TW202413677A - 用於高壓處理裝置的氣箱組件 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種用於高壓處理裝置的氣箱組件，其包括：殼體，具備內部空間；供給模組，被構成為配置在所述內部空間內，用於向高壓處理裝置的腔室供給工藝氣體；排氣模組，被構成為用於排出處理所述腔室中的物體之後產生的氣體；以及填充模組，被構成為用於向所述內部空間以高於所述殼體的外部壓力的壓力填充保護氣體，從而，阻止外部空氣流入所述內部空間。

Description

用於高壓處理裝置的氣箱組件

本發明涉及一種用於向高壓處理裝置的腔室供給氣體或從該腔室排出氣體的氣箱組件。

一般，在進行半導體器件的製造工藝的過程中，對半導體基板進行各種處理。這種處理，例如有氧化、氮化、矽化、離子注入及化學氣相沉積（CVD：Chemical Vapor Deposition）工藝等。還有氫或氘熱處理工藝，用以改善半導體器件的界面性能。

用於處理的氣體以高壓供給至腔室，並作用於半導體基板。氣體由氣箱供給到腔室，並從腔室排出。

若在供氣和排氣過程中發生氣體洩漏，則不僅會污染周圍，還會發生因著火而引起火災等問題。隨著處理工藝的溫度升高，尤其排出的氣體溫度也升高，所以，氣箱內著火的風險也增高。當處理溫度高於氣體的自燃溫度時，因洩漏而著火的危險會變得更大。

本發明的一目的在於，提供一種用於高壓處理裝置的氣箱組件，其即使在高溫下執行處理工藝，在執行工藝的過程中其結構上能預防在氣箱內因氣體洩漏而發生著火的危險。

為了實現所述課題，根據本發明的一側面的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，可以包括：殼體，具備內部空間；供給模組，被構成為配置在所述內部空間內，用於向高壓處理裝置的腔室供給工藝氣體；排氣模組，被構成為用於排出處理所述腔室中的物體之後產生的氣體；以及填充模組，被構成為用於向所述內部空間以高於所述殼體的外部壓力的壓力填充保護氣體，從而，阻止外部空氣流入所述內部空間。

此處，根據所述保護氣體的填充而在所述內部空間產生的壓力可以為比供給所述工藝氣體而在所述腔室產生的壓力更偏向所述外部壓力的值。

此處，根據所述保護氣體的填充而在所述內部空間產生的壓力可以為低於流在所述供給模組內的所述工藝氣體的壓力的值。

此處，還包括：感測模組，用於感測所述內部空間的環境；以及控制模組，被構成為用於控制所述填充模組，所述控制模組可根據所述感測模組的感測結果來控制所述填充模組。

此處，所述感測模組包括壓力計，所述控制模組可以控制所述填充模組，使得當所述壓力計感測到的所述內部空間的壓力小於設定壓力時，填充所述保護氣體，使所述內部空間達到所述設定壓力。

此處，還包括：感測模組，用於感測所述內部空間的環境；排放模組，被構成為用於排出所述內部空間的氣體；以及控制模組，被構成為用於控制所述排放模組，所述控制模組可以被構成為當根據所述感測模組的感測結果判斷從所述供給模組和所述排氣模組中的至少一個到所述內部空間已發生氣體洩漏時，使所述排放模組運行。

此處，所述控制模組可以控制所述填充模組，使得在排出所述內部空間的氣體的過程中，向所述內部空間填充所述保護氣體以稀釋所述氣體。

此處，所述填充模組可以包括氣體調整填充器，所述氣體調整填充器被構成為將所述保護氣體調整流量填充到所述內部空間。

此處，所述填充模組可以包括緊急開閉填充器，所述緊急開閉填充器被構成為在所述氣體的排放過程中以最大設定流量向所述內部空間內充入所述保護氣體。

此處，所述感測模組包括壓力計及氣體感測器中的至少一個，當所述壓力計感測到的所述內部空間的壓力超過設定壓力或者所述氣體感測器感測到所述工藝氣體時，所述控制模組可以判斷為發生了所述氣體洩漏。

此處，還包括：感測模組，用於感測所述內部空間的環境；流入模組，被構成為將所述外部空氣流入所述內部空間；以及控制模組，被構成為用於控制所述流入模組，所述控制模組可根據通過所述感測模組感測到的所述內部空間的氧氣濃度來運行所述流入模組，以控制所述內部空間的氧氣濃度達到設定氧氣濃度。

