KR102282154B1 - 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

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다다시 곤타니
세이요 나카시마
미키오 오노
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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

본 발명은, 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 자동으로 원격 제어 가능하게 하는 구성을 제공한다. 처리 용기와, 해당 처리 용기의 개구를 막는 덮개와, 해당 덮개를 열었을 때 상기 처리 용기의 개구와 연통하여, 기판의 반송을 행하는 이동 탑재실과, 상기 처리 용기 내의 상기 기판을 가열하는 히터와, 상기 처리 용기에 공급하는 가스의 흐름을 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스와, 상기 가스가 상기 처리 용기 내에 도입되도록 하는 도입부의 주변을 둘러싸도록 설치할 수 있는 스캐빈저와, 상기 히터가 마련된 공간을 냉각한 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트와, 상기 가스 박스 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트와, 상기 스캐빈저 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트와, 상기 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 상기 국소 배기구 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 국소 배기 덕트와, 부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 접속된 상기 히터실 배기 덕트와, 상기 가스 박스 배기 덕트와, 상기 스캐빈저 배기 덕트와, 상기 국소 배기 덕트 중 적어도 하나에 마련된 개방도 가변 기구 구비의 배기 댐퍼 밸브와, 설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련되어, 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어 가능하게 구성된 컨트롤러를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM}
본 개시는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판에 박막의 생성, 산화, 확산, CVD, 어닐 등의 열처리를 행하는 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
기판 처리 장치에서 기판을 열 처리할 때 사용되는 화학 물질로서, 많은 화학 물질이 사용된다. 해당 화학 물질은 가연성, 지연성, 독성, 부식성 등으로 분류되며, 인체에 유해한 물질도 존재한다.
화학 물질을 처리로에 반송하는 배관으로서, 통상 스테인리스제 배관이 사용된다. 배관끼리의 접속은, 조인트 등을 사용하고 있기 때문에, 조인트를 통해서 화학 물질이 외부로 누설될 가능성이 있다. 종래에는, 화학 물질의 누설을 방지하기 위해서, 배관을 가스 박스에 수납하여, 해당 가스 박스 내를 배기해서 음압으로 함으로써, 화학 물질 누설 시의 작업자에 대한 폭로를 방지하고 있다.
일례로서, 종래의 가스 박스에서는, 배기 유로에 댐퍼 밸브가 마련된다. 해당 댐퍼 밸브에 마련된 조정판을 움직임으로써, 가스 박스 내가 화학 물질의 누설에 의한 폭로를 방지할 수 있는 압력이 되도록 댐퍼 밸브를 수동으로 조정하고 있다. 또한, 압력 센서도 마련되어, 음압이 불충분할 경우, 안전 회로가 작동해서 화학 물질의 공급을 정지하도록 되어 있다.
일본 특허 공개 제2004-193238호 공보
종래에는, 압력 저하에 의해 화학 물질의 공급이 정지되는 안전 회로가 작동하는 것을 방지하기 위해서, 정기적으로 댐퍼 밸브를 조정해서 압력을 유지할 필요가 있다. 압력의 저하는, 장치대수의 증가감에 의해 설비 용력이 변동함으로써 야기될 수 있다. 안전 회로가 작동해서 화학 물질의 공급이 정지되면, 처리 중의 기판이 생산 불량이 되어, 고액의 손실이 발생한다. 또한, 댐퍼 밸브를 과도하게 개방함으로써 이미 설치된 배관 내의 압력 저하를 억제할 수 있지만, 배기의 양이 증대하여, 생산 비용의 증대를 초래한다.
또한 댐퍼 밸브는, 가스 박스와 배기 덕트의 사이에 마련되기 때문에, 사양에 따라서는 높은 장소에 설치될 수 있다. 그 경우, 조정 작업에 위험이 수반되는 경우도 있었다.
본 개시는, 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 자동으로 원격 제어 가능하게 하는 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램을 제공하는 것이다.
본 개시의 일 형태는, 처리 용기와, 해당 처리 용기의 개구를 막는 덮개와, 해당 덮개를 열었을 때 상기 처리 용기의 개구와 연통하여, 기판의 반송을 행하는 이동 탑재실과, 상기 처리 용기 내의 상기 기판을 가열하는 히터와, 상기 처리 용기에 공급하는 가스의 흐름을 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스와, 상기 가스가 상기 처리 용기 내에 도입되도록 하는 도입부의 주변을 둘러싸도록 마련되는 스캐빈저와, 상기 히터가 마련된 공간을 냉각한 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트와, 상기 가스 박스 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트와, 상기 스캐빈저 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트와, 상기 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 상기 국소 배기구 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 국소 배기 덕트와, 부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 접속된 상기 히터실 배기 덕트와, 상기 가스 박스 배기 덕트와, 상기 스캐빈저 배기 덕트와, 상기 국소 배기 덕트 중 적어도 하나에 마련된 개방도 가변 기구 구비의 배기 댐퍼 밸브와, 설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련되고, 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어 가능하게 구성된 컨트롤러를 구비하는 구성이 제공된다.
