JP2006261285A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】水素ガスまたは重水素ガスを使用した水素アニールにおいて、安全を確保しつつスループットを向上させること。
【解決手段】ウエハ1の処理室36に水素ガスを供給する水素ガス供給管46と、真空ポンプ41に接続されて処理室36を排気するメイン排気ライン40とを備えた水素アニール装置において、メイン排気ライン40に排気流量を制御する可変流量制御弁42と、処理室36に窒素ガスを供給する窒素ガス供給ライン50とを設ける。水素アニール実施後に10〜20%濃度の水素混合窒素ガスの排気流量を10リットル毎分以下に可変流量制御弁42で制御してメイン排気ラインを通じ真空ポンプ41で排気しつつ、真空ポンプ41に100リットル毎分の窒素ガスを直接的に供給する。真空ポンプの二次側の水素混合窒素ガスの濃度は2%以下となるので、排気ガスを一般廃棄ガス設備に排出できる。
【選択図】図3
【解決手段】ウエハ1の処理室36に水素ガスを供給する水素ガス供給管46と、真空ポンプ41に接続されて処理室36を排気するメイン排気ライン40とを備えた水素アニール装置において、メイン排気ライン40に排気流量を制御する可変流量制御弁42と、処理室36に窒素ガスを供給する窒素ガス供給ライン50とを設ける。水素アニール実施後に10〜20%濃度の水素混合窒素ガスの排気流量を10リットル毎分以下に可変流量制御弁42で制御してメイン排気ラインを通じ真空ポンプ41で排気しつつ、真空ポンプ41に100リットル毎分の窒素ガスを直接的に供給する。真空ポンプの二次側の水素混合窒素ガスの濃度は2%以下となるので、排気ガスを一般廃棄ガス設備に排出できる。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)へのイオン打ち込み工程後のキャリア活性化のためのアニール、多層配線工程の平坦化のためのリフロー、配線工程のメタル配線の自然酸化膜除去や酸化シリコンの未結合種(界面欠陥)の終端処理のための低温アニール、酸化、拡散および成膜等々の熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に利用して有効な技術に関する。
ICの製造方法の所謂前工程における熱処理工程の実施には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置が、広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置は、石英が使用されて上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、処理室内の温度の均一化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータとの間に敷設された均熱チューブ(均熱管)と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートとを備えており、処理室内に搬入されたボート上のウエハ群をヒータによって加熱することにより、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されている。例えば、特許文献1参照。
特開2004−14543号公報
バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置は、石英が使用されて上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、処理室内の温度の均一化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータとの間に敷設された均熱チューブ(均熱管)と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートとを備えており、処理室内に搬入されたボート上のウエハ群をヒータによって加熱することにより、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されている。例えば、特許文献1参照。
このようなバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置であって、ウエハに水素アニールを大気圧下で施すものとして、バッチ式縦形ホットウオール形常圧アニール装置(以下、水素アニール装置という。)、がある。
一般に、水素アニール装置は、上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室に水素ガスまたは重水素ガス(以下、水素という。)を供給する供給管と、処理室を排気する真空ポンプを備えた排気ラインと、排気ガスを燃焼させる燃焼装置を備えた排気ラインと、を備えている。
一般に、水素アニール装置は、上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室に水素ガスまたは重水素ガス(以下、水素という。)を供給する供給管と、処理室を排気する真空ポンプを備えた排気ラインと、排気ガスを燃焼させる燃焼装置を備えた排気ラインと、を備えている。