此處，所述物體可以包括半導體基板，所述工藝氣體可以包括氫氣、氘氣、氟氣、氨氣及氯氣中的至少一種，所述保護氣體可以包括惰性氣體。

根據本發明的另一側面的用於高壓處理裝置的氣箱組件，可以包括：殼體，具備內部空間；排氣模組，配置在所述內部空間，用於排出在高壓處理裝置的腔室中以高於所述處理工藝氣體的燃點的溫度處理物體時產生的氣體；以及填充模組，被構成為將保護氣體以高於所述殼體的外部壓力的壓力充入所述內部空間，從而，阻止外部空氣流入所述內部空間。

此處，還包括：感測模組，用於感測所述內部空間的環境；排放模組，被構成為用於排放所述內部空間的氣體；以及控制模組，被構成為用於控制所述排放模組，所述控制模組可以被構成為當根據所述感測模組的感測結果判斷為已發生從所述排氣模組到所述內部空間的氣體洩漏時，使所述排放模組運行。

此處，還包括：感測模組，用於感測所述內部空間的環境；流入模組，被構成為將所述外部空氣流入至所述內部空間；以及控制模組，被構成為用於控制所述流入模組，所述控制模組可根據通過所述感測模組感測到的所述內部空間的氧氣濃度來運行所述流入模組，以控制所述內部空間的氧氣濃度達到設定氧氣濃度。

承上所述，根據如上所述構成的本發明的用於高壓處理裝置的氣箱組件，用於將工藝氣體供給至處理腔室的供給模組和用於從腔室中排出處理後氣體的排氣模組安裝在殼體的內部空間，並具備填充模組以高於殼體的外部壓力的壓力向內部空間填充保護氣體，因此，外部空氣不會流入內部空間。結果，即使工藝氣體從供給模組或排氣模組洩漏到內部空間中，也可以在結構上消除洩漏的工藝氣體與外部空氣（氧氣）相遇而著火的可能性。

下面，將參照附圖詳細說明根據本發明的優選實施例的用於高壓處理裝置的氣箱組件。在本說明書中，即使不同的實施例，對相同或類似的結構標注相同或類似的附圖標記，並且用第一描述來代替該描述。

圖1是根據本發明的一實施例的用於高壓處理裝置的氣箱組件的概念示意圖。

參照圖1，用於高壓處理裝置的氣箱組件100是向高壓處理裝置HA供給氣體，並從該高壓處理裝置排出氣體的結構。

首先，對高壓處理裝置HA進行說明。高壓處理裝置HA被構成為具有內室IC和外室EC。

內室IC形成用於容納待處理物體的容納空間。內室IC可以由非金屬材料而製成，例如石英，以減少在高壓和高溫工作環境中的污染。儘管圖中被簡化，但在內室IC的下端具備用於打開所述容納空間的門（省略圖示）。當所述門下降時，所述容納空間被打開，並且，可以將所述物體以被放置在保持器（省略圖示）的狀態投入到內室IC。隨著配置在內室IC的外側的加熱器（省略圖示）運行，內室IC可被加熱到數百至數千℃。根據高溫工藝的工藝溫度，當使用氫氣作為投入內室IC的氣體時，氫氣可以被加熱到575℃以上，這是其燃點。所述物體可以是例如半導體基板。在此情況下，所述保持器可以是可將所述半導體基板堆疊多層的晶舟（wafer boat）。

外室EC形成為圍繞內室IC。與內室IC不同，外室EC不存在污染問題，因此，外室EC可以由金屬材料而製成。外室EC在下部也具備門，當內室IC的門被打開時，外室EC的門也可以一起下降並被打開。

下面，將說明氣箱組件100。氣箱組件100，可以包括：殼體110、供給模組120、排氣模組130、填充模組140、排放模組150、及感測模組160。

殼體110是具備內部空間111的結構。殼體110可具有大致呈長方體形狀的主體。殼體110可以具備門（省略圖示），該門允許工作人員接近內部空間111以更換/修理後述的供給模組120等。在內部空間111可以設置供給模組120及排氣模組130等。

供給模組120是將氣體供給至高壓處理裝置HA，具體地，供給至腔室（內室IC及外室EC）的結構。供給模組120可以與半導體工廠的公用管線（供氣管線）相連通。供給模組120可具有與內室IC相連通的第一供給管線121、及與外室EC相連通的第二供給管線125。

