TW202326980A - 高壓熱處理裝置用的氣體管理組件 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，包括：殼體，具有內部空間；供氣模組，設置於所述內部空間，用於對高壓熱處理裝置的內部腔室和外部腔室供應氣體；排氣模組，設置於所述內部空間，在所述內部腔室對進行熱處理的對象物進行排氣；檢測模組，在所述內部空間與所述排氣模組相連接，用於檢測殘留在所述內部腔室的殘留氣體；以及控制模組，以所述檢測模組檢測出所述殘留氣體的檢測結果為基礎，控制所述供氣模組以及排氣模組中的至少一個。

Description

高壓熱處理裝置用的氣體管理組件
本發明涉及一種高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，用於執行高壓熱處理裝置的供氣和排氣等。
一般來說，在半導體製程中，離子植入（Ion implantation）製程會在晶圓的界面産生損傷。退火（Annealing）是通過熱處理來恢復相關晶圓面産生損傷的工程。除了退火之外，在激活雜質時、形成化學沉積薄膜（CVD）時、進行銦錫氧化物歐姆（Ohmic）接觸合金製程時，也要對晶圓進行熱處理。
在進行熱處理時，氣體會對晶圓産生作用。該氣體可以高壓供應於容納晶圓的腔室。熱處理製程結束後，使用的氣體從腔室中排出。排氣完成後，熱處理後的晶圓就可從腔室中取出。然後，將新的晶圓和氣體供應至腔室以進行下一步的熱處理。
熱處理用氣體使用氫氣、氘等易燃性很高的氣體。儘管對所使用的氣體進行了排氣，但部分該氣體也可能殘留在腔室中。如果殘留的氣體與流入腔室的氧氣相遇，就有可能發生爆炸等一系列相關問題。
《要解決的問題》
本發明的其中一個目的在於提供一種高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，用於從結構上解決氣體殘留在腔室導致可能的危險。 《解決問題的手段》
本發明涉及一種高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，包括：殼體，具有內部空間；供氣模組，設置於所述內部空間，用於對高壓熱處理裝置的內部腔室和外部腔室供應氣體；排氣模組，設置於所述內部空間，在所述內部腔室對進行熱處理的對象物進行排氣；檢測模組，在所述內部空間與所述排氣模組相連接，用於檢測殘留在所述內部腔室的殘留氣體；以及控制模組，以所述檢測模組檢測出所述殘留氣體的檢測結果為基礎，控制所述供氣模組以及排氣模組中的至少一個。
在此，所述排氣模組包括：排氣管線，與所述內部腔室相連通，並將氣體從所述內部腔室引導向外部。所述檢測模組包括：分支管線，從所述排氣管線分支出；檢測閥，設置於所述內部空間，並安裝於所述分支管線；以及氣體檢測器，在所述檢測閥打開的情况下，檢測從所述內部腔室流入的所述殘留氣體。
在此，所述氣體檢測器包括：活性氣體檢測器和進氣檢測器中的至少一個，所述活性氣體檢測器可作用於所述對象物，用於檢測投入至所述內部腔室的活性氣體，所述進氣檢測器用於檢測從外部流入至所述內部腔室的流入氣體。
在此，所述檢測模組還包括：壓力調節器，設置於所述活性氣體檢測器的電路，用以將流入至所述活性氣體檢測器的所述流入氣體的壓力調整並降低至基準壓力值以下。
在此，所述控制模組在所述對象物進行熱處理之後控制所述活性氣體檢測器進行運轉，並在所述對象物進行熱處理之前控制所述進氣檢測器進行運轉。
在此，所述控制模組用於控制所述氣體檢測器進行轉時，控制所述供氣模組向所述內部腔室供應惰性氣體。
在此，所述氣體管理組件還包括：排出模組，用於將所述內部空間的氣體排出；其中，所述氣體檢測器與所述排出模組相連通。