このような水素アニール装置においては、水素アニールは窒素(N2 )中の水素濃度が10〜20%程度で実施されるのが、一般的である。
この水素混合窒素ガスは、水素の爆発範囲である4〜75%の範囲内であることから、IC製造工場の一般廃棄ガス設備に直接排出することができない。
この水素混合窒素ガスは少なくとも4%以下の水素濃度に下げることによって爆発の危険性がなくなるので、この水素混合窒素ガスは4%以下の水素濃度に下げることによって一般廃棄ガス設備に直接排出することが可能になる。
通常、真空ポンプの二次側は50〜100リットル毎分の窒素ガスによって希釈されて排気されており、仮に、水素ガスが20%混合した水素混合窒素ガスを排気しても、排気流量が5〜10リットル毎分であれば、排気ガス中の水素濃度は、真空ポンプの二次側で2%以下となるので、一般廃棄ガス設備に直接排気することができる。
しかし、水素混合窒素ガスの排気流量が制御されずに真空ポンプに流れ込み、真空ポンプの二次側に排出されると、真空ポンプの二次側での水素濃度が水素の爆発範囲に入る可能性がある。
このため、水素アニール装置において処理室内の水素ガスを窒素ガスを使用して別の排気ラインに一度排出し、この排気ラインに設置された燃焼装置において、水素を燃焼させることにより水または水蒸気化させ、その後に、処理室内に残留している水素濃度が充分低いレベルになってから、処理室を真空ポンプを備えた排気ラインによって真空排気し、処理室から水素成分を完全に排出する方法が、実施されている。
この水素混合窒素ガスは、水素の爆発範囲である4〜75%の範囲内であることから、IC製造工場の一般廃棄ガス設備に直接排出することができない。
この水素混合窒素ガスは少なくとも4%以下の水素濃度に下げることによって爆発の危険性がなくなるので、この水素混合窒素ガスは4%以下の水素濃度に下げることによって一般廃棄ガス設備に直接排出することが可能になる。
通常、真空ポンプの二次側は50〜100リットル毎分の窒素ガスによって希釈されて排気されており、仮に、水素ガスが20%混合した水素混合窒素ガスを排気しても、排気流量が5〜10リットル毎分であれば、排気ガス中の水素濃度は、真空ポンプの二次側で2%以下となるので、一般廃棄ガス設備に直接排気することができる。
しかし、水素混合窒素ガスの排気流量が制御されずに真空ポンプに流れ込み、真空ポンプの二次側に排出されると、真空ポンプの二次側での水素濃度が水素の爆発範囲に入る可能性がある。
このため、水素アニール装置において処理室内の水素ガスを窒素ガスを使用して別の排気ラインに一度排出し、この排気ラインに設置された燃焼装置において、水素を燃焼させることにより水または水蒸気化させ、その後に、処理室内に残留している水素濃度が充分低いレベルになってから、処理室を真空ポンプを備えた排気ラインによって真空排気し、処理室から水素成分を完全に排出する方法が、実施されている。
しかしながら、前述した従来の水素アニール装置においては、水素アニールステップが終了してから処理室内の水素ガスを完全に排出するまでに長時間(例えば、40分以上)が浪費されるために、ウエハが必要以上に高温状態で維持されることによるプロセス特性(所謂サーマルバジェット)の劣化を招くという問題点や、水素アニール工程全体としてのスループットが低下するという問題点、がある。
本発明の目的は、水素アニール工程の安全を確保しつつ、その品質およびスループットを向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
本願が開示する発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を熱処理する処理室と、
前記処理室内に水素ガスまたは重水素ガスを供給する供給管と、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに設けられ排気ガスの流量を制御するガス流量コントローラと、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)水素アニール終了後に、水素アニールに使用された水素ガスを排気流量をガス流量コントローラによって制御しながら、排気ラインによって排気するとともに、不活性ガスを排気ラインに流すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(1)基板を熱処理する処理室と、