通過第一供給管線121可以向內室IC選擇性地供給用於處理物體的氣體，例如氫/氘、氟、氨、氯、氮等。通過第二供給管線125可以向外室EC供給惰性氣體，例如氮氣或氬氣。投入到外室EC的氣體具備供給到外室EC和內室IC之間的空間。投入到內室IC中的氫氣等和投入到外室EC中的氮氣都可以統稱為工藝氣體。這是因為通過這些氣體對物體進行高壓處理工藝。

供給到內室IC和外室EC的氣體可以以高於大氣壓的壓力供給，以形成例如達數氣壓至數十氣壓的高壓。當供給到內室IC的氣體的壓力為第一壓力，且供給到外室EC的氣體的壓力為第二壓力時，所述第二壓力可以與所述第一壓力相關聯設置。例如，所述第二壓力可被設定為與所述第一壓力基本相同或稍微大於第一壓力。這種壓力關係提供內室IC內的氣體不洩漏，並且內室IC不破壞的優點。

為了設置並維持所述第一壓力和所述第二壓力之間的關係，在第一供給管線121可以設置調整供給器122。調整供給器122可以在測量投入到內室IC中的氣體投入量後進行供給。例如，調整供給器122可以是測量氣體的流量之後計算投入量的品質流量控制器（MFC，Mass Flow controller）。在調整供給器122的後方可以設置開閉供給器123來執行對第一供給管線121的打開/關閉。在第二供給管線125可以設置開閉供給器127。與調整供給器122不同，開閉供給器127不測量流量，而基於外室EC的壓力來調整打開及關閉。

排氣模組130是從腔室IC及EC排出處理物體後產生的氣體。上述處理後產生的氣體可以是混合氣體，其中不僅混合有所述工藝氣體而且還混合有源自物體的顆粒等。另外，上述處理後產生的氣體由於高溫工藝而具有高溫，並且可以是例如溫度高於所述工藝氣體的燃點的氣體。排氣模組130可以與半導體工廠的公用管線（排氣管線）相連通。

排氣模組130可以具有用於從內室IC排出氣體的第一排氣管線131、以及用於從外室EC排出氣體的第二排氣管線135。第一排氣管線131與內室IC的上部相連通，並可以延伸到外室EC的外部。在第一排氣管線131可以設置排氣閥133。第二排氣管線135與外室EC相連通，並且在第二排氣管線可以設置排氣閥137。第二排氣管線135集成到第一排氣管線131。在這種情況下，沿著第一排氣管線131排出的氫氣等被沿著第二排氣管線135排出的氮氣等稀釋，而濃度降低。

填充模組140是用於向內部空間111充入保護氣體的結構。所述保護氣體可以是例如惰性氣體。所述惰性氣體可以包括例如氮氣或氬氣。

根據所述保護氣體的填充，具有內部空間111的壓力（第三壓力）與所述第一壓力和所述第二壓力不同的特徵。所述第三壓力高於殼體110的外部壓力（通常為大氣壓），但低於所述第一壓力和所述第二壓力。具體地，所述第三壓力是比所述第一壓力和所述第二壓力更偏向所述外部壓力的值，並且可以稍微高於大氣壓的水準。例如，所述第三壓力可以為比大氣壓高數十至數百Pa的壓力。所述第三壓力設定為能夠阻止外部空氣（氧氣）流入內部空間111的水準即可。

所述第三壓力還可以低於流經供給模組120的氣體（工藝氣體，具體地，用於處理物體的氣體）的壓力。在這種情況下，即使在位於內部空間111的供給模組120的氣體管線121、125中出現裂紋等，所述保護氣體也不會通過該裂紋流入內室IC。因此，即使所述裂紋等也不會發生破壞在內室IC中用於處理物體的氣體的設定成分。

排放模組150被構成為用於排出內部空間111中的氣體。內部空間111中的氣體主要是所述保護氣體，但也可以是所述工藝氣體的混合物。後者對應於在供給模組120或排氣模組130中發生工藝氣體洩漏的情況。

排放模組150具備與內部空間111相連通的排氣管道151。排氣管道151可以與半導體工廠的公用管線（排氣管線）相連通。在排氣管道151可以設置閘閥155。當需要排放內部空間111的氣體時，閘閥155可以在控制模組170（參見圖2）的控制下打開。