在此，所述氣體管理組件還包括：流入模組，使外部空氣能流入至所述內部空間，其中，在所述排出模組運轉的作用下，所述外部空間通過所述流入模組流入至所述內部空間之後，受到所述排出模組的作用而被排出。
在此，所述氣體管理組件還包括：感知模組，用以感知所述內部空間的環境；所述控制模組，當基於所述感知模組感知到的相關結果後判斷出在所述內部空間裏産生了氣體洩露時，所述供氣模組停止氣體的供應。
基於本發明中另一種高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，包括：殼體，具有內部空間；排氣模組，設置於所述內部空間，在所述高壓熱處理裝置的腔室對進行熱處理的對象物進行排氣；檢測模組，在所述內部空間與所述排氣模組相連，在所述對象物進行熱處理之前以及之後中的至少某一時間段，檢測殘留在所述腔室內的殘留氣體；以及控制模組，用於以所述檢測模組檢測出所述殘留氣體的檢測結果為基礎，控制所述排氣模組將所述腔室內的氣體進行排氣；所述殘留氣體，以低於所述熱處理氣體的排氣壓力輸入至所述檢測模組。
在此，所述排氣模組包括：排氣管線，與所述腔室相連通，將氣體從所述腔室引導至外部，其中，所述檢測模組，包括：分支管線，從所述排氣管線分支出；檢測閥，設置於所述內部空間，安裝於所述分支管線；以及氣體檢測器，在所述檢測閥打開的情况下，檢測從所述內部腔室流入的所述殘留氣體。
在此，所述氣體檢測器包括：活性氣體檢測器和進氣檢測器中的至少一個，所述活性氣體檢測器可作用於所述對象物，用於檢測投入至所述內部腔室的活性氣體，所述進氣檢測器用於檢測從外部流入至所述內部腔室的流入氣體。
在此，所述氣體管理組件還包括：供氣模組，設置於所述內部空間，用於將所述對象物的熱處理氣體供應至所述腔室；以及感知模組，用於感知所述內部空間的環境；所述控制模組，當基於所述感知模組感知的結果而判斷出在所述內部空間裏産生了氣體洩露時，所述供氣模組停止氣體的供應。
在此，所述氣體管理組件還包括：排出模組，在所述控制模組的控制下，將所述內部空間的氣體排出，其中，所述氣體檢測器與所述排氣模組相連通。 《發明的效果》
基於如上所述結構之本發明的用於高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，在殼體內部中設置有：用於向高壓熱處理裝置腔室供應氣體的供氣模組；用於從該腔室排出氣體的排氣模組；與排氣模組相連接的檢測模組，用於檢測檢測殘留在腔室中的殘留氣體；以及控制模組，基於所述檢測結果控制供氣模組和排氣模組。因此，當檢測到腔室中殘留氣體存在時，熱處理製程的進行就會被中斷，並排出所述殘留氣體。因此就可以在結構上消除由於殘留在腔室中的氣體所導致的風險。
以下內容將參照附圖對本發明中較佳實施例的高壓熱處理裝置用的氣體管理組件進行詳細說明。在本說明書中，即使是不同的實施例，對於相同或相似的結構，也將賦予相同或相似的元件符號，對類似的相關說明將用第一次說明文字內容來代替。
圖1是顯示本發明一實施例之高壓熱處理裝置用的氣體管理組件100的概念圖。
參照該圖，高壓熱處理裝置用的氣體管理組件100不僅可以向高壓熱處理裝置HA進行供氣排氣，也是檢測殘留氣體是否存在於高壓熱處理裝置HA內的結構。
首先，對高壓熱處理裝置HA進行如下說明。所述高壓熱處理裝置HA具有內部腔室IC和外部腔室EC。
內部腔室IC具有容納用於進行熱處理的對象物的收容空間。內部腔室IC可以由非金屬材料（例如石英）製成，以減少在高壓甚至高溫工作環境中污染物顆粒的産生。雖然附圖簡化相應的結構，但在內部腔室IC的下端設置了用於打開收容空間的門（未顯示）。隨著門的下降，收容空間被打開，並且對象物可以安裝在抓持器（未顯示）上並進入內部腔室IC。在受到設置在內部腔室IC外的加熱器（未顯示）的作用下，內部腔室IC可以加熱到數百攝氏度。所述對象物可以例如是晶圓，在這種情况下，所述抓持器可以是能够將所述晶圓堆疊為多個層的晶舟（wafer boat）。