前記処理室内に水素ガスまたは重水素ガスを供給する供給管と、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに設けられ排気ガスの流量を制御するガス流量コントローラと、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)水素アニール終了後に、水素アニールに使用された水素ガスを排気流量をガス流量コントローラによって制御しながら、排気ラインによって排気するとともに、不活性ガスを排気ラインに流すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記(1)によれば、水素ガスまたは重水素ガスの濃度を安全な濃度以下にガス流量コントローラによって制御して、排気ラインによって直接排気することにより、水素アニールステップ後の排気ステップ時間を短縮することができるので、水素アニール工程の安全を確保しつつ、その品質およびスループットを向上させることができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、図1および図2に示されているように、本発明に係る基板処理装置は、水素アニール装置(バッチ式縦形ホットウオール形常圧アニール装置)10として構成されている。この水素アニール装置10はICの製造方法におけるメタル配線の自然酸化膜除去や酸化シリコンの未結合種(界面欠陥)の終端処理等を実施するものとて構成されている。
図1および図2に示された水素アニール装置10は、ロードロック方式(ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と予備室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式)の熱処理装置として構成されている。
すなわち、水素アニール装置10は少なくとも大気圧および大気圧未満(減圧)の気密を維持可能な略直方体の気密室を形成する箱形状に構築された筐体11を備えており、筐体11の気密室はロードロック方式の予備室であって、ボートが処理室への搬入搬出に対して待機する待機室12を構成している。
図2に示されているように、待機室12の正面壁にはウエハ搬入搬出口13が開設されており、ウエハ搬入搬出口13はゲートバルブ14によって開閉されるように構成されている。
すなわち、水素アニール装置10は少なくとも大気圧および大気圧未満(減圧)の気密を維持可能な略直方体の気密室を形成する箱形状に構築された筐体11を備えており、筐体11の気密室はロードロック方式の予備室であって、ボートが処理室への搬入搬出に対して待機する待機室12を構成している。
図2に示されているように、待機室12の正面壁にはウエハ搬入搬出口13が開設されており、ウエハ搬入搬出口13はゲートバルブ14によって開閉されるように構成されている。
図2に示されているように、待機室12のウエハ搬入搬出口13側にはウエハ移載室筐体15が隣接して構築されており、ウエハ移載室筐体15はウエハ移載室16を形成している。ウエハ移載室筐体15のウエハ搬入搬出口13の反対側には前側のウエハ搬入搬出口17が開設されており、前側のウエハ搬入搬出口17はゲートバルブ18によって開閉されるように構成されている。
ウエハ移載室16にはウエハ移載装置(wafer transfer equipment )19が設置されている。ウエハ移載装置19は複数枚または一枚のツィーザ20を備えており、ウエハ1を保持したツィーザ20を三次元的に移動させることにより、複数枚または一枚のウエハ1をウエハ搬入搬出口13から待機室12へ搬入して、後記するボートに移載するように構成されている。
ウエハ移載室16にはウエハ移載装置(wafer transfer equipment )19が設置されている。ウエハ移載装置19は複数枚または一枚のツィーザ20を備えており、ウエハ1を保持したツィーザ20を三次元的に移動させることにより、複数枚または一枚のウエハ1をウエハ搬入搬出口13から待機室12へ搬入して、後記するボートに移載するように構成されている。
図1に示されているように、待機室12には送りねじ軸装置によって構成されたボートエレベータ21が設置されている。すなわち、ボートエレベータ21は待機室12に垂直に立脚されて回転自在に支承された送りねじ軸22と、待機室12の外部に設置されて送りねじ軸22を回転駆動するモータ23と、送りねじ軸22に噛合されて送りねじ軸22の回転に伴って昇降する昇降台24と、昇降台24に水平に突設された支持アーム25とを備えている。
支持アーム25の先端部にはシールキャップ27がベース26を介して水平に支持されている。シールキャップ27はプロセスチューブ35の外径と略等しい円盤形状に構築されている。
支持アーム25の先端部にはシールキャップ27がベース26を介して水平に支持されている。シールキャップ27はプロセスチューブ35の外径と略等しい円盤形状に構築されている。
シールキャップ27の中心線上には、円筒形状に形成されたボート29が垂直に立脚されて、断熱キャップ28を介して支持されるようになっている。断熱キャップ28はボート29をシールキャップ27から持ち上げることにより、ボート29を温度制御が不安定なボート搬入搬出口の付近から離間させるようになっている。ボート29は複数枚のウエハ1を中心を揃えて水平に整列させた状態で保持することができるように構成されている。
図1および図2に示されているように、待機室12の天井壁にはマニホールド設置口30が開設されており、待機室12の天井壁の上には、ヒータユニット31がマニホールド設置口30を被覆するように垂直に設置されている。
