出されている時には、マニホールド37の下端開口(炉口)は、炉口ゲートバルブであるシャッタ38によって閉塞されるように構成されている。
図1および図2に示されているように、ボート29が処理室36から搬出されている時には、マニホールド37の下端開口(炉口)は、炉口ゲートバルブであるシャッタ38によって閉塞されるように構成されている。
図1に示されているように、マニホールド37には処理室36内を排気する処理室用排気管39が接続されており、処理室用排気管39にはメイン排気ライン40の一端(上流側端)が接続されている。
メイン排気ライン40の他端(下流側端)は真空ポンプ41に接続されており、メイン排気ライン40の途中には可変流量制御弁(マスフローコントローラ)42と止め弁43とが処理室用排気管39側から順に配置されて介設されている。
メイン排気ライン40にはスロー排気ライン44が止め弁43を迂回するように接続されており、スロー排気ライン44の途中には止め弁45が、メイン排気ライン40の止め弁43と並列に介設されている。
メイン排気ライン40の可変流量制御弁42の上流側には、燃焼装置46に接続された排気ライン(以下、燃焼用排気ラインという。)47が接続されており、燃焼用排気ライン47の途中には止め弁48が介設されている。燃焼装置46は燃焼用排気ライン47の排気ガス中の可燃ガスを燃焼することにより、除去するように構成されている。
メイン排気ライン40の他端(下流側端)は真空ポンプ41に接続されており、メイン排気ライン40の途中には可変流量制御弁(マスフローコントローラ)42と止め弁43とが処理室用排気管39側から順に配置されて介設されている。
メイン排気ライン40にはスロー排気ライン44が止め弁43を迂回するように接続されており、スロー排気ライン44の途中には止め弁45が、メイン排気ライン40の止め弁43と並列に介設されている。
メイン排気ライン40の可変流量制御弁42の上流側には、燃焼装置46に接続された排気ライン(以下、燃焼用排気ラインという。)47が接続されており、燃焼用排気ライン47の途中には止め弁48が介設されている。燃焼装置46は燃焼用排気ライン47の排気ガス中の可燃ガスを燃焼することにより、除去するように構成されている。
マニホールド37には処理室36内に水素ガスまたは重水素ガス(以下、水素ガスという。)を供給する水素ガス供給管51が挿通されて支持されている。水素ガス供給管51の内側端にはノズル52の下端が接続されており、ノズル52は垂直に立脚されて、上端のガス吹出口が処理室36内の上端部に配置された状態になっている。
水素ガス供給管51の外側端には水素ガス供給ライン53の一端が接続されており、水素ガス供給ライン53の他端は、水素ガスを供給するための水素ガス供給装置54に接続されている。
水素ガス供給ライン53の途中には窒素ガス供給ライン55の一端が接続されており、窒素ガス供給ライン55の他端は、窒素ガスを供給するための処理室用窒素ガス供給装置56に接続されている。
水素ガス供給ライン53の途中には窒素ガス供給ライン55の一端が接続されており、窒素ガス供給ライン55の他端は、窒素ガスを供給するための処理室用窒素ガス供給装置56に接続されている。
図1に示されているように、筐体11には待機室12内に不活性ガスを供給する待機室用供給管57が接続されており、待機室用供給管57には不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための待機室用窒素ガス供給装置58が接続されている。
また、筐体11には待機室12内を排気する待機室用排気管59が接続されている。待機室用排気管59にはポンプや真空ポンプおよび制御弁等によって構成された待機室用排気装置60が接続されている。
また、筐体11には待機室12内を排気する待機室用排気管59が接続されている。待機室用排気管59にはポンプや真空ポンプおよび制御弁等によって構成された待機室用排気装置60が接続されている。
図1に示されているように、マニホールド37には処理室36内の酸素濃度を検出する酸素濃度計61が挿通されて支持されており、酸素濃度計61は検出した酸素濃度を制御手段としてのコントローラ62に送信するように構成されている。
コントローラ62はパーソナルコンピュータやパネルコンピュータ等によって構築されており、酸素濃度計61が検出した処理室36内の酸素濃度値が、予め設定された許容値以下となった後に、水素ガス供給装置54によって水素ガスを導入させるように構成されている。
ちなみに、酸素濃度計61としては、化学反応が液体電解質または固体電解質(ジルコニア等)の電極の上で実行されることによって生ずる電位差から酸素濃度を検出する電池反応式酸素濃度計が使用されている。
コントローラ62はパーソナルコンピュータやパネルコンピュータ等によって構築されており、酸素濃度計61が検出した処理室36内の酸素濃度値が、予め設定された許容値以下となった後に、水素ガス供給装置54によって水素ガスを導入させるように構成されている。
ちなみに、酸素濃度計61としては、化学反応が液体電解質または固体電解質(ジルコニア等)の電極の上で実行されることによって生ずる電位差から酸素濃度を検出する電池反応式酸素濃度計が使用されている。
