JP5386024B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハやガラス基板等の基板の表面を酸化する等の基板処理を行う基板処理装置及びそのような基板処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法に関する。

この種の基板処理装置及び基板処理方法に用いられる技術であって、基板を処理する処理室と、処理室内に反応ガスを供給する供給ラインと、処理室内を排気する排気ラインとを有する技術が知られている。

特開２００３−４５８６７号公報

しかしながら、従来、例えば基板の表面を熱酸化するような処理を行う工程では、処理室内部の圧力と処理室外部の圧力との差圧を測定し、この測定結果に基づいて処理室内の圧力を制御していた。このため、例えば気候の変化等によって処理室外部の圧力が変化すると、この変化に伴って処理室内部の圧力も変化してしまい、処理室内の圧力を一定に保つことが難しかった。例えば熱酸化処理における酸化膜厚にバラツキが生じる等、良好な基板処理がなされないことがある等との問題点があった。

本発明は、処理室内の圧力が一定に保たれないことを原因とする基板処理不良を生じにくくし、より良好な基板処理を可能とする基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に反応ガス供給部から反応ガスを供給する反応ガス供給ラインと、前記処理室内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに設けられ前記処理室内の圧力を調整する圧力調整弁と、前記処理室内部の圧力を測定する第１の圧力測定器と、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定する第２の圧力測定器と、基板を処理する際に、前記第１の圧力測定器により測定された前記処理室内部の圧力の値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御すると共に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に前記反応ガスの前記処理室内への供給を可能とするように前記反応ガス供給部を制御するコントローラとを有する基板処理装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、警告を発生させる警告装置をさらに有し、前記コントローラは、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に警告を発生させるように前記警告装置をさらに制御する基板処理装置が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給ラインと、前記処理室内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに設けられ前記処理室内の圧力を調整する圧力調整弁と、前記処理室内部の圧力を測定する第１の圧力測定器と、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定する第２の圧力測定器と、警告を発生させる警告装置と、基板を処理する際に、前記第１の圧力測定器により測定された前記処理室内部の圧力の値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御すると共に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に警告を発生させるように前記警告装置を制御するコントローラとを有する基板処理装置が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程とを有し、前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給するようにする基板処理方法が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程とを有し、前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に、警告を発生させるようにする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程とを有し、前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給するようにする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明にかかる第２の半導体装置の製造方法は、基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程とを有し、前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に、警告を発生させるようにする。

本発明によれば、処理室内の圧力が一定に保たれないことを原因とする基板処理不良を生じにくくし、より良好な基板処理を可能とする基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。 本発明の実施形態に用いられる反応ガス供給装置の構成を示す説明図であり、（ａ）は、水素ガス及び酸素ガスの混合ガスを燃焼することにより得られた水蒸気ガスを供給する構成を説明する説明図であり、（ｂ）は、窒素ガス、塩化水素、ダイクロールエチレンからなる群より選択された少なくとも一種類以上のガスと酸素の混合ガスを供給する構成を説明する図であり、（ｃ）は、窒素ガス、塩化水素、ダイクロールエチレンからなる群より選択された少なくとも一種類以上のガスと、酸素および水素の混合ガスを供給する構成を示す図である。 本発明の実施形態に用いられる圧力制御装置の構成を示す説明図である。 本発明の実施形態に用いられるコントローラを示すブロック図である。 本発明の実施形態に用いられるコントローラの制御フローを示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を用いて酸化処理を行った場合における基板に形成された酸化膜の膜厚と大気圧との関係を示すグラフである。 比較例に係る基板処理装置を用いて酸化処理を行った場合における基板に形成された酸化膜の膜厚と大気圧の関係を示すグラフである。

次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０が示されている。基板処理装置１０は、バッチ式の縦型半導体製造装置であって、基板に熱酸化等の処理を施す反応炉１２を有する。反応炉１２は、例えば石英製の、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である反応管１４を有し、反応管１４によって処理室１６が形成されている。

処理室１６には、基板保持具として用いられるボート１８が挿入されている。ボート１８は、例えば石英又は炭化珪素製であり、基板として用いられるシリコンからなるウエハ２０を、略水平姿勢で、かつ互いに中心を揃えた状態で隙間(基板ピッチ間隔)を持って複数段に保持するように構成されている。

ボート１８は、断熱部材として用いられる円筒形状の断熱キャップ２４により支持されている。断熱キャップ２４は、例えば石英又は炭化珪素製であり後述するヒータ３０からの熱が下方に伝わりにくくなるように構成されている。断熱キャップ２４には回転軸２６が装着されていて、回転軸２６は後述するシールキャップ２２を貫通して、回転手段（回転機構）として用いられる例えばモータ等の駆動源を有する回転装置２８に連結されている。回転装置２８は、後述するシールキャップ２２に取り付けられている。したがって、回転装置２８からの回転駆動が回転軸２６を介して断熱キャップ２４に伝達され、断熱キャップ２４、ボート１８、及びボート１８に保持されたウエハ２０が回転する。