外部腔室EC在結構上包圍內部腔室IC。與內部腔室IC不同地，外部腔室EC不受對象物的污染問題影響，因此外部腔室EC可以用金屬材料製作。外部腔室EC的下部也設置有門，內部腔室IC和外部腔室EC的門可以一起下降並打開。
以下將對氣體管理組件100進行詳細說明。氣體管理組件100可以包括：殼體110；供氣模組120；排氣模組130；檢測模組140；以及排出模組150。
殼體110設置有內部空間111。殼體110是大體上呈現長方體結構的主體結構。內部空間111可設置供氣模組120及排氣模組130等。殼體110可設置門（未顯示），以便操作者靠近內部空間111並更換或修理後述的供氣模組120。
供氣模組120是用於向高壓熱處理裝置HA（特別是腔室IC和EC）供應氣體的結構。供氣模組120可以與半導體工廠的實際生産線的燃氣供氣生産線相連通。供氣模組120可包括：連接到內部腔室IC的第一供氣線121；以及連接到外部腔室EC的第二供氣線125。
通過第一供氣線121，可以有選擇性地向內部腔室IC供應用於對象物熱處理的氣體（例如氫/氘、氟、氨、氯、氮等）。於此，氫/氘等氣體為活性氣體，氮為惰性氣體。活性氣體和惰性氣體可以在內部腔室IC中混合並作用於對象物。通過第二供氣線125，可以將惰性氣體（例如氮氣或氬氣）供應至外部腔室EC。注入於外部腔室EC中的氣體，具體而言是填充至外部腔室EC與內部腔室IC之間的空間中。
供應給內部腔室IC和外部腔室EC的氣體可以使用高於大氣壓的壓力，例如可以使用數倍氣壓乃至數十倍氣壓的高壓。當供應至內部腔室IC的氣壓是第一壓力時，則供應至外部腔室EC的氣壓則是第二壓力，此時第二壓力的設定與第一壓力相關，例如，設定的所述第二壓力可以高於所述第一壓力。這種壓力差具有防止內部腔室IC中的氣體洩漏和內部腔室IC損壞的優點。
為了設置和維持所述第一壓力與所述第二壓力之間的關係，可以在第一供氣線121上安裝供氣閥123。所述供氣閥123可以對內部腔室IC的氣體投入量進行測量並供應。所述第二供氣線125可安裝其他供氣閥127，所述供氣閥127是基於外部腔室EC中的氣體壓力來進行調節開閉的結構。對於所述供氣閥123和所述供氣閥127，只是為了方便起見，以單純的閥門形式出現，但兩者的具體作用可以是不同的。
排氣模組130是用於從腔室IC和EC中將用於對象物的熱處理氣體進行排氣的結構。基於所述熱處理的氣體隨著高溫製程的進行，其燃點比所述活性氣體的燃點溫度更高。而對於排氣模組130而言，其排氣線可以連接至半導體工廠的實際生産線的排氣線。
具體而言，排氣模組130包括：第一排氣管線131，用於從內部腔室IC將氣體進行排氣；以及第二排氣管線135，用於從外部腔室EC將氣體排氣。所述第一排氣管線131連接於內部腔室IC的上部，並可以延伸到外部腔室EC的外部。所述第一排氣管線131還可安裝排氣閥133。所述第二排氣管線135連接至外部腔室EC，並且還可以安裝排氣管137。所述第二排氣管線135可與第一排氣管線131連通。在這種情况下，沿著第一排氣管線131排出的活性氣體就會被沿著第二排氣管線135排出的惰性氣體混入而稀釋。
檢測模組140是用於檢測在排氣模組130操作下，主要殘留在腔室IC和EC中的殘留氣體的模組結構。所述檢測模組140在內部空間111中可設有排氣模組130，具體而言是從第一排氣管線131分支出的分支管線141。