図1に示されているように、酸素濃度計61の出力端が接続されたコントローラ62には、メイン排気ライン40の可変流量制御弁42と止め弁43、スロー排気ライン44の止め弁45、燃焼用排気ライン47の止め弁48、水素ガス供給装置54、処理室用窒素ガス供給装置56、待機室用窒素ガス供給装置58および待機室用排気装置60が接続されている。
コントローラ62は後述するような作用を実行するように構成(プログラミング)されている。
コントローラ62は後述するような作用を実行するように構成(プログラミング)されている。
次に、前記構成に係る水素アニール装置を使用して、ICの製造方法において、メタル配線の自然酸化膜を除去する水素アニール工程を説明する。
これから処理すべき複数枚のウエハ1は、ウエハ移載装置19のツィーザ20によって掬い取られて、待機室12において待機しているボート29に図1および図2に示されているように移載される。
この際には、プロセスチューブ35の処理室36はシャッタ38によって閉塞されている。
また、処理室36内および待機室12内には窒素ガスが、窒素ガス供給ライン55および待機室用供給管57からそれぞれ供給されつつ、処理室36内および待機室12内が処理室用排気管39のメイン排気ライン40および待機室用排気管59によってそれぞれ排気されている。すなわち、処理室36内および待機室12内は窒素ガスによって予めパージされている。
これから処理すべき複数枚のウエハ1は、ウエハ移載装置19のツィーザ20によって掬い取られて、待機室12において待機しているボート29に図1および図2に示されているように移載される。
この際には、プロセスチューブ35の処理室36はシャッタ38によって閉塞されている。
また、処理室36内および待機室12内には窒素ガスが、窒素ガス供給ライン55および待機室用供給管57からそれぞれ供給されつつ、処理室36内および待機室12内が処理室用排気管39のメイン排気ライン40および待機室用排気管59によってそれぞれ排気されている。すなわち、処理室36内および待機室12内は窒素ガスによって予めパージされている。
所定の枚数のウエハ1が装填されると、待機室12内への窒素ガスの供給と排気とがサイクリックに実行される。
その後に、待機室12内が待機室12内への窒素ガスの供給によって大気圧に戻されるとともに、待機室12内の窒素ガスパージが実行される。待機室12内が大気圧に復帰した後には、待機室12内に窒素ガスが待機室用供給管57を通じて供給されつつ、待機室12内の排気が待機室用排気管59によって実行される。
なお、待機室12については少なくとも後述する水素アニールステップ後のウエハ1のボート29からのディスチャージが完了するまで、この状態を維持する。
その後に、待機室12内が待機室12内への窒素ガスの供給によって大気圧に戻されるとともに、待機室12内の窒素ガスパージが実行される。待機室12内が大気圧に復帰した後には、待機室12内に窒素ガスが待機室用供給管57を通じて供給されつつ、待機室12内の排気が待機室用排気管59によって実行される。
なお、待機室12については少なくとも後述する水素アニールステップ後のウエハ1のボート29からのディスチャージが完了するまで、この状態を維持する。
待機室12内の窒素ガスパージ終了後に、ボート29はボートエレベータ21によって上昇されることにより、プロセスチューブ35の処理室36内に搬入(ボートローディング)される。このとき、処理室36内の温度は予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃に維持されている。
なお、この際には、窒素ガスが処理室36内および待機室12内に窒素ガス供給ライン55および待機室用供給管57によってそれぞれ供給されながら、処理室36内および待機室12内が待機室用排気管59によってそれぞれ排気される。
なお、この際には、窒素ガスが処理室36内および待機室12内に窒素ガス供給ライン55および待機室用供給管57によってそれぞれ供給されながら、処理室36内および待機室12内が待機室用排気管59によってそれぞれ排気される。
そして、図3に示されているように、ボート29が処理室36内に完全に搬入されると、マニホールド37の下端開口がシールキャップ27によって気密封止される。
この状態で、ボート29は処理室36に存置される。
この状態で、ボート29は処理室36に存置される。
ボートローディング後に、窒素ガスが処理室用窒素ガス供給装置56から処理室36内に窒素ガス供給ライン55を通じて供給されながら、メイン排気ライン40またはスロー排気ライン44により排気されることにより、処理室36内が窒素ガスによってパージされる。これにより、ウエハ1やボート29と一緒に処理室36内に持ち込まれた大気成分や酸素成分が処理室36外に排出される。この時、処理室36内の酸素濃度が酸素濃度計61によって検出され、「処理室36内の酸素濃度が予め設定された許容値(例えば、10000ppm)以下であるか否か」がコントローラ62によって時々刻々と判断される。
なお、ボートローディング後に、窒素ガスパージの代わりに処理室36を真空引きするように設定してもよい。この場合には、真空引きしながら、処理室36内の酸素濃度が酸素濃度計61によって検出され、「処理室36内の酸素濃度が予め設定された許容値以下であるか否か」がコントローラ62によって時々刻々と判断される。