反応管１４の重力方向（鉛直方向）下方下端には、開放部が形成されていて、この開放部から反応管１４内にボート１８が挿入される。反応管１４の開放部には、蓋体として用いられるシールキャップ２２が重力方向下方から装着され、シールキャップ２２によって反応管１４が密閉される構造となっている。シールキャップ２２は、反応管１４の外部に垂直に設けられ、昇降機構として用いられるボートエレベータ４０によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート１８を処理室１６に対し搬入搬出することが可能となっている。このように、ボートエレベータ４０によりシールキャップ２２が上昇し、シールキャップ２２が反応管１４に当接すると処理室１６は密閉された状態となり、ボートエレベータ４０によりシールキャップ２２が下降し、シールキャップ２２が反応管１４から離間すると、反応室１６の密閉状態は解除される。このように、ボートエレベータ４０、及びシールキャップ２２は、処理室１６を密閉する密閉装置として用いられるとともに、処理室１６の密閉状態を解除する解除装置としても用いられている。

反応管１４の周辺には、ウエハ２０を加熱する加熱手段（加熱機構）として用いられるヒータ３０が反応管１４と同心円状に配置されている。反応管１４とヒータ３０との間には、温度検出手段（温度検出器）として用いられる温度センサ３２が配置されている。

反応管１４の上部には、シャワーヘッド３４が取り付けられていて、シャワーヘッド３４には、例えばパイプ部材等からなる供給ライン３６が連結されている。この供給ライン３６のシャワーヘッド３４が連結されている側と逆側には、反応ガス供給装置３８が取り付けられている。したがって、反応ガス供給装置３８から供給された反応ガスが供給ライン３６を介してシャワーヘッド３４へと到達し、シャワーヘッド３４に到達した反応ガスが、シャワーヘッド３４で分散されるようにして処理室１６内に供給される。反応ガス供給装置３８の詳細については後述する。

反応管１４には、例えばパイプ部材等からなり、処理室１６内を排気する排気ライン４２が取り付けられている。排気ライン４２の反応管１４と逆側には、処理室１６内の圧力を制御する制御手段（圧力制御器）として用いられる圧力制御装置１００が取り付けられている。圧力制御装置１００の詳細については後述する。

図２には、反応ガス供給装置３８が示されている。
図２（ａ）において、反応ガス供給装置３８は、外部燃焼装置等の燃焼装置４６を有している。燃焼装置４６は、供給ライン３６によってシャワーヘッド３４を介して処理室１６（図１参照）に接続されている。燃焼装置４６には、例えばパイプ部材等からなる酸素ガス供給ライン４８を介して、例えば酸素タンクからなる酸素ガス源５０が接続されている。酸素ガス供給ライン４８の燃焼装置４６と酸素ガス源５０との間の位置には、酸素ガス源５０の側から順に、電磁バルブ５２とマスフローコントローラ５４とが設けられている。電磁バルブ５２は燃焼装置４６への酸素の供給／停止を制御するための開閉バルブとして用いられ、マスフローコントローラ５４は、燃焼装置４６に供給する酸素の流量を調整するための流量制御器として用いられる。

また、燃焼装置４６には、例えばパイプ部材等からなる水素ガス供給ライン５６を介して、例えば水素タンクからなる水素ガス源５８が接続されている。水素ガス供給ライン５６の燃焼装置４６と水素ガス源５８との間の位置には、水素ガス源５８の側から順に、電磁バルブ６０とマスフローコントローラ６２とが設けられている。電磁バルブ６０は燃焼装置４６への水素の供給／停止を制御するために用いられ、マスフローコントローラ６２は、燃焼装置４６に供給する水素の流量を調整するために用いられている。

燃焼装置４６には、マスフローコントローラ５４、６２を制御することによって、所定のガス比率で酸素ガス源５０及び水素ガス源５８から酸素及び水素が供給される。そして、燃焼装置４６は、酸素及び水素を燃焼させることにより生じた水蒸気ガスを、供給ライン３６及びシャワーヘッド３４（図１参照）を介して処理室１６（図１参照）に供給する。なお、このとき燃焼により消費されなかった酸素も供給ライン３６及びシャワーヘッド３４を介して処理室１６に供給される。また、必要に応じて希釈用の窒素も供給ライン３６及びシャワーヘッド３４を介して処理室１６に供給される。

この実施形態では、反応ガス供給装置３８として、水素ガス（Ｈ２）及び酸素ガス（Ｏ２）の混合ガスを燃焼装置４６で燃焼することにより得られた水蒸気ガス（Ｈ２Ｏ）を供給する構成を用いているが、これに替えて、図２（ｂ）に示すように反応ガス供給装置３８を、窒素ガス（Ｎ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、ダイクロールエチレン（Ｃ２Ｈ２Ｃｌ２（略称ＤＣＥ）からなる群より選択された少なくとも一種類以上のガスと酸素の混合ガスを供給するように構成してもよい。また、図２（ｃ）に示すように、反応ガス供給装置３８を、窒素ガス（Ｎ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、ダイクロールエチレン（Ｃ２Ｈ２Ｃｌ２）からなる群より選択された少なくとも一種類以上のガスと、酸素（Ｏ２）および水素（Ｈ２）の混合ガスを供給するように構成してもよい。なお、図２（ｂ）、図２（ｃ）において、５０ａ、５２ａ、５４ａは、それぞれ窒素ガス（Ｎ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、又はダイクロールエチレン（Ｃ２Ｈ２Ｃｌ２）ガス源、電磁バルブ、マスフローコントローラを示している。また、反応ガス供給装置３８として、酸素ガスを単体で供給するように構成しても良い。