感測模組160可以具備壓力計161及氣體感測器165，以感測內部空間111的環境。壓力計161用於感測內部空間111內的氣壓。氣體感測器165用於感測洩漏到內部空間111中的所述工藝氣體（具體地，氫氣等的活性氣體），進而，感測從外部流入的氧氣等的氣體。

將參照圖2說明氣箱組件100的控制結構。圖2是用於說明圖1的用於高壓處理裝置的氣箱組件的控制結構的功能方塊圖。

參照圖2（以及圖1），氣箱組件100除了包括上述的供給模組120、排氣模組130、填充模組140等之外，還可以包括控制模組170及儲存模組180。

控制模組170是用於控制供給模組120、排氣模組130、填充模組140及排放模組150等的結構。控制模組170可以基於感測模組160的感測結果，來控制填充模組140及排放模組150等。

儲存模組180是用於存儲控制模組170為了控制而可以參考的資料、程式等的結構。

根據所述結構，控制模組170可以基於感測模組160的感測結果，向內部空間111填充所述保護氣體，或者根據所述工藝氣體的洩漏排放內部空間111的氣體。對於前者，控制模組170可以控制填充模組140，對於後者，控制模組170可以控制排放模組150。

控制模組170同時控制排放模組150及填充模組140，在排放內部空間111中的氣體時，允許向內部空間111投入所述保護氣體。因此，當所述工藝氣體洩漏到內部空間111中時，稀釋所述工藝氣體的濃度。所述保護氣體的投入還促進所述工藝氣體的排放。

控制模組170可以在排放內部空間111的氣體的同時，還可以排放高壓處理裝置HA的腔室的氣體。這是因為當由於氣體氣箱組件100的洩漏而出現問題時，無法進一步進行所述腔室中的處理。為了排出所述腔室的氣體，控制模組170可以控制排氣模組130。

將參照圖3至圖5說明上述氣箱組件100的其他形式。

首先，圖3是根據本發明的另一實施例的用於高壓處理裝置的氣箱組件的概念示意圖。

參照圖3，氣箱組件200與上述實施例的氣箱組件100大致相同，但是，區別在於提出了關於填充模組240的具體結構，並且增加了流入模組290。在圖3中將省略高壓處理裝置HA（參見圖1）的結構。

填充模組240具備與內部空間211相連通的調整管線241和旁路管線245，以向內部空間211供氣。調整管線241直接連接到半導體工廠的公用管線（供氣管線），並且旁路管線245可以從調整管線241分支。

在調整管線241可以設置氣體調整填充器242。氣體調整填充器242是在正常運行模式下向內部空間211供給所述保護氣體的結構。氣體調整填充器242負責調整所述保護氣體的供給流量，保持對內部空間211的設定壓力的功能。為此，可以基於壓力計261感測的壓力來控制氣體控制填充器242。

在旁路管線245可以設置緊急開閉填充器246。緊急開閉填充器246並非邊調整所述保護氣體的供給流量邊填充。其是在緊急運行模式（用於排放內部空間211中的氣體的模式）下以最大設定流量向內部空間211供給保護氣體的結構。其在正常運行模式下保持關閉狀態。通過向內部空間211供給大量的所述保護氣體，可以在以被稀釋的狀態更快地排出內部空間211內的洩漏氣體。

在調整管線241可以設置調整器243及手動閥244。調整器243可以調整從所述公用管線流入的所述保護氣體的流量，來改變所述最大設定流量。手動閥244是通過調整管線241控制所述保護氣體本身的流動的手動閥。

流入模組290是將外部空氣流入至內部空間211中的結構。具體地，流入模組290可以是在控制模組170（參見圖2）的控制下打開及關閉的風門。當排放模組150運行狀態下所述風門被打開時，外部空氣可以流入內部空間211。

將參照圖4及圖5說明根據上述結構的對內部空間211的氣體控制方式。

圖4是用於說明圖3的用於高壓處理裝置的氣箱組件的一控制方式的流程圖。

參照圖4（以及圖2及圖3），為了將所述保護氣體填充到內部空間211中或者從內部空間211排放所述保護氣體，通過壓力計261感測內部空間211的氣體的壓力（S1）。

控制模組170將感測到的壓力與對內部空間211設定的設定壓力進行比較（S2）。

若感測到的壓力小於設定壓力（S3），則控制模組170控制填充模組240額外地投入所述保護氣體（S4）。具體地，控制模組170使氣體調整填充器242運行，使得內部空間211中的壓力達到設定壓力。