본 개시에 의하면, 높은 장소에 마련된 배기 댐퍼 밸브의 개방도가 자동으로 조정되어, 정기적으로 수동으로 조정할 필요가 없으므로, 작업자의 안전성을 확보할 수 있음과 함께, 작업성을 향상시킨다는 우수한 효과를 발휘한다.
도 1은 본 개시의 실시예에 관한 클린룸과 클린룸 내에 설치된 기판 처리 장치를 도시하는 개략도이다.
도 2는 실시예에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 사시도이다.
도 3은 실시예에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 측면도이다.
도 4는 실시예에 관한 기판 처리 장치의 히터실과 가스 박스 등을 도시하는 사시도이다.
도 5는 실시예에 관한 가스 박스 배기 댐퍼 밸브를 도시하는 사시도이다.
도 6은 실시예에 관한 가스 박스 배기 댐퍼 밸브를 도시하는 정면도이다.
도 7은 실시예에 관한 가스 박스 배기 댐퍼 밸브를 도시하는 분해 사시도이다.
도 8은 실시예에 관한 에어의 흡배기계를 설명하는 설명도이다.
도 9는 실시예에 관한 처리로를 도시하는 종단면도이다.
도 10은 실시예에 관한 이동 탑재실 내의 격리 공간을 설명하는 설명도이다.
도 11은 실시예에 관한 냉각수계를 설명하는 설명도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 개시의 실시예를 설명한다. 도 1은, 기판 처리 장치가 설치되는 클린룸을 도시하고 있다. 또한, 도 2, 도 3은 기판 처리 장치의 일례로서 종형의 기판 처리 장치를 도시하고 있다. 또한, 해당 기판 처리 장치에서 처리되는 기판은, 일례로서 실리콘 등으로 이루어지는 웨이퍼가 도시되어 있다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 반도체 공장(2)의 클린룸(3) 내에 설치된다. 클린룸(3)에는, 외조기(4)에 의해 반도체 공장(2)의 외부로부터 도입된 외기의 온도 및 습도를 컨트롤한 후, FFU(Fan Filter Unit)(5)에서 제진한 에어(공기)(6)가 도입되도록 되어 있다.
기판 처리 장치(1)의 상면에는 흡기 덕트(흡기구)(7) 및 배기 덕트(8)가 마련된다. 배기 덕트(8)는, 공장 외부까지 연장 돌출되는 공장 배기 덕트(설비 배기 덕트)(9)에 접속되어 있다. 공장 배기 덕트(9)에는 배기 팬(11)이 마련되어, 공장 배기 덕트(9) 내는 역류 방지를 위한 배기 팬(11)에 의해 항상 소정의 부압으로 유지된다.
흡기 덕트(7)를 통해서 기판 처리 장치(1) 내에 도입된 에어(6)는, 이동 탑재실(후술) 등을 채우는 청정 분위기, 처리로(히터)(12)의 냉각 매체, 유해한 가스나 파티클의 퍼지를 위해서 사용된 후, 배기 덕트(8), 공장 배기 덕트(9)를 통해서 배기 팬(11)에 의해 공장 외부로 배출되도록 되어 있다. 또한, 흡기 덕트(7)나 배기 덕트(8)는, 용도별로 각각 개별로 마련될 수 있다. 또한 배기의 제해의 필요성이나 온도 등에 따라, 공장 배기 덕트도 복수의 계통으로 나누어서 마련될 수 있다.
도 2, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 하우징(13)을 구비하고, 해당 하우징(13)의 정면 벽(14)의 하부에는 메인터넌스 가능하도록 마련된 개구부로서의 정면 메인터넌스 구(15)가 개방 형성되고, 해당 정면 메인터넌스 구(15)는 정면 메인터넌스 도어(16)에 의해 개폐된다.
하우징(13)의 정면 벽(14)에는 포드 반입 반출구(17)가 하우징(13)의 내외를 연통하도록 개방 형성되어 있고, 포드 반입 반출구(17)는 프론트 셔터(18)에 의해 개폐되고, 포드 반입 반출구(17)의 정면 전방측에는 로드 포트(19)가 설치되어 있고, 해당 로드 포트(19)는 적재된 포드(21)를 위치 정렬하도록 구성되어 있다.
해당 포드(21)는 밀폐식 기판 수용기이며, 도시하지 않은 공정내 반송 장치에 의해 로드 포트(19) 상에 반입되고, 또한, 해당 로드 포트(19) 상으로부터 반출되도록 되어 있다.
하우징(13) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 상부에는, 회전식 포드 선반(22)이 설치되어 있고, 해당 회전식 포드 선반(22)은 복수개의 포드(21)를 저장하도록 구성되어 있다. 또한, 정면 메인터넌스 구(15) 내이며, 로드 포트(19)의 하방에는 예비 포드 선반(23)이 설치되어 있고, 해당 예비 포드 선반(23)은 복수개의 포드(21)를 저장하도록 구성되어 있다.