図３には、圧力制御装置１００及び圧力制御装置１００の周囲の構成が示されている。圧力制御装置１００は、第２の圧力測定器として用いられる相対圧計１１３を有する。相対圧計１１３は、電磁弁１１５を介して排気ライン４２に取り付けられていて、処理室１６内部の圧力と処理室１６外部の圧力との差圧を測定する。電磁弁１１５は、通常は開状態として用いられるが、例えばＨＣｌ等の腐食性ガスを反応ガスとして用いる場合に閉状態とされる。電磁弁１１５が閉状態とされることで、腐食性ガスが相対圧計１１３に供給されないようになり、相対圧計１１３が腐食によって破損することが防止される。このように、腐食性ガスを用いる場合、相対圧計１１３と排気ライン４２との間に設けられた電磁弁１１５を閉じることで、相対圧計１１３が腐食性ガスと接触しないようになり、相対圧計１１３が腐食により破損するのを防止できる。なお、相対圧計１１３として耐腐食性のものを用いれば、相対圧計１１３と排気ライン４２との間に設けられた電磁弁１１５を閉じる必要がなくなり、腐食性ガスを用いる場合でも、常時、処理室１６内部の圧力と処理室１６外部の圧力との差圧をモニタできるようになる。

排気ライン４２の相対圧計１１３が取り付けられた位置と処理室１６に接続された位置との間の位置には、ガスクーラ１１４が取り付けられている。ガスクーラ１１４は、処理室１６から排出された反応ガス（水蒸気）を冷却する冷却手段（冷却機構）として用いられ、冷却水を使って反応ガスを冷却することで、反応ガスを結露させる。ガスクーラ１１４による冷却によって結露しなかった反応ガスや酸素ガス等の未反応ガスや窒素ガスは、後述するポンプ１０２によって装置外へと排出される。

排気ライン４２のガスクーラ１１４が取り付けられた位置よりも下流側であって、相対圧計１１３が取り付けられた位置よりも上流側の位置には、ドレインライン１１６が接続されている。ドレインライン１１６は、例えばパイプ部材等からなり、ガスクーラ１１４で反応ガスを結露させることで生じた水分を排出するために用いられる。ドレインライン１１６は、電磁弁１１８を介してドレインタンク１２０に接続されている。ドレインタンク１２０には、ガスクーラ１１４で反応ガスが結露したことにより生じた水分がドレインライン１１６を介して流入し、この流入した水分が蓄えられる。ドレインタンク１２０には、例えばドレインタンク１２０よりも重力方向下方に位置するように排出ライン１２１が接続され、排出ライン１２１には、電磁弁１２２が取り付けられている。電磁弁１２２を閉状態とすることで、ドレインタンク１２０内に排水される水分を蓄えることができ、電磁弁１２２を開状態とすることで、ドレインタンク１２０内に蓄えられた水分が装置外へと排出される。なお、ドレインタンク１２０内に蓄えられた水分の装置外への排出は、ウエハの酸化処理後、処理室１６内の圧力が大気圧に戻った後に、電磁弁１１８を閉とし、電磁弁１２２を開とすることで行う。

排気ライン４２のガスクーラ１１４が取り付けられた位置と処理室１６との間の位置には、例えばパイプ部材等からなる大気圧ベントライン１２４が取りけられている。大気圧ベントライン１２４は、電磁弁１２６を介して排気ライン４２のガスクーラ１１４よりも上流側と、排気ライン４２のポンプ１０２よりも下流側を連通させている。相対圧計１１３により処理室１６の内部の圧力が外部の圧力に対して陽圧と測定された場合、電磁弁１２６を開状態とすることで、大気圧ベントライン１２４より反応室１６内の圧力を開放して、反応室１６内が過加圧とならないようにする。なお、大気圧ベントライン１２４の上流端は、排気ライン４２のガスクーラ１１４の後段（ガスクーラ１１４よりも下流側）、例えばドレインライン１１６の電磁弁１１８よりも上流側に接続するようにしてもよい。このようにすれば、大気圧ベントライン１２４を用いて排気する際に、大気圧ベントライン１２４から排出される加熱ガスの温度を下げることができ、大気圧ベントライン１２４、排気ライン４２の大気圧ベントライン１２４の下流端との接続部付近およびそれよりも下流側における排気ライン４２等を構成する部材の加熱ガスによる悪影響を防止することができる。

以上のような相対圧計１１３のみを有する基板処理装置１０でウエハ２０に酸化膜を形成する際には、相対圧計１１３で処理室１６内部の圧力と処理室１６外部の圧力との差圧が計測される。そして、計測の結果に基づき、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも常に一定の値だけ低くなるようにする。また、排気ライン４２内の圧力が処理室１６内の圧力より常に低くなるようにする。このように、処理室１６内部の圧力を処理室１６外部の圧力より低くすることで、処理室１６内の反応ガスが、処理室１６内から処理室１６外へ漏洩しにくくなる。また、このように、排気ライン４２内の圧力を処理室１６内部の圧力より低くすることで、排気ライン４２側から処理室１６にガスが逆流することが防止され、処理室１６での安定した酸化処理が実現される。