ヒータユニット31はステンレス鋼板等によって形成されたケース32と、断熱材によって円筒形状に形成されてケース32内に据え付けられた断熱槽33と、電気抵抗発熱体等によって形成されて断熱槽33の内周面に敷設されたヒータ34とを備えている。
ヒータ34は温度コントローラ(図示せず)によってシーケンス制御およびフィードバック制御されるように構成されている。
ヒータユニット31はステンレス鋼板等によって形成されたケース32と、断熱材によって円筒形状に形成されてケース32内に据え付けられた断熱槽33と、電気抵抗発熱体等によって形成されて断熱槽33の内周面に敷設されたヒータ34とを備えている。
ヒータ34は温度コントローラ(図示せず)によってシーケンス制御およびフィードバック制御されるように構成されている。
ヒータ34の内側にはプロセスチューブ35が、マニホールド設置口30に同心円に配置されている。プロセスチューブ35は石英が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ35の筒中空部によって処理室36が形成されており、処理室36はボート29によって略水平姿勢で垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハを収容することができるように構成されている。
なお、プロセスチューブ35の内径は取り扱うべきウエハの最大外径(例えば、300mm)よりも大きくなるように設定されている。
なお、プロセスチューブ35の内径は取り扱うべきウエハの最大外径(例えば、300mm)よりも大きくなるように設定されている。
マニホールド設置口30には、プロセスチューブ35と同径の円筒形状に形成されたマニホールド37が同心円に配されて設置されており、プロセスチューブ35はマニホールド37の上に載置された状態で、筐体11の天井壁に垂直に支持されている。
図1および図2に示されているように、ボート29が処理室36から搬出されている時には、マニホールド37の下端開口(炉口)は、炉口ゲートバルブであるシャッタ38によって閉塞されるように構成されている。
図1および図2に示されているように、ボート29が処理室36から搬出されている時には、マニホールド37の下端開口(炉口)は、炉口ゲートバルブであるシャッタ38によって閉塞されるように構成されている。
図1に示されているように、マニホールド37には処理室36内を排気する処理室用排気管39が接続されており、処理室用排気管39にはメイン排気ライン40の一端(上流側端)が接続されている。
メイン排気ライン40の他端(下流側端)は真空ポンプ41に接続されており、メイン排気ライン40の途中には可変流量制御弁(ガス流量コントローラ)42と止め弁43とが処理室用排気管39側から配置されて介設されている。メイン排気ライン40の真空ポンプ41と止め弁43との間には、処理室用窒素ガス供給装置51や待機室用窒素ガス供給装置53および専用の窒素ガス供給装置(図示せず)から窒素ガスが供給されるようになっている。
メイン排気ライン40にはスロー排気ライン44が止め弁43を迂回するように接続されており、スロー排気ライン44の途中には止め弁45が、メイン排気ライン40の止め弁43と並列に介設されている。
メイン排気ライン40の他端(下流側端)は真空ポンプ41に接続されており、メイン排気ライン40の途中には可変流量制御弁(ガス流量コントローラ)42と止め弁43とが処理室用排気管39側から配置されて介設されている。メイン排気ライン40の真空ポンプ41と止め弁43との間には、処理室用窒素ガス供給装置51や待機室用窒素ガス供給装置53および専用の窒素ガス供給装置(図示せず)から窒素ガスが供給されるようになっている。
メイン排気ライン40にはスロー排気ライン44が止め弁43を迂回するように接続されており、スロー排気ライン44の途中には止め弁45が、メイン排気ライン40の止め弁43と並列に介設されている。
マニホールド37には処理室36内に水素ガスまたは重水素ガス(以下、水素ガスという。)を供給する水素ガス供給管46が挿通されて支持されており、水素ガス供給管46の内側端にはノズル47の下端が接続されており、ノズル47は垂直に立脚されて、上端のガス吹出口が処理室36内の上端部に配置された状態になっている。
水素ガス供給管46の外側端には水素ガス供給ライン48の一端が接続されており、水素ガス供給ライン48の他端は、水素ガスを供給するための水素ガス供給装置49に接続されている。
水素ガス供給ライン48の途中には窒素ガス供給ライン50の一端が接続されており、窒素ガス供給ライン50の他端は、窒素ガスを供給するための処理室用窒素ガス供給装置51に接続されている。
水素ガス供給ライン48の途中には窒素ガス供給ライン50の一端が接続されており、窒素ガス供給ライン50の他端は、窒素ガスを供給するための処理室用窒素ガス供給装置51に接続されている。
図1に示されているように、筐体11には待機室12内に不活性ガスを供給する待機室用供給管52が接続されており、待機室用供給管52には不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための待機室用窒素ガス供給装置53が接続されている。