なお、ボートローディング後に、窒素ガスパージの代わりに処理室36を真空引きするように設定してもよい。この場合には、真空引きしながら、処理室36内の酸素濃度が酸素濃度計61によって検出され、「処理室36内の酸素濃度が予め設定された許容値以下であるか否か」がコントローラ62によって時々刻々と判断される。
窒素ガスによる処理室36のパージまたは真空引きの開始とともに、昇温ステップが開始される。
処理室36内の温度が所定の処理温度である100〜500℃に達すると、温度は一定に維持される。
処理室36内の温度が所定の処理温度である100〜500℃に達すると、温度は一定に維持される。
処理室36内の温度が処理温度で安定し、コントローラ62が「処理室36内の酸素濃度が許容値以下である」と判断すると、燃焼用排気ライン47の止め弁48やメイン排気ライン40の止め弁43、スロー排気ライン44の止め弁45、処理室用窒素ガス供給装置56および水素ガス供給装置54が、コントローラ62によって図3に示されているように制御されることにより、水素ガスと窒素ガスとが水素ガス供給管51からノズル52を経由して処理室36内に供給され、水素アニールステップが開始される。
処理室36内にノズル52の上端の吹出口から供給された水素ガスと窒素ガスとは、処理室36内を流下して処理室用排気管39および燃焼用排気ライン47を経由して燃焼装置46によって排気される。
処理室36内にノズル52の上端の吹出口から供給された水素ガスと窒素ガスとは、処理室36内を流下して処理室用排気管39および燃焼用排気ライン47を経由して燃焼装置46によって排気される。
なお、水素アニールステップの処理条件は、例えば、次の通りである。
処理温度は100〜500℃、圧力は10000Pa以上、水素ガスの流量は1〜15slm(スタンダード・リットル毎分)、窒素ガス中の水素ガスの濃度は10〜20%、である。
処理温度は100〜500℃、圧力は10000Pa以上、水素ガスの流量は1〜15slm(スタンダード・リットル毎分)、窒素ガス中の水素ガスの濃度は10〜20%、である。
予め設定された水素アニールステップの処理時間が経過すると、処理室36内の温度は予め設定された降温ステップの温度シーケンスをもって降温されて行く。
そして、処理室36の温度が予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃になると、一定に維持される。
そして、処理室36の温度が予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃になると、一定に維持される。
水素アニールステップの実施後にも、10〜20%濃度の水素混合窒素ガスが燃焼用排気ライン47を経由して燃焼装置46によって排気される。
処理室36の温度が予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃になると、ボートアンローディングステップが開始される。
なお、前述したように、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管57を経由して待機室用窒素ガス供給装置58によって常に供給されているので、アンローディングステップ開始前に、待機室12内は窒素ガス雰囲気に維持されている。
ボート29の下降に際しては、処理室36内の圧力と待機室12の圧力とは、窒素ガスの供給によって均衡される。
なお、前述したように、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管57を経由して待機室用窒素ガス供給装置58によって常に供給されているので、アンローディングステップ開始前に、待機室12内は窒素ガス雰囲気に維持されている。
ボート29の下降に際しては、処理室36内の圧力と待機室12の圧力とは、窒素ガスの供給によって均衡される。
ボート29が待機室12に搬出されると、処理室36はシャッタ38によって閉塞される(図1および図2参照)。
その後に、処理済みのウエハ1がボート29からウエハ移載装置19によって脱装(ディスチャージング)される。このとき、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管57を通じて供給されつつ、待機室12内が待機室用排気管59を通じて排気される。
その後に、処理済みのウエハ1がボート29からウエハ移載装置19によって脱装(ディスチャージング)される。このとき、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管57を通じて供給されつつ、待機室12内が待機室用排気管59を通じて排気される。
本実施の形態によれば、次の効果を得ることができる。
1) 処理室にウエハが搬入(ボートローディング)された後に、処理室内の酸素濃度を処理室に直接的に接続された酸素濃度計によってモニタリングすることにより、ボートローディング時に処理室内に持ち込まれた大気成分や酸素成分等の残留成分が許容値以下に減少した時点で直ちに水素アニールステップを開始することができる。