分支管線141上安裝氣體檢測器143、145。所述氣體檢測器143、145通過接收來自內部腔室IC的氣體流動來檢測殘留氣體。具體而言，所述氣體檢測器143、145可包括活性氣體檢測器143和進氣檢測器145。活性氣體檢測器143是檢測內部腔室IC內殘留的氫、氘等活性氣體。而所述進氣檢測器145在內部腔室IC（及外部腔室EC）的門打開時，可以檢測從外部流入的氣體，特別是氧氣。所述氣體檢測器143、145可連通後述排放管道151。所述氣體檢測器143、145的類型或數量並不侷限於本實施例，並可以根據需要設置更多或更少數量的氣體檢測器。
為了控制來自內部腔室IC的氣體對氣體檢測器143、145的氣體流動，可以在所述分支管線141上安裝檢測閥147、149。所述檢測閥147、149分別對應於所述活性氣體檢測器143和所述進氣檢測器145。所述檢測閥147、149在所述熱處理的氣體排氣過程中可能不會打開。因此，在所述熱處理過程中産生的較高的排氣壓力不會作用於所述氣體檢測器143、145。與此相反地，與所述熱處理過程中産生的排氣壓力相比，壓力大幅降低的氣體可以輸送至所述氣體檢測器143、145。
如上所述，即使低壓氣體被輸送至所述氣體檢測器143、145，活性氣體檢測器143也只能允許比其壓力更低的氣體被檢測出。這可以通過在檢測閥147電路中設置的壓力調節器148來實現。所述壓力調節器148能將通過所述檢測閥147的氣體的壓力降低到基準壓力值以下。所述活性氣體檢測器143具有特別靈敏的檢測配置，以檢測活性氣體是否是在PPM水平，最好能受到所述壓力調節器148的進一步保護。所述壓力調節器148與所述活性氣體檢測器143相對應，但是根據不同的設計，也可以是與所述進氣檢測器145相對應的設計結構。
所述氣體檢測器143、145可以設置在所述殼體110的外部。與此相反地，所述分支管線141與所述第一排氣管線131的連接部位以及所述檢測閥147、149可以設置在所述內部空間111中。這是為了防止所述連接部位和所述檢測閥147、149可能的洩漏而設置的結構。在所述連接部位和檢測閥147、149上，由於所述熱處理導致排氣壓力過高，因此所述活性氣體就有可能産生洩漏。所述氣體檢測器143、145不一定必須設置在所述殼體110的外部，也可以設置在所述內部空間111。
所述排出模組150的構造能使氣體從內部空間111排出。所述內部空間111中的氣體可包括從所述供氣模組120或所述排氣模組130中洩漏的所述活性氣體。
排出模組150設置有與所述內部空間111連通的排放管道151。所述排放管道151可以連接至半導體工廠的實際生産線的排氣生産線。所述排放管道151可安裝閥門155。當所述內部空間111的氣體需要排放時，所述門閥155可在控制模組170（參圖2）的控制下被打開。
與所述內容不同的是，所述檢測模組140還可以檢測所述外部腔室EC中的殘留氣體。在這種情况下，所述分支管線141可連接到所述第二排氣管線135。對所述外部腔室EC中殘留氣體的檢測方法，則與本說明書中圍繞所述內部腔室IC描述的方法大致相同。
所述氣體管理組件100的相關控制結構將參照圖2進行說明。圖2是顯示用於說明圖1中之高壓熱處理裝置用的氣體管理組件100控制結構的流程圖。
參照本圖及圖1，所述氣體管理組件100除了前述的所述供氣模組120、排氣模組130、檢測模組140等結構之外，還包括控制模組170和儲存模組180。
所述控制模組170是用於控制所述供氣模組120、排氣模組130、檢測模組140、以及排出模組150等模組的結構。具體來說，所述控制模組170根據所述檢測模組140對殘留氣體的檢測結果，可以進一步控制所述供氣模組120和所述排氣模組130等結構。
儲存模組180是為了便於所述控制模組170進行控制而將可參考的數據、程式等相關內容進行儲存的結構。所述儲存模組180可以包括快閃記憶體（flash memory）、硬碟（hard disk）、磁光碟、光碟中的至少一種類型的儲存介質。