회전식 포드 선반(22)은 수직으로 세워 설치되어 간헐 회전되는 지주(24)와, 해당 지주(24)에 상중하단의 각 위치에서 방사형으로 지지된 복수단의 선반판(25)을 구비하고 있다. 선반판(25)은 포드(21)를 복수개 적재한 상태에서 저장하도록 구성되어 있다.
회전식 포드 선반(22)의 하방에는, 포드 오프너(26)가 마련되고, 포드 오프너(26)는 포드(21)를 적재하고, 포드(21)의 덮개를 개폐 가능한 구성을 갖고 있다.
로드 포트(19)와 회전식 포드 선반(22), 포드 오프너(26)의 사이에는, 포드 반송 장치(27)가 설치되어 있다. 또한, 포드 반송 장치(27)는, 포드(21)를 보유 지지해서 승강 가능, 진퇴 가능, 횡행 가능하게 되어 있어, 로드 포트(19), 회전식 포드 선반(22), 포드 오프너(26)와의 사이에서 포드(21)를 반송하도록 구성되어 있다.
하우징(13) 내의 전후 방향의 후방쪽에서의 하부에는, 서브하우징(28)이 후단에 걸쳐서 마련되어 있다. 서브하우징(28)의 정면 벽(29)에는 웨이퍼(기판)(31)를 서브하우징(28) 내에 대하여 반입 반출하기 위한 웨이퍼 반입 반출구(32)가 한 쌍, 수직 방향으로 상하 2단으로 나열되어 개방 형성되어 있고, 상하단의 해당 웨이퍼 반입 반출구(32)에 대하여 포드 오프너(26)가 각각 마련되어 있다.
포드 오프너(26)는 포드(21)를 적재하는 적재대(33)와, 포드(21)의 덮개를 개폐하는 개폐 기구(34)를 구비하고 있다. 포드 오프너(26)는 적재대(33)에 적재된 포드(21)의 덮개를 개폐 기구(34)에 의해 개폐함으로써, 포드(21)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성되어 있다.
서브하우징(28)은 포드 반송 장치(27)나 회전식 포드 선반(22)이 배치되어 있는 공간(포드 반송 공간)으로부터 기밀하게 되어 있는 이동 탑재실(로딩 에어리어)(35)을 구성하고 있다. 해당 이동 탑재실(35)의 전방측 영역에는 웨이퍼 반송 기구(이후, 이동 탑재기라고도 함)(36)가 설치되어 있고, 이동 탑재기(36)는, 웨이퍼(31)를 보유 지지하는 소요 매수(도시에서는 5매)의 웨이퍼 적재 플레이트(기판 지지부)(37)를 구비하고, 해당 웨이퍼 적재 플레이트(37)는 수평 방향으로 직동 가능, 수평 방향으로 회전 가능, 또한 수직 방향으로 승강 가능하게 되어 있다. 이동 탑재기(36)는 보트(기판 보유 지지구)(38)에 대하여 웨이퍼(31)를 장전 및 배출하도록 구성되어 있다.
이동 탑재실(35)의 상방에는, 스캐빈저(74)를 사이에 두고 히터실(45)(도 3, 도 9 참조)이 마련되고, 그 안에 종형의 처리로(12)가 설치된다. 처리로(12)는 내부에 처리실을 형성하고, 처리실의 아래쪽의 노구부는 스캐빈저(74) 내에 위치한다. 노구부의 하단은 개구되어 있고, 노구 셔터(41)에 의해 개폐되도록 되어 있다. 노구부의 측면에는, 처리실 내에 가스를 도입하는 인렛이나, 처리실 내의 분위기를 배기하는 배기관이 마련될 수 있다. 다수의 배관이 접속되는 노구부는, 종종 매니폴드라고 불리는 짧은 플랜지관에 의해 구성된다. 스캐빈저(74)는, 이러한 노구부의 구성을 둘러싸는 상자 또는 벽으로서 설치될 수 있다.
서브하우징(28)의 측면에는 보트(38)를 승강시키는 위한 보트 엘리베이터(42)가 설치되어 있다. 보트 엘리베이터(42)의 승강 대에 연결된 암(43)에는 덮개로서의 시일 캡(44)이 수평하게 설치되어 있고, 해당 시일 캡(44)은 보트(38)를 수직으로 지지하고, 보트(38)를 처리로(12)에 장입한 상태에서 노구부를 기밀하게 폐색 가능하게 되어 있다. 보트(38)는, 복수매(예를 들어, 50매 내지 175매 정도)의 웨이퍼(31)를 그 중심을 맞추어서 수평 자세로 다단으로 보유 지지하도록 구성되어 있다.