また、筐体11には待機室12内を排気する待機室用排気管54が接続されている。待機室用排気管54には真空ポンプや制御弁等によって構成された待機室用排気装置55が接続されている。
また、筐体11には待機室12内を排気する待機室用排気管54が接続されている。待機室用排気管54には真空ポンプや制御弁等によって構成された待機室用排気装置55が接続されている。
図1に示されているように、水素アニール装置10はパーソナルコンピュータやパネルコンピュータ等によって構築されたコントローラ60を備えており、コントローラ60にはメイン排気ライン40の可変流量制御弁42、止め弁43、スロー排気ライン44の止め弁45、水素ガス供給装置49、処理室用窒素ガス供給装置51、待機室用窒素ガス供給装置53および待機室用排気装置55が接続されている。
コントローラ60は後述するような作用を実行するように構成(プログラミング)されている。
コントローラ60は後述するような作用を実行するように構成(プログラミング)されている。
次に、前記構成に係る水素アニール装置を使用して、メタル配線の自然酸化膜を除去する水素アニール工程を説明する。
これから処理すべき複数枚のウエハ1は、ウエハ移載装置19のツィーザ20によって掬い取られて、待機室12において待機しているボート29に図1および図2に示されているように移載される。
この際には、プロセスチューブ35の処理室36はシャッタ38によって閉塞されている。
また、処理室36内および待機室12内には窒素ガスが、窒素ガス供給ライン50および待機室用供給管52からそれぞれ供給されつつ、処理室36内および待機室12内が処理室用排気管39のメイン排気ライン40および待機室用排気管54によってそれぞれ排気されている。すなわち、処理室36内および待機室12内は窒素ガスによって予めパージされている。
この際には、プロセスチューブ35の処理室36はシャッタ38によって閉塞されている。
また、処理室36内および待機室12内には窒素ガスが、窒素ガス供給ライン50および待機室用供給管52からそれぞれ供給されつつ、処理室36内および待機室12内が処理室用排気管39のメイン排気ライン40および待機室用排気管54によってそれぞれ排気されている。すなわち、処理室36内および待機室12内は窒素ガスによって予めパージされている。
所定の枚数のウエハ1が装填されると、待機室12内への窒素ガスの供給と排気とがサイクリックに実行される。
その後に、待機室12内が待機室12内への窒素ガスの供給によって大気圧に戻されるとともに、待機室12内の窒素ガスパージが実行される。待機室12内が大気圧に復帰した後には、待機室12内に窒素ガスが待機室用供給管52を通じて供給されつつ、待機室12内の排気が待機室用排気管54によって実行される。
なお、待機室12については少なくとも後述する水素アニールステップ後のウエハ1のボート29からのディスチャージが完了するまで、この状態を維持する。
その後に、待機室12内が待機室12内への窒素ガスの供給によって大気圧に戻されるとともに、待機室12内の窒素ガスパージが実行される。待機室12内が大気圧に復帰した後には、待機室12内に窒素ガスが待機室用供給管52を通じて供給されつつ、待機室12内の排気が待機室用排気管54によって実行される。
なお、待機室12については少なくとも後述する水素アニールステップ後のウエハ1のボート29からのディスチャージが完了するまで、この状態を維持する。
待機室12内の窒素ガスパージ終了後に、ボート29はボートエレベータ21によって上昇されることにより、プロセスチューブ35の処理室36内に搬入(ボートローディング)される。このとき、処理室36内の温度は予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃に維持されている。
なお、この際に、処理室36内および待機室12内には窒素ガスが窒素ガス供給ライン50および待機室用供給管52によってそれぞれ供給されつつ、処理室36内および待機室12内が待機室用排気管54によってそれぞれ排気される。
なお、この際に、処理室36内および待機室12内には窒素ガスが窒素ガス供給ライン50および待機室用供給管52によってそれぞれ供給されつつ、処理室36内および待機室12内が待機室用排気管54によってそれぞれ排気される。
そして、図3に示されているように、ボート29が処理室36内に完全に搬入されると、マニホールド37の下端開口がシールキャップ27によって気密封止される。
この状態で、ボート29は処理室36に存置される。
この状態で、ボート29は処理室36に存置される。
ボートローディング後に、処理室36内には窒素ガスが窒素ガス供給ライン50を通じて供給されつつ、処理室36内が処理室用排気管39のスロー排気ライン44によって排気される。
その後に、窒素ガス供給ライン50を通じた窒素ガスの供給が停止され、処理室用排気管39のメイン排気ライン40によりメインバキュームされる。
所定の時間経過後に、リークチエックされる。