根據所述配置，所述控制模組170在控制所述檢測模組140時，可以通過控制所述供氣模組120來向所述內部腔室IC供應惰性氣體。這是為了引導存在於所述內部腔室IC中的氣體殘留氣體向氣體檢測器143、145流動。
所述控制模組170基於檢測殘留氣體後的結果控制所述供氣模組120等結構，對此的具體的說明將參照圖3進行詳解。圖3是顯示用於說明圖1中之高壓熱處理裝置用的氣體管理組件100控制方式的順序圖。
參照本圖及圖1至圖2，所述控制模組170為了能根據高壓熱處理裝置HA中進行的不同步驟的熱處理製程進行相應地處理，會對熱處理的各個步驟進行分析S1。
如果是在熱處理進行前的步驟S3，所述控制模組170則啓動所述進氣檢測器145，檢測流入氣體是否殘留於內部腔室IC中S5。在此，熱處理前的步驟，具體而言，是將新晶圓裝載到內部腔室IC上，進而關閉腔室IC和EC的門，是在對所述腔室IC和EC進行氣體供應和加熱之前的步驟階段。
如果是熱處理中的步驟S7，則所述控制模組170在等待一定時間後S9，會再次判斷熱處理進行的步驟階段S1。
如果是熱處理後的步驟S11，所述控制模組170則啓動所述活性氣體檢測器143，檢測內部腔室IC中是否殘留活性氣體S13。在此，熱處理後的步驟，具體而言，是對裝載的晶圓進行熱處理後，所述腔室IC及EC內的氣體被排出的時間段。在這種情况下，所述腔室IC和EC的門沒有被打開，熱處理的晶圓仍然位於腔室IC和EC內。
如果所述氣體檢測器143、145在熱處理前後檢測到殘留氣體的存在，則所述控制模組170控制所述供氣模組120停止運行或不令其運行S15。此時，所述供氣模組120不提供所述活性氣體和所述非活性氣體至高壓熱處理裝置HA的所述內部腔室IC（及外部腔室EC）。
所述控制模組170還可啓動所述排氣模組130，使所述內部腔室IC（及外部腔室EC）進行排氣S15。這是為了消除殘留氣體的存在帶來的危險，將存在於內部腔室IC中的活性氣體和/或流入氣體進行徹底排出。
如果所述氣體檢測器143、145在熱處理前後未檢測到殘留氣體存在，則所述控制模組170就停止對殘留氣體的檢測。
以下內容是針對所述氣體管理組件100的其他形態，參照圖4進行的說明。
圖4是顯示本發明中另一實施例的高壓熱處理裝置用的氣體管理組件200的概念圖。
參照本圖，氣體管理組件200與前面實施例的氣體管理組件100大致相同，但在添加了感知模組260和流入模組280方面存在差異。以下內容是針對兩者的不同結構為中心進行的說明。另外，為了簡化對圖的說明，省略了高壓熱處理裝置HA（參圖1）。
所述感知模組260是用於感知內部空間211環境的結構，可以設置氣體檢測器261。所述氣體檢測器261用於檢測洩漏至內部空間211內的活性氣體。
流入模組280是允許外部空氣進入所述內部空間211的結構。所述流入模組280可以接受手動操作或者接受所述控制模組170，參照圖2的控制而進行開閉的減震器。在所述減震器打開的狀態下，外部空氣受到排出模組250的操作，在負壓條件下流入至所述內部空間211。
所述流入模組280可以設置在所述殼體210中的所述排出模組250的相對一側。在本圖中，所述排出模組250設置在所述殼體210的上側，而所述流入模組280設置在所述殼體210的下側。這延長了在殼體210內外部的空氣流動路徑，使洩漏的氣體能有效地從所述內部空間211的所有區域順利排出。
基於所述的這種結構，外部空氣在所述流入模組280的打開和所述排出模組250的運行下連續地流入至所述內部空間211。外部空氣使內部空間211內的氣體通過所述排出模組250而排放而出。例如，即使所述分支管線241的連接部位及所述檢測閥247、249等處發生了氣體洩漏，洩漏的氣體也會在所述排出模組250作用下排放而出。因此，所述內部空間211內的活性氣體的濃度可以控制在設定濃度值以下。