보트 엘리베이터(42)측과 대향한 위치에는 클린 유닛(도시하지 않음)이 배치되고, 해당 클린 유닛은, 청정화한 분위기 혹은 불활성 가스인 클린 에어를 공급하도록 공급 팬 및 방진 필터로 구성되어 있다. 이동 탑재기(36)와 클린 유닛의 사이에는, 웨이퍼(31)의 원주 방향의 위치를 정합시키는 기판 정합 장치로서의 노치 정렬 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
클린 유닛으로부터 분출된 클린 에어는, 노치 정렬 장치, 이동 탑재기(36), 보트(38)에 유통된 후에, 일부는 국소 배기 덕트(59)(또는 공통 배기 덕트) 등에 의해 흡입되어, 배기 덕트(8)를 통해서 하우징(13)의 외부로 배기되고, 다른 일부는 클린 유닛에 의해 다시 이동 탑재실(35) 내에 분출되도록 구성되어 있다.
이어서, 기판 처리 장치(1)의 작동에 대해서 설명한다.
포드(21)가 로드 포트(19)에 공급되면, 포드 반입 반출구(17)가 프론트 셔터(18)에 의해 개방된다. 로드 포트(19) 상의 포드(21)는 포드 반송 장치(27)에 의해 하우징(13)의 내부에 포드 반입 반출구(17)를 통해서 반입되어, 회전식 포드 선반(22)의 지정된 선반판(25)에 적재된다. 포드(21)는 회전식 포드 선반(22)에서 일시적으로 보관된 후, 포드 반송 장치(27)에 의해 선반판(25)으로부터 어느 한쪽의 포드 오프너(26)에 반송되어 적재대(33)에 이동 탑재되거나, 혹은 로드 포트(19)로부터 직접 적재대(33)에 이동 탑재된다.
적재대(33)에 적재된 포드(21)는 그 개구 측단면이 서브하우징(28)의 정면 벽(29)에서의 웨이퍼 반입 반출구(32)의 개구 가장자리부에 압박됨과 함께, 덮개가 개폐 기구(34)에 의해 분리되어, 웨이퍼 출입구가 개방된다.
포드(21)가 포드 오프너(26)에 의해 개방되면, 이동 탑재기(36)는 웨이퍼(31)를 포드(21)로부터 취출하여, 보트(38)에 장전(차징)한다. 보트(38)에 웨이퍼(31)를 전달한 이동 탑재기(36)는 포드(21)로 되돌아가, 다음의 웨이퍼(31)를 보트(38)에 장전한다.
미리 지정된 매수의 웨이퍼(31)가 보트(38)에 장전되면 노구 셔터(41)에 의해 폐쇄되어 있던 처리로(12)의 노구부가 노구 셔터(41)에 의해 개방된다. 계속해서, 보트(38)는 보트 엘리베이터(42)에 의해 상승되어, 처리로(12)에 반입(로딩)된다.
로딩 후에는 처리로(12)에서 웨이퍼(31)에 임의의 처리가 실시된다. 처리 후에는 상술한 수순과 역의 수순에 의해, 웨이퍼(31) 및 포드(21)가 하우징(13)의 외부로 반출된다.
이어서 도 4 및 도 8을 참조하여, 에어의 흡배기계에 대해서 설명한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에는, 클린룸 내의 에어를 도입해서 배기하는(소비하는) 에어의 유로로서, 히터실(45), 스캐빈저(74), 가스 박스(79) 및 이동 탑재실(35)이 있다. 또한, 이 도면에서는, 에어를 여과 혹은 냉각해서 순환시키는 계는 생략되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 처리로(12)를 수납하는 히터실(45)은, 기판 처리 장치(1)의 배면측에 마련되어 있다. 히터실(45)을 개폐하기 위한 배면 도어(46)에는, 히터실(45) 내에 공기를 도입하기 위한 히터실 흡기구(47)가 형성된다. 히터실(45)은, 기판 처리 장치(1)의 배면에서 보아 좌측쪽으로 마련되고, 우측방에는 후술하는 스캐빈저 배기 덕트(75)나 도시하지 않은 케이블이나 전장품 등을 수납하는 공간이 구획 형성되어 있다.
기판 처리 장치(1)의 하우징(13)의 배면의 윗쪽으로는, 히터실(45) 내에서 가열된 에어를 배출하기 위한 히터실 배기 덕트(50)와, 스캐빈저(74) 내의 에어를 배출하기 위한 스캐빈저 배기 덕트(75)가 마련되어 있다. 히터실 배기 덕트(50)는, 개방도 가변 기구 구비의 히터실 배기 댐퍼 밸브(48)보다도 상류측에 마련된 압력 센서(49)를 갖고, 스캐빈저 배기 덕트(75)는, 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76)보다도 상류측에 마련된 압력 센서(80)를 갖고, 압력 센서(49, 80)의 검출 결과는 후술하는 프로세스 모듈 제어기(96) 또는 주제어부(95)에 피드백되도록 되어 있다. 도 4에서는, 히터실 배기 덕트(50)는, 압력 센서(49)보다도 하류이면서 또한 히터실 배기 댐퍼 밸브(48)보다도 상류의 개소에서 절단되어 도시되고, 다른 덕트도 마찬가지로 도시되어 있다.