その後に、窒素ガス供給ライン50を通じた窒素ガスの供給が停止され、処理室用排気管39のメイン排気ライン40によりメインバキュームされる。
所定の時間経過後に、リークチエックされる。
メインバキュームの開始とともに、昇温ステップが開始される。
メインバキュームおよびリークチェックは昇温ステップと並行して行われる。
処理室36内の温度が所定の処理温度である100〜500℃に達すると、温度は一定に維持される。
メインバキュームおよびリークチェックは昇温ステップと並行して行われる。
処理室36内の温度が所定の処理温度である100〜500℃に達すると、温度は一定に維持される。
リークチェック後に、処理室用窒素ガス供給装置51がコントローラ60によって制御されることにより、窒素ガスが処理室36内に窒素ガス供給ライン50から水素ガス供給管46およびノズル47を経由して供給され、処理室36内が窒素ガスパージされる。
処理室36内が窒素ガスパージされ、温度が安定すると、メイン排気ライン40の可変流量制御弁42や処理室用窒素ガス供給装置51および水素ガス供給装置49がコントローラ60によって制御されることにより、水素ガスが水素ガス供給管46からノズル47を経由して処理室36内に供給される。
処理室36内にノズル47の上端の吹出口から供給された水素ガスは、処理室36内を流下して処理室用排気管39によって排気される。
なお、水素アニールステップの処理条件は、例えば、次の通りである。
処理温度は100〜500℃、圧力は10000Pa以上、水素ガスの流量は1〜15slm(スタンダード・リットル毎分)、窒素ガス中の水素ガスの濃度は10〜20%、である。
処理室36内にノズル47の上端の吹出口から供給された水素ガスは、処理室36内を流下して処理室用排気管39によって排気される。
なお、水素アニールステップの処理条件は、例えば、次の通りである。
処理温度は100〜500℃、圧力は10000Pa以上、水素ガスの流量は1〜15slm(スタンダード・リットル毎分)、窒素ガス中の水素ガスの濃度は10〜20%、である。
予め設定された水素アニールステップの処理時間が経過すると、処理室36内の温度は予め設定された降温ステップの温度シーケンスをもって降温されて行く。
そして、処理室36の温度が予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃になると、一定に維持される。
そして、処理室36の温度が予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃になると、一定に維持される。
水素アニールステップの実施後に、10〜20%濃度の水素混合窒素ガスは、図3に示されているように、メイン排気ライン40に介設された可変流量制御弁42によって排気流量を10リットル毎分以下に制御されながら、処理室用排気管39およびメイン排気ライン40を通じて真空ポンプ41によって排気される。
この際、真空ポンプ41には100リットル毎分の窒素ガスが、例えば、処理室用窒素ガス供給装置51や待機室用窒素ガス供給装置53や専用の窒素ガス供給装置(図示せず)から直接的に供給される。
この真空ポンプ41への窒素ガスの供給により、処理室36を真空排気する真空ポンプ41の二次側の水素混合窒素ガスの濃度は、爆発の危険がない2%以下となる。
したがって、真空ポンプ41の二次側から吐出される排気ガス(2%以下の水素混合窒素ガス)は、一般廃棄ガス設備に直接的に排出することができる。
この際、真空ポンプ41には100リットル毎分の窒素ガスが、例えば、処理室用窒素ガス供給装置51や待機室用窒素ガス供給装置53や専用の窒素ガス供給装置(図示せず)から直接的に供給される。
この真空ポンプ41への窒素ガスの供給により、処理室36を真空排気する真空ポンプ41の二次側の水素混合窒素ガスの濃度は、爆発の危険がない2%以下となる。
したがって、真空ポンプ41の二次側から吐出される排気ガス(2%以下の水素混合窒素ガス)は、一般廃棄ガス設備に直接的に排出することができる。
処理室36の温度が予め設定されたスタンバイ温度である50〜500℃になると、ボートアンローディングステップが開始される。
なお、前述したように、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管52を経由して待機室用窒素ガス供給装置53によって常に供給されているので、アンローディングステップ開始前に、待機室12内は窒素ガス雰囲気に維持されている。
ボート29の下降に際しては、処理室36内の圧力は待機室12の圧力と窒素ガスパージによって均衡される。
なお、前述したように、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管52を経由して待機室用窒素ガス供給装置53によって常に供給されているので、アンローディングステップ開始前に、待機室12内は窒素ガス雰囲気に維持されている。
ボート29の下降に際しては、処理室36内の圧力は待機室12の圧力と窒素ガスパージによって均衡される。