2) 処理室内の酸素濃度を処理室に直接的に接続された酸素濃度計によってモニタリングし、残留成分が許容値以下に減少した時点で直ちに水素アニールを開始することにより、ウエハが高温度に必要以上に晒されるのを回避することができるので、水素アニールのプロセス性能の低下を防止することができる。
3) 処理室内の酸素濃度を処理室に直接的に接続された酸素濃度計によってモニタリングし、残留成分が許容値以下に減少した時点で直ちに水素アニールを開始することにより、水素アニール装置の総処理時間を短縮することができるので、水素アニール装置および水素アニール工程のスループットを向上させることができる。
4) 処理室内の酸素濃度を処理室に直接的に接続された酸素濃度計によってモニタリングし、処理室内の状況を継続的に比較することにより、プロセスチューブの破損による処理室内のリーク等の異常を高感度で検知することができるので、水素アニール装置および水素アニール工程の安全性を向上させることができる。
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、酸素濃度計としては電池反応式酸素濃度計を使用するに限らず、他の方式の酸素濃度計を使用してもよい。
また、酸素濃度計は一箇所に配置するに限らず、複数箇所に配置してもよい。
また、酸素濃度計は一箇所に配置するに限らず、複数箇所に配置してもよい。
水素ガスを処理室に導入する酸素濃度計の許容値は、実験やコンピュータシミュレーションまたは過去の実績データ等による経験則に基づいて最適値を求めることが、望ましい。
待機室とウエハ移載室とは隔離するに限らず、同室に構成してもよい。
本発明は、メタル配線の自然酸化膜を除去する場合について適用するに限らず、酸化シリコンの未結合種(界面欠陥)の終端処理のような水素ガスまたは重水素ガスを使用する熱処理全般に適用することができる。
本発明は、バッチ式縦形ホットウオール形水素アニール装置に限らず、水素ガスまたは重水素ガスを使用する熱処理装置全般に適用することができる。
さらには、本発明は、ウエハの熱処理に限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、SOG(システム・オン・ガラス)、光ディスクおよび磁気デスク等の熱処理にも適用することができる。
1…ウエハ(基板)、10…ホットウオール形水素アニール装置(半導体製造装置)、11…筐体、12…待機室(予備室)、13…ウエハ搬入搬出口、14…ゲートバルブ、15…ウエハ移載室筐体、16…ウエハ移載室、17…ウエハ搬入搬出口、18…ゲートバルブ、19…ウエハ移載装置、20…ツィーザ、21…ボートエレベータ、22…送りねじ軸、23…モータ、24…昇降台、25…支持アーム、26…ベース、27…シールキャップ、28…断熱キャップ、29…ボート、30…マニホールド設置口、31…ヒータユニット、32…ケース、33…断熱槽、34…ヒータ、35…プロセスチューブ、36…処理室、37…マニホールド、38…シャッタ、39…処理室用排気管、40…メイン排気ライン、41…真空ポンプ、42…可変流量制御弁、43…止め弁、44…スロー排気ライン、45…止め弁、46…燃焼装置、47…燃焼用排気ライン、48…止め弁、51…水素ガス供給管、52…ノズル、53…水素ガス供給ライン、54…水素ガス供給装置、55…窒素ガス供給ライン、56…処理室用窒素ガス供給装置、57…待機室用供給管、58…待機室用窒素ガス供給装置、59…待機室用排気管、60…待機室用排気装置、61…酸素濃度計、62…コントローラ(制御手段)。
Claims (1)
- 基板を熱処理する処理室と、
前記処理室内に水素ガスまたは重水素ガスを供給する供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記処理室内の酸素濃度を検出する酸素濃度計と、
前記処理室内に前記基板を搬入後に、前記酸素濃度計によって前記処理室の酸素濃度を検出し、前記処理室内の酸素濃度が許容値以下となった後に水素または重水素を導入するように制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005074897A JP2006261296A (ja) | 2005-03-16 | 2005-03-16 | 基板処理装置 |
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JP2020174182A (ja) * | 2016-06-10 | 2020-10-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 拡散促進雰囲気中の超大気プロセスにおけるシーム修復法 |
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2005
- 2005-03-16 JP JP2005074897A patent/JP2006261296A/ja active Pending
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