또한, 처리로(12)의 외장판(열 실드판)이나 배면 도어(46)에는, 사람이 접촉하는 부분이 고온으로 됨으로 인한 화상을 방지할 수 있도록, 각각 온도 센서(51)가 설치되어 있다. 예를 들어, 처리로(12)의 표면 온도가 소정보다 높을 때, 배면 도어(46)가 개방되지 않도록 로크할 수 있다.
가스 박스(79)는, 기판 처리 장치(1)의 하우징(13)의 배면에 후방으로 신장되어 마련되는 유틸리티의 하나이며, 본 예에서는 하우징(13)의 배면에 인접하여, 히터실(45)과 대략 동일한 높이의 위치에 마련된다. 가스 박스(79)는, 후술하는 MFC(매스 플로우 컨트롤러)(77)나 밸브(78)와, 그것들을 연결하는 가스 공급관(73)을 수용하는, 직육면체 형상의 상자이며, 그 전방면에는, 외기를 도입하는 슬릿 형상의 가스 박스 흡기구(97)가 복수 형성되어 있다. 또한, 가스 박스(79)의 상면에는, 가스 박스(79) 내의 분위기를 배기하는 배기구로서의 가스 박스 배기 덕트(98)가 접속되고, 가스 박스 배기 덕트(98)는 공장 배기 덕트(9)에 접속되어 있다. 가스 박스 배기 덕트(98)에는, 개방도 가변 기구 구비의 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)와, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)보다도 상류측에 위치하는 압력 센서(101)가 마련되어 있다.
가스 박스(79)나 스캐빈저(74)에 있어서, 배관으로부터의 가스 누설이 발생할 수 있다. 특히 폭발성 혹은 유해성이 높은 가스가 누설되었을 경우, 공장 배기계에서 허용되는 레벨까지 희석할 것이 요구된다. 가스 농도계(102)는, 스캐빈저(74)의 배기의 하류에서의 배기 덕트(8) 혹은 스캐빈저 배기 덕트(75)에 마련되어, 특정 가스종의 농도를 감시한다. 긴급 희석 밸브(103)는, 가스 농도계(102)가 규정값보다도 높은 농도의 가스를 검지했을 때, 희석용 질소 가스를 대유량으로 배기 덕트(8) 혹은 스캐빈저 배기 덕트(75)에 방출한다.
이동 탑재실(35)에는, 클린룸 내의 에어를 도입하는, 밀폐 가능한 인테이크 댐퍼(58)가 마련된다. 도입된 에어는 이동 탑재실(35) 내의 국소 배기 등과 합류하여, 블로어에 의해 필터에 보내지고, 또한 청정화된 양압의 에어로 되어 이동 탑재실(35) 내를 순환한다. 또한 잉여의 에어는, 이동 탑재실(35)의 평면에 마련된 이동 탑재실 배기 덕트(59)를 통해서 공장 배기 덕트(9)에 배출된다. 이동 탑재실 배기 덕트(59)에는, 압력차가 소정 이상으로 되었을 때 개방되는 오토 댐퍼(60)와, 이동 탑재실 배기 덕트(59)를 완전 폐쇄 및 완전 개방으로 할 수 있는 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61)와, 오토 댐퍼(60)보다도 상류측에 위치하는 압력 센서(62)가 마련되어 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)의 소정 위치에는, 기판 처리 장치(1)에 대한 각종 제어를 행하는 주제어부(95)(후술)의 조작 패널(조작부)(52)이 마련되어 있다. 해당 조작부(52)는 예를 들어 터치 패널이며, 주제어부(95)에 제어값을 입력하기 위한 입력부와, 입력된 제어값을 인식 가능하게 표시하는 표시부를 갖고 있다. 또한, 조작부(52)가 마련되는 위치는, 하우징(13) 후방의 유틸리티의 측면이나 배면 혹은 기판 처리 장치(1)의 정면이며, 또한 기판 처리 장치(1)의 설치면(혹은 플로어 BOX)에 서 있는 작업자가 조작 가능한 높이로 되어 있다. 작업자는, 입력부를 통해서 조작부(52)에 직접 제어값을 입력하여, 개방도를 지정함으로써, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99) 등의 개방도를 직접 제어할 수 있도록 되어 있다.
이어서, 도 5 내지 도 7에서, 본 실시예에 관한 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)의 상세에 대해서 설명한다. 또한, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48), 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76)의 구조는, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
가스 박스 배기 덕트(98)의 양단에는, 각각 플랜지(53)가 형성되고, 한쪽의 플랜지(53)를 통해서 가스 박스 배기 덕트(98)가 가스 박스(79)에 접속됨과 함께, 다른 쪽의 플랜지(53)를 통해서 가스 박스 배기 덕트(98)가 공장 배기 덕트(9)에 접속된다. 또한, 한쪽의 플랜지(53)의 한 변에는, 후술하는 모터(56)를 가스 박스 배기 덕트(98)에 설치하기 위한 설치 플랜지(53a)가 마련되어 있다. 또한, 가스 박스 배기 덕트(98)의 둘레면에는, 후술하는 샤프트(55)와 모터(56)를 보유 지지하는 받침대부(8a)가 마련되어 있다.