相対圧計１１３のみを有する基板処理装置１０では、以上のように相対圧計１１３による計測結果に基づいて処理室１６内の圧力を調整する。しかしながら、処理室１６内部の圧力と処理室１６外部の圧力との差が一定となるように処理室１６の内圧を調整しているために、例えば、気候の変化等による大気圧の変化によって処理室１６外部の圧力が変動すると、この変化に基づいて処理室１６内部の圧力も変化してしまう。そして、処理室１６内の圧力の変化によって、ウエハ２０に形成される酸化膜の厚さにバラツキが生じてしまうという問題がある。このような場合、酸化処理時間を調整するなどして膜厚を調整する必要がある。

そこで、この実施形態に係る基板処理装置１０では、処理室１６内部の圧力を測定する構成や処理室１６内部の圧力の測定結果に基づいた基板処理装置１０の制御を工夫することで、処理室１６内部の圧力が一定に保たれないことを原因とする酸化膜の膜厚のバラツキを生じにくくしている。また、この実施形態に係る基板処理装置では、処理室１６内部の圧力を測定する構成や、処理室１６内部の圧力の測定結果に基づいた基板処理装置１０の制御を工夫することで、処理室１６からガスが漏洩しにくくなるようにしている。

図３に示されるように、排気ライン４２の相対圧計１１３が取り付けられた位置よりも下流の位置には、排気手段（排気装置）として用いられ、処理室１６内を排気するポンプ１０２が設けられている。ポンプ１０２は、例えば真空ポンプからなり、内部にベンチュリー管を有する。ベンチュリー管には、ベンチュリー管に流体を供給する流体供給手段として用いられる窒素ガス源１０６が、例えばパイプ部材等からなる窒素供給ライン１０８を介して接続されている。窒素供給ライン１０８の窒素ガス源１０６とポンプ１０２との間には、窒素ガス源１０６の側から順にレギュレータ１１０と電磁弁１１２とが設けられている。

レギュレータ１１０を用いてポンプ１０２のベンチュリー管に供給される窒素ガスの圧力を一定圧に調整することにより窒素ガスの流量を調整し、処理室１６より引き込まれる排気ガスの排気流量を制御することで、処理室１６内の圧力を大気圧より低くすることが可能となっている。

排気ライン４２の相対圧計１１３が取り付けられた位置よりも下流の位置であって、ポンプ１０２が取り付けられた位置よりも上流の位置には、絶対圧制御装置１３０が取り付けられている。絶対圧制御装置１３０は、第１の圧力測定器として用いられ、処理室１６内の圧力を測定する絶対圧計１３２を有している。絶対圧計１３２の圧力測定ポイントは、相対圧計１１３の圧力測定ポイント近傍に位置している。

なお、上述のように、相対圧計１１３は、処理室１６内部の圧力と、処理室１６外部の圧力との差圧を測定するものだが、正確には、処理室１６内部を排気したときの排気ライン４２内の排気圧と、処理室１６外部の大気圧との差圧（相対圧）を測定している。また、絶対圧計１３２は、処理室１６内部の圧力を測定するものだが、正確には、処理室１６内部を排気したときの排気ライン４２内の排気圧（絶対圧）を測定している。ここで、処理室１６内と排気ライン４２内の圧力測定ポイントとの間には、ガスクーラ１１４等が設けられることで圧損が生じ、５０〜１００Ｐａ程度の圧力差があると考えられる。よって、処理室１６内の圧力は、排気ライン４２内の圧力測定ポイントの圧力よりもガスクーラ１１４等による圧損の分だけ若干高くなるものと考えられ、処理室１６内の圧力制御は、これを考慮して行っている。

絶対圧制御装置１３０は、窒素供給ライン１３４、窒素供給ライン１０８を介して先述の窒素ガス源１０６に接続されている。すなわち、窒素供給ライン１０８の電磁弁１１２よりもポンプ１０２側の位置から窒素供給ライン１３４が分岐していて、この窒素供給ライン１３４によって、絶対圧制御装置１３０と窒素ガス源１０６とが接続されている。窒素供給ライン１３４には、レギュレータ１３６が設けられており、絶対圧制御装置１３０に供給される窒素ガスの圧力を一定圧に調整することにより窒素ガスの流量を調整する。窒素ガス源１０６から絶対圧制御装置１３０へ供給される窒素ガスは、絶対圧制御装置１３０内に設けられ、処理室１６の圧力を調整する圧力調整弁１３３の駆動に用いられる。