在所述排出模組250運轉過程中，所述控制模組170通過所述氣體檢測器261確定當前活性氣體的濃度。在所述內部空間211內活性氣體的濃度超過設定濃度時，所述控制模組170則判斷這是有意義的氣體洩漏值，進而開始執行額外的措施。例如，所述控制模組170關閉所述供氣閥223從而停止向所述腔室110、120供應氣體。因此，活性氣體等也不會進入至所述內部空間211。即使所述連接部位及所述檢測閥247、249等位置的氣體洩漏達到了一定水平至後，通過執行所述額外措施，所述氣體管理組件200也可以在安全狀態下運行。
如上所述的高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，不侷限於所述實施例的結構和操作方式。所述實施例也可以通過選擇性地組合各個實施例的全部或某一部分來實現各種變化。
100:氣體管理組件 110:殼體 111:內部空間 120:供氣模組 121:第一供氣線 123:供氣閥 125:第二供氣線 127:供氣閥 130:排氣模組 131:第一排氣管線 133:排氣閥 135:第二排氣管線 137:排氣管 140:檢測模組 141:分支線 143:活性氣體檢測器（氣體檢測器） 145:進氣檢測器（氣體檢測器） 147:檢測閥 148:壓力調節器 149:檢測閥 150:排出模組 151:排放管道 155:閥門 170:控制模組 180:儲存模組 200:氣體管理組件 210:殼體 211:內部空間 223:供氣閥 241:分支管線 247:檢測閥 249:檢測閥 250:排出模組 260:感知模組 261:氣體檢測器 280:流入模組 HA:高壓熱處理裝置 IC:內部腔室（腔室） EC:外部腔室（腔室） S1,S3,S5,S7,S9,S11,S13,S15:步驟
圖1是顯示本發明一實施例中之高壓熱處理裝置用的氣體管理組件的概念圖； 圖2是顯示用於說明圖1中之高壓熱處理裝置用的氣體管理組件控制結構的流程圖； 圖3是顯示用於說明圖1中之高壓熱處理裝置用的氣體管理組件控制方式的順序圖；以及 圖4是顯示本發明另一實施例之高壓熱處理裝置用的氣體管理組件的概念圖。
100:氣體管理組件
110:殼體
111:內部空間
120:供氣模組
121:第一供氣線
123:供氣閥
125:第二供氣線
127:供氣閥
130:排氣模組
131:第一排氣管線
133:排氣閥
135:第二排氣管線
137:排氣管
140:檢測模組
141:分支線
143:活性氣體檢測器(氣體檢測器)
145:進氣檢測器(氣體檢測器)
147:檢測閥
148:壓力調節器
149:檢測閥
150:排出模組
151:排放管道
155:閥門
HA:高壓熱處理裝置
IC:內部腔室(腔室)
EC:外部腔室(腔室)

Claims (14)

  1. 一種高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，包括： 一殼體，具有一內部空間； 一供氣模組，設置於所述內部空間，用於對所述高壓熱處理裝置的一內部腔室和一外部腔室供應氣體； 一排氣模組，設置於所述內部空間，並在所述內部腔室對進行熱處理的一對象物進行排氣； 一檢測模組，在所述內部空間與所述排氣模組相連接，用於檢測殘留在所述內部腔室的殘留氣體；以及 一控制模組，以所述檢測模組檢測出所述殘留氣體的檢測結果為基礎，控制所述供氣模組以及排氣模組中的至少一個。
  2. 根據請求項1所述的氣體管理組件，其中， 所述排氣模組包括： 一排氣管線，與所述內部腔室相連通，並將氣體從所述內部腔室引導向外部； 所述檢測模組包括： 一分支管線，從所述排氣管線分支出； 一檢測閥，設置於所述內部空間，並安裝於所述分支管線；以及 一氣體檢測器，在所述檢測閥打開的情况下，檢測從所述內部腔室流入的所述殘留氣體。