가스 박스 배기 덕트(98)에는, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)가 마련되어 있다. 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)는, 가스 박스 배기 덕트(98)의 내경보다도 약간 소경이며, 원판 형상의 셔터(밸브체)(54)와, 셔터(54)의 직경 방향 전체 길이에 걸쳐서 일체 회전 가능하게 마련되고, 양단이 가스 박스 배기 덕트(98)에 회전 가능하게 보유 지지되는 샤프트(55)와, 샤프트(55)를 회전 구동시키기 위한 모터(56)를 갖고 있다.
샤프트(55)의 일단에는, 모터(56)의 출력축과 D 커트(평면 따기)나 보스 등에 의해 끼워 맞추는 끼워 맞춤부(55a)가 형성되고, 끼워 맞춤부(55a)를 통해서 모터(56)의 구동력이 샤프트(55)에 전달된다. 또한, 샤프트(55)의 하부에는, 셔터(54)와 접합 가능한 평면부(55b)가 형성되어 있다. 또한, 모터(56)에는, 가스 박스 배기 덕트(98)에 설치하기 위한 설치 플랜지(56a)가 형성되어 있다.
가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)는, 끼워 맞춤부(55a)를 모터(56)의 출력축에 결합시킨 상태에서, 샤프트(55)를 받침대부(8a)를 통해서 가스 박스 배기 덕트(98)에 삽입 관통한 후, 셔터(54)를 평면부(55b)에 나사로 고착시킴과 함께, 설치 플랜지(53a, 56a)를 나사 고정함으로써, 가스 박스 배기 덕트(98)에 설치된다.
또한, 모터(56)는, 예를 들어 기어드·서보 모터이며, 조작부(52)로부터의 개방도 명령값에 기초하여, 샤프트(55)를 대응하는 각도가 되도록 회전시켜, 셔터(54)의 개방도를 무단계로 조정 가능하게 되어 있다.
도 9는, 본 개시의 실시예에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치(1)의 처리로(12) 주변의 종단면도로서 도시되어 있다. 처리로(12)는 원통 형상이며, 보유 지지판으로서의 히터 베이스(64)에 지지됨으로써 수직으로 설치되어 있다. 처리로(12)의 내주면에는, 가열 기구로서의 히터(39)가 마련된다.
처리로(12)의 내측에는, 처리로(12)와 동심원형으로 프로세스 튜브(65)가 배치되어 있다. 프로세스 튜브(65)는, 예를 들어 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로 이루어지는 이너 튜브(66)와, 아우터 튜브(67)로 구성되어 있다. 이너 튜브(66)는, 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되고, 처리 용기의 대부분을 구성한다. 이너 튜브(66)의 통 중공부에는 처리실(68)이 형성되어 있고, 웨이퍼(31)를 보트(38)에 의해 수평 자세로 수직 방향으로 다단으로 정렬한 상태에서 수용 가능하게 구성되어 있다. 아우터 튜브(67)는, 내경이 이너 튜브(66)의 외경보다도 크고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 있으며, 이너 튜브(66)와 동심원형으로 마련되어 있다.
아우터 튜브(67)의 하방에는, 아우터 튜브(67)와 동심원형으로 매니폴드(69)가 배치되어 있다. 매니폴드(69)는, 예를 들어 니켈 합금 등으로 이루어지고, 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 있다. 매니폴드(69)는, 이너 튜브(66) 및 아우터 튜브(67)에 걸림 결합하고 있어, 이들을 지지하도록 마련되어 있다. 또한, 매니폴드(69)와 아우터 튜브(67)의 사이에는, 시일 부재로서의 O링(71)이 마련되어 있다. 매니폴드(69)에 지지됨으로써, 프로세스 튜브(65)는 수직으로 설치된 상태로 되어 있다. 프로세스 튜브(65)와 매니폴드(69)에 의해 처리 용기가 형성된다.
시일 캡(44) 또는 매니폴드(69)에는 가스 도입부로서의 노즐(72)이 처리실(68) 내에 연통되도록 접속되어 있고, 노즐(72)에는 가스 공급관(73)이 접속되어 있다. 또한, 히터 베이스(64)의 하방에는, 노즐(72)(또는 처리 용기)과 가스 공급관(73)의 접속부의 주위를 둘러싸도록 스캐빈저(74)가 마련되어 있다. 도 9의 예에서는, 가스 공급관(73)의 접속부의 접속부가 시일 캡(44)의 하방에 있기 때문에, 스캐빈저(74)는 시일 캡(44)과 함께 상하로 이동 가능하게 시일 캡(44)에 고정된다.