図４には、基板処理装置１０が有するコントローラ２００が示されている。コントローラ２００は、制御回路２０２を有し、制御回路２０２は、温度制御部２０４、供給制御部２０６、圧力制御部２０８、駆動制御部２１０、及び警告発生部２３０を有している。また、制御回路２０２は、温度制御部２０４、供給制御部２０６、圧力制御部２０８、駆動制御部２１０、及び警告発生部２３０を制御する主制御部２１２を有している。制御回路２０２には、温度センサ３２、相対圧計１１３、絶対圧計１３２からの信号が入力される。そして、制御回路２０２からの出力によりヒータ３０、反応ガス供給装置３８、圧力制御装置１００、回転装置２８、ボートエレベータ４０、及び警告装置２３１が制御される。

次に上記構成に係る基板処理装置１０を用いて半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程としてウエハ２０に酸化処理を施す方法について説明する。なお、以下の説明において基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２００により制御される。図５には、コントローラ２００による基板への酸化処理における制御フローが示されている。まずステップＳ１０において、コントローラ２００は、ボートエレベータ４０を制御して、複数枚のウエハ２０を保持したボート１８を処理室１６内へと持ち上げさせることで、ウエハ２０を処理室１６へと搬入（ロード）させる。ウエハ２０の処理室１６への搬入が完了した時点において、反応管１４はシールキャップ２２によって密閉された状態となる。

次のステップＳ１２において、コントローラ２００は、圧力制御装置１００を制御して処理室１６内部の圧力が一定に保たれるようにする。すなわち、コントローラ２００は、ポンプ１０２で処理室１６内を真空排気しつつ、その排気圧を絶対圧計１３２により測定し、絶対圧計１３２から入力される信号に基づいて圧力調整弁１３３をフィードバック制御することで、処理室１６から排出される排気ガスの流量を制御し、処理室１６内部の圧力を制御する。なお、この処理室１６内の圧力制御と並行して、コントローラ２００は、相対圧計１１３から入力される信号に基づいて、後述するような制御を行う。

ステップＳ１２による圧力制御では、処理室１６内部の圧力が、年間の大気変動における最低気圧よりも少し低い圧力となるように制御がなされる。具体的には、処理室１６の内部は、大気圧よりも少し低い圧力（微減圧）である１０００ｈPａ（ヘクトパスカル）以下となるように制御がなされる。また、処理室１６の内部は、石英からなる反応管１４の破損が生じないように８００ｈＰａ以上となるように制御される。
なお、本発明の実施形態で対象としている装置は、もともと大気圧近傍の圧力で使用することを想定しており、８００ｈＰａ未満の圧力とすると反応管が破損することが考えられる。この点、反応管天井に丸みをつけ応力を分散する等した減圧対応のＣＶＤ用反応管とは異なる。よって、本実施形態では、処理室１６の内部の圧力は、８００ｈＰａ以上となるように制御するようにしている。すなわち、処理室１６の内部が、８００乃至１０００ｈＰａの圧力範囲内となるように制御がなされる。

また、処理室１６の内部は９００乃至９８０ｈＰａの圧力範囲となるように制御されることが望ましい。処理室１６の内部が９００乃至９８０ｈＰａとなるように制御することで、本実施形態のような水素、酸素の着火、燃焼反応を伴う酸化、すなわちパイロジェニック酸化において、燃焼装置４６での燃焼を良好に継続させることが可能となる。

このように、コントローラ２００は、処理室１６内部の圧力と処理室１６外部の圧力との差圧、すなわち相対圧ではなく、処理室１６内部の圧力、すなわち、絶対圧に基づいて処理室１６内の圧力を一定に保つように制御するため、例えば気候の変化等によって処理室１６外部の圧力が変化しても、その影響を受けることはなく、処理室１６内部の圧力変化は生じない。よって、処理室１６内の圧力が一定に保たれない場合に生じる、形成される膜の膜厚のバラツキは生じなくなる。このため、酸化処理時間を調整することで膜厚を調整する必要がなくなり、酸化時間を一定とすることができる。これにより、酸化時間がバッチ毎に異なる場合にウエハ２０にかかる熱履歴が変化し、不純物の拡散長が変化することで、ウエハ２０中における不純物の再配列に僅かな違いが生じることを防止することができる。なお、上記反応室１６内部の圧力制御は、ステップＳ２０でウエハ２０の回転が停止するまでの間、継続して行われる。

次のステップＳ１４において、コントローラ２００は温度センサ３２からの信号に基づいてヒータ３０をフィードバック制御して、処理室１６内の温度が略一定に保たれるようにする。

次のステップＳ１６において、コントローラ２００は、回転装置２８を制御して、処理室１６内に配置されたウエハ２０の回転を開始させる。

次のステップＳ１８において、コントローラ２００は、反応ガス供給装置３８を制御して、反応ガス供給装置３８に処理室１６への反応ガスの供給を行わせる。すなわち、コントローラ２００は、マスフローコントローラ５４、６２を制御することで、酸素及び水素を所望の比率で燃焼装置４６へと供給させ、燃焼装置４６から処理室１６へ水蒸気を供給させる。なお、このとき、燃焼により消費されなかった酸素も処理室１６内へ供給される。また、必要に応じて希釈用の窒素も処理室１６内へ供給される。処理室１６に供給された水蒸気や酸素は、シャワーヘッド３４によって拡散された状態でウエハ２０の表面に到達し、ウエハ２０の表面に酸化膜を形成させる。