若感測到的壓力與設定壓力相同（S5），則維持其狀態。在這種情況下，控制模組170不操作填充模組240。

若感測到的壓力超過設定壓力（S6），則控制模組170可以判斷氣體洩漏情況（S7）。這是因為隨著氣體從供給模組220和排氣模組230中的至少一個洩漏到內部空間211中，內部空間211內的壓力增加。回應於氣體洩漏，緊急開閉填充器246運行以將所述保護氣體以最大設定流量投入至內部空間211中。所述保護氣體的投入可以稀釋洩漏氣體的濃度（S8）。通過打開閘閥255，通過排氣管道251排出經稀釋的洩漏氣體（S9）。當內部空間211的氣體被排出時，內室IC和外室EC中的氣體也可以通過排氣管線231、235排出。

可以通過感測內部空間211中的氣體S10來進行氣體洩漏判斷（S7）、稀釋（S8）及排出（S9）。當氣體感測器265感測到所述工藝氣體時（S11），控制模組170判斷已發生氣體洩漏（S7）。在這種情況下，可以如上述依次進行稀釋（S8）及排出（S9）。

圖5是用於說明圖3的用於高壓處理裝置的氣箱組件的另一控制方式的流程圖。

參照圖5，氣體感測器265可以感測內部空間211中的氧氣濃度，以確定是否允許工作人員接近氣箱組件200進行維護（S21）。

若判斷感測到的氧氣濃度小於設定氧氣濃度（S23），則在內部空間211可以流入外部空氣（S25）。為此，控制模組170控制流入模組290打開所述風門。具體地，當閘閥255被打開而內部空間211變成負壓狀態時，隨著所述風門被打開而外部空氣流入壓力低於外部空氣的內部空間211。

若判斷內部空間211的氧氣濃度高於設定氧氣濃度（S23），則成為工作人員可以接近內部空間211的情況。控制模組170可以通知工作人員可以接近內部空間211（S27）。通知可以通過視覺或聽覺手段進行。

通過所述控制，在內部空間211發生氣體洩漏，而對高壓處理裝置HA的腔室和內部空間211完成氣體的排氣/排出之後，可根據內部空間211的氧氣濃度，成為允許工作人員接近內部空間211。在此過程中，通過確保適當的氧氣濃度，可以防止工作人員窒息等問題。

如上所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件不限於上述實施例的結構及操作方式。上述實施例可以被構成為可通過選擇性地組合每個實施例的全部或部分來進行各種變形。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

100、200:氣箱組件 110、210:殼體 111、211:內部空間 120、220:供給模組 121、221:第一供給管線 122、222:調整供給器 123、223、127、227:開閉供給器 125、225:第二供給管線 130、230:排氣模組 131:第一排氣管線 133、137、233、237:排氣閥 135:第二排氣管線 140、240:填充模組 150、250:排放模組 151、251:排氣管道 155、255:閘閥 160、260:感測模組 161、261:壓力計 165、265:氣體感測器 170:控制模組 180:儲存模組 231、235:排氣管線 241:調整管線 242:氣體調整填充器 243:調整器 244:手動閥 245:旁路管線 246:緊急開閉填充器 290:流入模組 EC:外室 HA:高壓處理裝置 IC:內室 S1～S11、S21～S27:步驟

圖1是根據本發明的一實施例的用於高壓處理裝置的氣箱組件的概念示意圖。 圖2是用於說明圖1的用於高壓處理裝置的氣箱組件的控制結構的功能方塊圖。 圖3是根據本發明的另一實施例的用於高壓處理裝置的氣箱組件的概念示意圖。 圖4是用於說明圖3的用於高壓處理裝置的氣箱組件的一控制方式的流程圖。 圖5是用於說明圖3的用於高壓處理裝置的氣箱組件的另一控制方式的流程圖。

100:氣箱組件

110:殼體

111:內部空間

120:供給模組

121:第一供給管線

122:調整供給器

123、127:開閉供給器

125:第二供給管線

130:排氣模組

131:第一排氣管線

133、137:排氣閥

135:第二排氣管線

140:填充模組

150:排放模組

151:排氣管道

155:閘閥

160:感測模組

161:壓力計

165:氣體感測器

EC:外室

HA:高壓處理裝置

IC:內室

Claims (15)