스캐빈저(74)에는, 스캐빈저(74) 내의 분위기를 흡인해서 배출하기 위한 스캐빈저 배기 덕트(75)가 마련되고, 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76)에 접속된다. 스캐빈저(74)에 의해 둘러싸이는 공간은, 가스 공급관(73)이나 그 밖의 부재와의 사이에 발생하는 공극(70) 등에 의해 스캐빈저(74) 외부와 연통하고 있어, 거기로부터 기판 처리 장치(1) 내의 에어를 흡입한다. 혹은, 스캐빈저(74) 내에 불활성 가스 등을 공급하는 흡기 덕트가 별도로 마련될 수 있다.
스캐빈저 배기 덕트(75)는, 공장 배기 덕트(9)와 접속되어, 스캐빈저(74) 내의 분위기는 히터실 배기 덕트(50)로부터 배출되는 에어(6)와 함께 공장 외부로 배출된다. 스캐빈저(74) 내의 분위기가 배기됨으로써, 가스 공급관(73)과 노즐(72)의 사이로부터 스캐빈저(74)에 가스가 누설된 경우에도, 기판 처리 장치(1) 내에 가스가 확산하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76)의 구조는, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)의 구조와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
가스 공급관(73)의 노즐(72)과의 접속측과 반대측인 상류측에는, 가스 유량 제어기로서의 MFC(매스 플로우 컨트롤러)(77)와 밸브(78)를 거쳐서 도시하지 않은 화학 물질 공급원이나 불활성 가스 공급원이 접속되어 있다. MFC(77) 등은, 프로세스 모듈 제어기(96)와 전기적으로 접속된다. MFC(77) 및 밸브(78)는, 가스 박스(79) 내에 수납된다.
상기 매니폴드(69)에는, 처리실(68) 내의 분위기를 배기하는 배기관(81)이 연통되어 있다. 해당 배기관(81)은, 이너 튜브(66)와 아우터 튜브(67)의 간극에 형성되는 통형 공간(82)의 하단부에 배치되어, 통형 공간(82)과 연통하고 있다. 배기관(81)에는 하류측을 향해서 압력 검출기로서의 압력 센서(83) 및 압력 조정 장치(84)를 거쳐서 진공 펌프 등의 진공 배기 장치(85)가 접속되어, 처리실(68) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)으로 되도록 구성되어 있다. 압력 센서(83) 및 상기 압력 조정 장치(84)에는, 압력 제어부(압력 컨트롤러)(86)가 전기적으로 접속되어 있고, 해당 압력 제어부(86)는 압력 센서(83)에 의해 검출된 압력에 기초하여 압력 조정 장치(84)에 의해 처리실(68) 내의 압력이 원하는 압력(진공도)으로 되도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성되어 있다.
시일 캡(44)은, 서브하우징(28) 내에 수직으로 설치된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(42)에 암(43)을 통해서 수평하게 지지되고, 보트 엘리베이터(42)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성되어 있다. 이에 의해, 보트(38)를 처리실(68)에 대하여 반입 반출 가능하게 된다. 상승된 시일 캡(44)은, 매니폴드(69)의 하단에 시일 부재로서의 O링(87)을 개재하여 맞닿는다.
시일 캡(44)의 처리실(68)과 반대측에는, 보트(38)를 회전시키는 회전 기구(88)가 설치되어 있다. 회전 기구(88)의 회전축(89)은, 시일 캡(44)을 관통해서 보트(38)에 접속되어 있어, 보트(38)를 회전시킴으로써 웨이퍼(31)를 회전시키도록 구성되어 있다. 회전 기구(88) 및 보트 엘리베이터(42)에는, 구동 제어부(구동 컨트롤러)(91)가 전기적으로 접속되어 있어, 원하는 동작을 하도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성되어 있다.
프로세스 튜브(65) 내에는, 온도 검출기로서의 온도 센서(93)가 설치되어 있다. 히터(39)와 온도 센서(93)에는, 온도 조정기(94)가 전기적으로 접속되어, 온도 센서(93)에 의해 검출된 온도 정보에 기초해서, 히터(39)에의 통전 상태를 조정하여, 처리실(68) 내의 온도가 제어된다.
주제어부(95)는, 네트워크로 접속된 상위 장치와의 사이에서 SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) 규격 E5 "반도체 제조 장치 통신 스탠다드 2 메시지 내용(SECS-II)"을 사용해서 통신하여, 웨이퍼(31)의 장전부터 취출까지의 일련의 레시피를 실행하는 작업을 관리한다. 또한 동일 규격의 Interface A(E120, E125, E132, E134)를 사용하여, 장치 상태 정보를 상위 장치(감시 장치)에 전송한다. 주제어부(95)는, 기판 처리 장치(1) 전체를 제어하기 위해서, 조작부(52), 프로세스 모듈 제어기(96), 압력 제어부(86), 구동 제어부(91), 온도 조정기(94)와 통신 가능하게 접속되어, 적절히 그것들을 통해서 기판 처리 장치(1) 전체를 제어한다. 주제어부(95) 혹은 그 관리 하의 프로세스 모듈 제어기(96)를 포함하여, 컨트롤러라고도 총칭한다. 주제어부(95)나 프로세스 모듈 제어기(96) 등의 컨트롤러는, CPU(Central Processing Unit), 당해 CPU에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보유되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있는 RAM(Random Access Memory), 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램, 후술하는 압력 제어의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이 판독 가능하게 저장되어 있는 기억 장치 등을 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. 프로세스 레시피는, 반도체 장치의 제조 방법에서의 각 공정(각 스텝)을 컨트롤러에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다.