次のステップＳ２０で、コントローラ２００は、反応ガス供給装置３８を制御して、処理室１６への反応ガスの供給を停止させ、回転装置２８を制御してウエハ２０の回転を停止させる。その後、処理室１６に窒素を供給して、処理室１６内をパージした後、処理室１６内を大気圧に戻す。なお、このとき相対圧計１１３で処理室１６内部の圧力と処理室１６外部の圧力との差圧を検知しつつ、処理室１６内を大気圧に戻す。

次のステップＳ２２で、コントローラ２００はボートエレベータ４０を制御してボート１８に支持された状態の酸化処理が終了したウエハ２０を処理室１６から搬出（アンロード）させる。なお、ステップＳ２２において、相対圧計１１３から処理室１６内外の圧力差が予め定められた値以上、すなわち許容範囲外であるとの信号が入力されていた場合、コントローラ２００は、ボートエレベータ４０の駆動を禁止し、処理室１６からウエハ２０を搬出できないようにする。すなわち処理室１６の密閉状態の解除を禁止する。そして、相対圧計１１３から処理室１６内外の圧力差が予め定められた値未満、すなわち許容範囲内であるとの信号が入力された場合にのみ、コントローラ２００は、ボートエレベータ４０の駆動を許可し、処理室１６からのウエハ２０の搬出を可能とする。すなわち、処理室１６の密閉状態の解除を許可する。この制御によって、処理室１６内外に圧力差がある場合に、ウエハ２０を処理室１６から取り出す際に、処理室１６内の圧力が急激に変化することで、ボート１８が破損したり、パーティクルが発生したりしにくくなる。

ステップＳ１８の反応ガス供給工程において、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも高圧となる場合には、処理室１６内が加圧状態となり、ガス漏洩を起こす危険が生じる。そこで、ステップＳ１２で処理室１６の圧力の調整がなされてから、ステップＳ２０でウエハ２０の回転が停止されるまでの基板処理工程において、相対圧計１１３から、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも高圧であるとの信号が入力されると、コントローラ２００は、電磁バルブ５２及び電磁バルブ６０が閉状態の場合は、これを開状態とできないようにし、処理室１６への水蒸気の供給を行えないようにする。また、電磁バルブ５２及び電磁バルブ６０がすでに開状態の場合は、これらを閉状態とし、処理室１６への水蒸気の供給を停止させることで、基板処理を停止させる。一方、ステップＳ１２からステップＳ２０までの基板処理工程において、相対圧計１１３から処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも低圧であるとの信号が入力さている限り、コントローラ２００は、電磁バルブ５２及び電磁バルブ６０を開状態とすることができる状態に保ち、反応ガス供給装置３８から処理室１６への反応ガスの供給を可能な状態とする。

以上のように、本実施形態における基板処理装置１０では、相対圧計１１３を用いて処理室１６内外の圧力差をモニターすることで、処理室１６内部が、外部に対して陰圧である場合にのみ、反応ガスの供給を可能にするといった具合に、相対圧計１１３をインターロックのトリガーとして使用している。なお、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも高圧になるケースとしては、大気圧変動等により大気圧が急激に低下して処理室１６内の圧力を下回るケースが挙げられる。

なお、本実施形態では、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも高圧となった場合に、反応ガスである水蒸気の処理室１６内への供給を行えないようにした。しかしながら、水蒸気には毒性がなく、たとえ水蒸気が処理室１６内部から外部に多少リークしたとしても害はない。よって、水蒸気のように毒性のないガスを用いる場合においては、たとえ、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも高圧となっても反応ガスの処理室１６内への供給を行えないようにしなくてもよい。
これに対して、ＮＯ、ＮＯＸ、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＤＣＥ、ＨＣｌ等の腐食性、毒性のあるガスを用いる場合は、処理室１６内部から外部へのリークを確実に防止する必要があり、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも高圧となった場合に、反応ガスの処理室１６内への供給を行えないようにすることが必須となる。

また、ステップＳ１２からステップＳ２０までの基板処理工程において、相対圧計１１３から、処理室１６内部の圧力が処理室１６外部の圧力よりも高圧であるとの信号が入力された場合に、コントローラ２００が警告発生部２３０を制御して、警告装置２３１に警告を発生させるようにしても良い。警告装置２３１としては、例えば警告音を発する発音装置や、警告光を発する発光装置等を用いることができる。

図６には、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を用いて酸化処理を行った場合における、処理室１６外部の圧力と、ウエハ２０に形成された酸化膜の膜厚との関係が示されている。横軸は処理室１６外部の圧力（ｈPａ）、縦軸はウエハに形成される膜の膜厚（Å）を示している。図６の横軸に条件Ａ（Ａ１、Ａ２、Ａ３）と示される３個のデータは、処理室１６外部の圧力が１００６．８ｈＰａである場合のウエハ２００に形成された膜の膜厚を示し、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、それぞれ処理室１６の上部、中央部、下部に配置されたウエハ２０に形成された膜の膜厚を示している。