  3. 根據請求項2所述的氣體管理組件，其中，所述氣體檢測器包括：一活性氣體檢測器和所述進氣檢測器中的至少一個， 其中，所述活性氣體檢測器作用於所述對象物，用於檢測投入至所述內部腔室的活性氣體；以及 其中，所述進氣檢測器用於檢測從外部流入至所述內部腔室的一流入氣體。
  4. 根據請求項3所述的氣體管理組件，其中，所述檢測模組還包括： 一壓力調節器，設置於所述活性氣體檢測器的電路，用以將流入至所述活性氣體檢測器的所述流入氣體的壓力調整並降低至基準壓力值以下。
  5. 根據請求項3所述的氣體管理組件，其中，所述控制模組用以在所述對象物進行熱處理之後控制所述活性氣體檢測器進行運轉，以及在所述對象物進行熱處理之前控制所述進氣檢測器進行運轉。
  6. 根據請求項2所述的氣體管理組件，其中，所述控制模組控制所述氣體檢測器進行運轉時，控制所述供氣模組向所述內部腔室供應惰性氣體。
  7. 根據請求項2所述的氣體管理組件，還包括： 一排出模組，用以將所述內部空間的氣體排出， 其中，所述氣體檢測器與所述排出模組相連通。
  8. 根據請求項7所述的氣體管理組件，還包括： 一流入模組，使外部空氣能流入至所述內部空間， 其中，在所述排出模組運轉的作用下，所述外部空間通過所述流入模組流入至所述內部空間之後，受到所述排出模組的作用而被排出。
  9. 根據請求項8所述的氣體管理組件，還包括： 一感知模組，用以感知所述內部空間的環境， 其中，當所述控制模組基於所述感知模組感知到的相關結果判斷出在所述內部空間內産生氣體洩露時，所述供氣模組停止氣體的供應。
  10. 一種高壓熱處理裝置用的氣體管理組件，包括： 一殼體，具有一內部空間； 一排氣模組，設置於所述內部空間，用以在所述高壓熱處理裝置的腔室對進行熱處理的一對象物進行排氣； 一檢測模組，在所述內部空間與所述排氣模組相連，用以在所述對象物進行熱處理之前以及之後中的至少某一時間段，檢測殘留在所述腔室內的殘留氣體；以及 一控制模組，以所述檢測模組檢測出所述殘留氣體的檢測結果為基礎，控制所述排氣模組將所述腔室內的氣體排出， 其中，所述殘留氣體以低於所述熱處理氣體的排氣壓力輸入至所述檢測模組。
  11. 根據請求項10所述的氣體管理組件，其中，所述排氣模組包括： 一排氣管線，與所述腔室相連通，將氣體從所述腔室引導至外部； 其中，所述檢測模組，包括： 一分支管線，從所述排氣管線分支出； 一檢測閥，設置於所述內部空間，並安裝於所述分支管線；以及 一氣體檢測器，在所述檢測閥打開的情况下，檢測從所述內部腔室流入的所述殘留氣體。
  12. 根據請求項11所述的氣體管理組件，其中，所述氣體檢測器包括：一活性氣體檢測器和一進氣檢測器中的至少一個， 其中，所述活性氣體檢測器作用於所述對象物，用於檢測投入至所述內部腔室的活性氣體，以及 其中，所述進氣檢測器用於檢測從外部流入至所述內部腔室的流入氣體。
  13. 根據請求項10所述的氣體管理組件，還包括： 一供氣模組，設置於所述內部空間，用以將用於所述對象物的熱處理氣體供應至所述腔室；以及 一感知模組，用以感知所述內部空間的環境， 其中，當所述控制模組基於所述感知模組感知的結果判斷出在所述內部空間內産生氣體洩露時，所述供氣模組停止氣體的供應。
  14. 根據請求項11所述的氣體管理組件，還包括： 一排出模組，用以在所述控制模組的控制下，將所述內部空間的氣體排出，其中，所述氣體檢測器與所述排氣模組相連通。
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