処理済みのウエハ1を支持したボート29が待機室12に搬出されると、処理室36はシャッタ38によって閉塞される(図1および図2参照)。
その後、処理済みのウエハ1がボート29からウエハ移載装置19によって脱装(ディスチャージング)される。このときも、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管52を通じて供給されつつ、待機室12内が待機室用排気管54を通じて排気される。
その後、処理済みのウエハ1がボート29からウエハ移載装置19によって脱装(ディスチャージング)される。このときも、待機室12内には窒素ガスが待機室用供給管52を通じて供給されつつ、待機室12内が待機室用排気管54を通じて排気される。
本実施の形態によれば、次の効果を得ることができる。
1) 真空ポンプの二次側の水素混合窒素ガスの濃度を2%以下に抑制しつつ、水素アニールに使用した水素混合窒素ガスを真空ポンプによって直接的に排気することにより、水素の爆発を防止しつつ、水素アニール終了後にボートを処理室から短時間でボートアンローディングすることができる。
2) 水素アニール終了後にボートを処理室から短時間でボートアンローディングすることにより、水素アニールのプロセス性能の低下を防止することができる。
3) 水素アニール終了後にボートを処理室から短時間でボートアンローディングすることにより、水素アニール装置の総処理時間を短縮することができるので、水素アニール装置および水素アニール工程のスループットを向上させることができる。
4) 真空ポンプの二次側の水素混合窒素ガスの濃度を2%以下に抑制しつつ、水素アニールに使用した水素混合窒素ガスを真空ポンプによって直接的に排気することにより、水素アニール装置内に水素ガス燃焼システムを設置せずに済むために、水素アニール装置の構成が簡単になり、水素アニール装置の製造コストを低減させることができる。
5) 真空ポンプの二次側の水素混合窒素ガスの濃度を2%以下に抑制しつつ、水素アニールに使用した水素混合窒素ガスを真空ポンプによって直接的に排気することにより、一般廃棄ガス設備を簡略化することができるので、排気設備全体としてのコストを低減させることができる。
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、水素ガス供給管と窒素ガス供給管とは、共用するように構成するに限らず、別々に構成してもよい。
処理室用窒素ガス供給装置と待機室用窒素ガス供給装置とは、共用するように構成してもよい。
本発明は、メタル配線の自然酸化膜を除去する場合について適用するに限らず、酸化シリコンの未結合種(界面欠陥)の終端処理のような水素ガスまたは重水素ガスを使用する熱処理全般に適用することができる。
本発明は、バッチ式縦形ホットウオール形水素アニール装置に限らず、水素ガスまたは重水素ガスを使用する熱処理装置全般に適用することができる。
さらには、本発明は、ウエハの熱処理に限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、SOG(システム・オン・ガラス)、光ディスクおよび磁気デスク等の熱処理にも適用することができる。
1…ウエハ(基板)、10…ホットウオール形水素アニール装置(半導体製造装置)、11…筐体、12…待機室(予備室)、13…ウエハ搬入搬出口、14…ゲートバルブ、15…ウエハ移載室筐体、16…ウエハ移載室、17…ウエハ搬入搬出口、18…ゲートバルブ、19…ウエハ移載装置、20…ツィーザ、21…ボートエレベータ、22…送りねじ軸、23…モータ、24…昇降台、25…支持アーム、26…ベース、27…シールキャップ、28…断熱キャップ、29…ボート、30…マニホールド設置口、31…ヒータユニット、32…ケース、33…断熱槽、34…ヒータ、35…プロセスチューブ、36…処理室、37…マニホールド、38…シャッタ、39…処理室用排気管、40…メイン排気ライン、41…真空ポンプ、42…可変流量制御弁、43…止め弁、44…スロー排気ライン、45…止め弁、46…水素ガス供給管、47…ノズル、48…水素ガス供給ライン、49…水素ガス供給装置、50…窒素ガス供給ライン、51…処理室用窒素ガス供給装置、52…待機室用供給管、53…待機室用窒素ガス供給装置、54…待機室用排気管、55…待機室用排気装置、60…コントローラ。
Claims (1)
- 基板を熱処理する処理室と、
前記処理室内に水素ガスまたは重水素ガスを供給する供給管と、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに設けられ排気ガスの流量を制御するガス流量コントローラと、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
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- 2005-03-16 JP JP2005074705A patent/JP2006261285A/ja active Pending
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