同様に、条件Ｂ（Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３）と示されるデータは処理室１６外部の圧力が１００３．０ｈＰａである場合に、ウエハ２０に形成された膜の膜厚を示し、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３は、それぞれ処理室１６の上部、中央部、下部に配置されたウエハ２０に形成された膜の膜厚を示している。また、同様に、条件Ｃ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）と示されるデータは処理室１６外部の圧力が９９３．７ｈＰａである場合に、ウエハ２０に形成された膜の膜厚を示し、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は、それぞれ処理室１６の上部、中央部、下部に配置されたウエハ２０に形成された膜の膜厚を示している。なお、横軸の処理室外部圧力は、大気圧の変動を示している。

図６に示されるデータから分かるように、処理室１６外部の圧力、すなわち大気圧が変動しても、各データ間、すなわちバッチ間における膜厚変動は０．１７パーセントにとどまっている。

図７には、比較例に係る基板処理装置を用いて基板処理を行った場合における処理室１６外部の圧力と、ウエハ２０に形成された酸化膜の膜厚との関係が示されている。右側の縦軸は、処理室外部の圧力（mmHｇ）を、左側の縦軸はウエハに形成される膜の膜厚（Å）を示している。実施形態に係る基板処理装置１０では、相対圧計１１３による測定結果を踏まえつつ、絶対圧計１３２による測定結果に基づいて処理室１６内部の圧力が制御されたのに対して、比較例に係る基板処理装置では、相対圧計１１３の測定結果のみに基づいて処理室１６の圧力制御を行っている。すなわち、相対圧計１１３の測定結果に基づき、処理室１６内部の圧力が、処理室１６外部の圧力よりも一定の値だけ低くなるように制御している。

図７において、Ｄは、条件１乃至１０における処理室１６外部の圧力、すなわち大気圧の変動を示している。Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３は、それぞれ条件１乃至１０において、処理室１６の上部、中央部、下部に配置されたウエハ２０に形成された膜の膜厚を示している。図７から、比較例に係る基板処理装置では、大気圧が高いと膜厚が増加し、大気圧が低いと膜厚が減少し、処理室１６外部の圧力変化、すなわち大気圧の変化に依存してウエハ２０に形成される膜の膜厚が変化し、その変動は最大で２．５パーセントにも及ぶことが分かる。

本発明の好ましい態様を付記する。
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記反応ガス供給部から前記反応ガスを前記処理室内に供給する反応ガス供給ラインと、前記処理室内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに設けられ前記処理室内を減圧排気するポンプと、前記排気ラインに設けられ前記処理室内の圧力を調整する圧力調整弁と、前記処理室内部の圧力を測定する第1の圧力測定器と、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定する第2の圧力測定器と、基板を処理する際に、前記第1の圧力測定器により測定された前記処理室内部の圧力の値に基づき前記処理室内部の圧力を一定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御すると共に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に前記反応ガスの前記処理室内への供給を可能とし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に前記反応ガスの前記処理室内への供給を不可能とするように前記反応ガス供給部を制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。

好ましくは、前記コントローラは、基板を処理する際、前記処理室内に、前記反応ガスとしてＨ２ガスとＯ２ガスとを燃焼させることで得られるＨ２Oガス、Ｎ２ガス、ＨＣｌガス、Ｃ２Ｈ２Ｃｌ２ガス、Ｈ２ガスからなる群より選択された少なくとも一種類以上のガスとＯ２ガスとの混合ガス、又はＯ２ガス単体を供給するように前記反応ガス供給部を制御する。

好ましくは、前記コントローラは、基板を処理する際、前記処理室内に、前記反応ガスとして腐食性または毒性のあるガスを含むガスを供給するように前記反応ガス供給部を制御する。

好ましくは、前記コントローラは、基板を処理する際に、前記処理室内部の圧力を８００ｈＰａ〜１０００ｈＰａの範囲内の一定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御する。

好ましくは、前記コントローラは、基板を処理する際に、前記処理室内部の圧力を９００ｈＰａ〜９８０ｈＰａの範囲内の一定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御する。

好ましくは、前記コントローラは、さらに、基板を処理した後に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき、前記差圧が許容範囲内となったら前記処理室内を開放可能とし、前記差圧が許容範囲内とならない場合は前記処理室内を開放不可能とするように制御する。

好ましくは、前記コントローラは、さらに、基板を処理した後に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき、前記差圧が許容範囲内となったら処理後の基板の前記処理室内からの搬出を可能とし、前記差圧が許容範囲内とならない場合は処理後の基板の前記処理室内からの搬出を不可能とするように制御する。

好ましくは、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記支持具を支持し、前記処理室の前記支持具を出し入れする開放部を密閉する蓋体と、前記蓋体を昇降させることで前記支持具を昇降させる昇降機構と、を有し、前記コントローラは、さらに、基板を処理した後に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき、前記差圧が許容範囲内となったら、前記昇降機構の駆動を可能とし、前記差圧が許容範囲内とならない場合は前記昇降機構の駆動を禁止するように制御する。