1. 一種用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，包括： 殼體，具備內部空間； 供給模組，被構成為配置在所述內部空間內，用於向高壓處理裝置的腔室供給工藝氣體； 排氣模組，被構成為用於排出處理所述腔室中的物體之後產生的氣體；以及 填充模組，被構成為用於向所述內部空間以高於所述殼體的外部壓力的壓力填充保護氣體，從而，阻止外部空氣流入所述內部空間。
2. 如請求項1所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，根據所述保護氣體的填充而在所述內部空間產生的壓力為比供給所述工藝氣體而在所述腔室產生的壓力更偏向所述外部壓力的值。
3. 如請求項1所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，根據所述保護氣體的填充而在所述內部空間產生的壓力為低於流在所述供給模組內的所述工藝氣體的壓力的值。
4. 如請求項1所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，還包括： 感測模組，用於感測所述內部空間的環境；以及 控制模組，被構成為用於控制所述填充模組， 其中，所述控制模組根據所述感測模組的感測結果來控制所述填充模組。
5. 如請求項4所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，所述感測模組包括壓力計，所述控制模組控制所述填充模組，使得當所述壓力計感測到的所述內部空間的壓力小於設定壓力時，填充所述保護氣體，使所述內部空間達到所述設定壓力。
6. 如請求項1所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，還包括： 感測模組，用於感測所述內部空間的環境； 排放模組，被構成為用於排出所述內部空間的氣體；以及 控制模組，被構成為用於控制所述排放模組， 其中，所述控制模組被構成為當根據所述感測模組的感測結果判斷從所述供給模組和所述排氣模組中的至少一個到所述內部空間已發生氣體洩漏時，使所述排放模組運行。
7. 如請求項6所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，所述控制模組控制所述填充模組，使得在排出所述內部空間的氣體的過程中，向所述內部空間填充所述保護氣體以稀釋所述氣體。
8. 如請求項7所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，所述填充模組包括氣體調整填充器，所述氣體調整填充器被構成為將所述保護氣體調整流量填充到所述內部空間。
9. 如請求項7所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，所述填充模組包括緊急開閉填充器，所述緊急開閉填充器被構成為在所述氣體的排放過程中以最大設定流量向所述內部空間內充入所述保護氣體。
10. 如請求項6所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，所述感測模組包括壓力計及氣體感測器中的至少一個， 其中，當所述壓力計感測到的所述內部空間的壓力超過設定壓力或者所述氣體感測器感測到所述工藝氣體時，所述控制模組判斷為發生了所述氣體洩漏。
11. 如請求項1所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，還包括： 感測模組，用於感測所述內部空間的環境； 流入模組，被構成為將所述外部空氣流入所述內部空間；以及 控制模組，被構成為用於控制所述流入模組， 其中，所述控制模組根據通過所述感測模組感測到的所述內部空間的氧氣濃度來運行所述流入模組，以控制所述內部空間的氧氣濃度達到設定氧氣濃度。
12. 如請求項1所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，所述物體包括半導體基板，所述工藝氣體包括氫氣、氘氣、氟氣、氨氣及氯氣中的至少一種，所述保護氣體包括惰性氣體。
13. 一種用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，包括： 殼體，具備內部空間； 排氣模組，配置在所述內部空間，用於排出在高壓處理裝置的腔室中以高於所述處理工藝氣體的燃點的溫度處理物體時產生的氣體；以及 填充模組，被構成為將保護氣體以高於所述殼體的外部壓力的壓力充入所述內部空間，從而，阻止外部空氣流入所述內部空間。
14. 如請求項13所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，還包括： 感測模組，用於感測所述內部空間的環境； 排放模組，被構成為用於排放所述內部空間的氣體；以及 控制模組，被構成為用於控制所述排放模組， 其中，所述控制模組被構成為當根據所述感測模組的感測結果判斷為已發生從所述排氣模組到所述內部空間的氣體洩漏時，使所述排放模組運行。
15. 如請求項13所述的用於高壓處理裝置的氣箱組件，其中，還包括： 感測模組，用於感測所述內部空間的環境； 流入模組，被構成為將所述外部空氣流入至所述內部空間；以及 控制模組，被構成為用於控制所述流入模組， 其中，所述控制模組根據通過所述感測模組感測到的所述內部空間的氧氣濃度來運行所述流入模組，以控制所述內部空間的氧氣濃度達到設定氧氣濃度。