本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給ラインと、前記処理室内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに設けられ前記処理室内を減圧排気するポンプと、前記排気ラインに設けられ前記処理室内の圧力を調整する圧力調整弁と、前記処理室内部の圧力を測定する第1の圧力測定器と、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定する第２の圧力測定器と、前記処理室の基板を出し入れする開放部を密閉する蓋体と、基板を処理する際に、前記第１の圧力測定器により測定された前記処理室内部の圧力の値に基づき前記処理室内部の圧力を一定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御すると共に、基板を処理した後に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき、前記差圧が許容範囲内となったら前記蓋体による前記密閉を解除可能とし、前記差圧が許容範囲内とならない場合は、前記蓋体による前記密閉を解除不可能とするように制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。

また、本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給しつつ、前記処理室内を減圧排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定しつつ、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を一定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給するようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合には前記反応ガスを前記処理室内へ供給しないようにする半導体装置の製造方法が提供される。

また、本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給しつつ前記処理室内を減圧排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定しつつ、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を一定の圧力に保つようにし、基板を処理した後に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記差圧が許容範囲内となったら前記処理後の基板を搬出する工程を行うようにし、前記差圧が許容範囲内とならない場合は前記処理後の基板を搬出する工程を行わないようにする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明は、半導体ウエハやガラス基板等の基板の表面を酸化する等の処理を行う基板処理装置及び半導体装置の製造方法に利用することができる。

１０・・・基板処理装置，
１６・・・処理室，
２０・・・ウエハ，
２２・・・シールキャップ，
３６・・・供給ライン，
３８・・・反応ガス供給装置，
４２・・・排気ライン，
１００・・・圧力制御装置，
１０２・・・ポンプ，
１１３・・・相対圧計，
１３０・・・絶対圧制御装置，
１３２・・・絶対圧計，
１３３・・・圧力調整弁，
２００・・・コントローラ，

Claims (9)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室内に反応ガス供給部から反応ガスを供給する反応ガス供給ラインと、
   前記処理室内を排気する排気ラインと、
   前記排気ラインに設けられ前記処理室内の圧力を調整する圧力調整弁と、
   前記処理室内部の圧力を測定する第１の圧力測定器と、
   前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定する第２の圧力測定器と、
   基板を処理する際に、前記第１の圧力測定器により測定された前記処理室内部の圧力の値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御すると共に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に前記反応ガスの前記処理室内への供給を可能とし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合であって、前記処理室内へ前記反応ガスをまだ供給していない場合に、前記反応ガスの前記処理室内への供給を行えないようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合であって、前記処理室内へ前記反応ガスをすでに供給している場合に、前記処理室内への前記反応ガスの供給を停止させるように前記反応ガス供給部を制御するコントローラと
   を有する基板処理装置。
2. 警告を発生させる警告装置
   をさらに有し、
   前記コントローラは、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に警告を発生させるように前記警告装置をさらに制御する
   請求項１記載の基板処理装置。
3. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室内に反応ガス供給部から反応ガスを供給する反応ガス供給ラインと、
   前記処理室内を排気する排気ラインと、
   前記排気ラインに設けられ前記処理室内の圧力を調整する圧力調整弁と、
   前記処理室内部の圧力を測定する第１の圧力測定器と、
   前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定する第２の圧力測定器と、
   警告を発生させる警告装置と、
   基板を処理する際に、前記第１の圧力測定器により測定された前記処理室内部の圧力の値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つように前記圧力調整弁を制御すると共に、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に前記反応ガスの前記処理室内への供給を可能とし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に、前記反応ガスの前記処理室内への供給を不可能とするように前記反応ガス供給部を制御し、さらに、前記第２の圧力測定器により測定された前記差圧の値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に警告を発生させるように前記警告装置を制御するコントローラと
   を有する基板処理装置。
4. 基板を処理室内に搬入する工程と、
   基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、
   処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程と
   を有し、
   前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給するようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合であって、前記処理室内へ前記反応ガスをまだ供給していない場合に、前記反応ガスの前記処理室内への供給を行えないようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合であって、前記処理室内へ前記反応ガスをすでに供給している場合に、前記処理室内への前記反応ガスの供給を停止させる
   基板処理方法。
5. 前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に、さらに、警告を発生させる
   請求項１記載の基板処理方法。
6. 基板を処理室内に搬入する工程と、
   基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、
   処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程と
   を有し、
   前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給するようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給しないようにし、さらに、警告を発生させるようにする
   基板処理方法。
7. 基板を処理室内に搬入する工程と、
   基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、
   処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程と
   を有し、
   前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給するようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合であって、前記処理室内へ前記反応ガスをまだ供給していない場合に、前記反応ガスの前記処理室内への供給を行えないようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合であって、前記処理室内へ前記反応ガスをすでに供給している場合に、前記処理室内への前記反応ガスの供給を停止させる
   半導体装置の製造方法。
8. 前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に、さらに、警告を発生させる
   請求項７記載の基板処理方法。
9. 基板を処理室内に搬入する工程と、
   基板が搬入された前記処理室内に反応ガスを供給し、前記処理室内を排気して基板を処理する工程と、
   処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程と
   を有し、
   前記基板を処理する工程では、前記処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、前記処理室内部の圧力と前記処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも小さい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給するようにし、前記処理室内部の圧力が前記処理室外部の圧力よりも大きい場合に、前記反応ガスを前記処理室内へ供給しないようにし、さらに、警告を発生させるようにする
   半導体装置の製造方法。

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