프로세스 모듈 제어기(96)는, MFC(77)나 밸브(78)를 조작하여, 공급하는 가스의 유량을 레시피에 따른 타이밍에 제어한다. 또한, 압력 센서(49), 히터실 배기 댐퍼 밸브(48) 및 온도 센서(51)와 전기적으로 접속되어, 압력 센서(49)의 검지 압력이, 바람직한 부압으로 되도록, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48)를 피드백 제어한다. 또한, 압력 센서(80) 및 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76)와 전기적으로 접속되어, 압력 센서(80)의 검지 압력이, 바람직한 부압으로 되도록, 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76)를 피드백 제어한다. 또한, 압력 센서(101) 및 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)와 전기적으로 접속되어, 압력 센서(101)의 검지 압력이, 바람직한 부압으로 되도록, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)를 피드백 제어한다. 또한, 인테이크 댐퍼(58), 이동 탑재실(35)의 블로어, 압력 센서(62), 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61)와 전기적으로 접속되어, 압력 센서(62)의 검지 압력이 적절한 양압으로 되도록, 블로어를 피드백 제어한다.
프로세스 모듈 제어기(96) 혹은 주제어부(95)는, 온도 센서(51)에 의해 검출된 기판 처리 장치(1) 내의 온도나, 레시피 내에 기입된 히터 온도 등의 레시피 정보를 이용해서, 예를 들어 레시피를 실행하는 작업의 등록 및 진척 상황에 따라서 필요 최소한의 배기 유량이 되도록 제어하거나, 히터 온도를 입력하는 피드 포워드 제어에 의해 온도 센서(51)의 온도를 일정 이하로 유지하도록 제어할 수 있다. 따라서 히터 온도가 상온으로 되돌아가는 스탠바이 상태에서는, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48)의 개방도를 최소로 하여, 배기 유량을 최소화할 수 있다. 또한, 온도 센서(51)에 의해 배면 도어(46) 등의 온도가 비정상적으로 높게 검출되었을 때는, 소정의 레벨의 경고를 발할 수 있다.
주제어부(95)는, 프로세스 모듈 제어기(96)로부터 압력 센서(101, 49, 80, 62) 등의 검지 압력을 수신하고, 조작부(52)로부터의 조작에 따라, 그들 검지 압력을 조작부(52)에 표시시킴과 함께, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99) 등의 개방도를 직접 지정하는 입력을 조작부(52)로부터 접수할 수 있도록 구성된다. 직접 지정을 접수한 주제어부(95)는, 그 값을 프로세스 모듈 제어기(96)를 통해서 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99) 등에 설정한다. 예를 들어 스탠바이 시에 이러한 수동 설정을 행함으로써, 히터실(45), 스캐빈저(74), 가스 박스(79), 이동 탑재실(35)로부터의 배기의 양을 최소화할 수 있다. 또한, 직접 설정은 조작부(52)로부터에 한하지 않고, 상위 장치로부터도 부여될 수 있다.
또한, 압력 센서(49) 대신에 유량 센서를 히터실 배기 덕트(50)에 마련하여, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48)를 유통하는 에어(6)의 유량을 직접 검출할 수 있도록 해도 된다. 그리고, 유량 센서가 검출한 에어(6)의 유량에 기초하여, 히터실 배기 덕트(50) 내의 에어(6)의 유량이 일정하게 유지되도록, 피드백 제어를 행하게 해도 된다.
도 10을 참조하여, 이동 탑재실(35)의 배기 구조의 변형예를 설명한다. 이 변형예에서는, 이동 탑재실(35)에 마련되는 국소 배기 덕트로부터도 배기를 행한다. 이동 탑재실(35)은, 처리실에서 처리된 후의 고온의 웨이퍼(31)를 반출하는 장소이며, 웨이퍼(31)에의 자연 산화막의 형성을 방지하기 위해서, 불활성 가스, 예를 들어 질소(N2) 가스가 충만되어 있다. 이동 탑재실(35)을 구획 형성하는 서브하우징(28)은, 주변으로부터의 에어나 파티클의 침입을 방지하기 위해서, 대기압보다 50Pa 정도의 양압으로 유지되는 상자형의 기밀 구조로 구축되어 있다.
서브하우징(28)에 누설(에어의 침입이나 방출)이 있으면, 질소 가스를 도입해서 산소 농도를 소정값 이하로 할 때까지의 시간이 길어진다. 도 10의 예에서는, 서브하우징(28)의 벽체(29a)와 벽체(29b)의 접합부(29c)를, 단면이 해트(모자) 형상의 해트 리브(57)로 덮고, 해트 리브(57)의 플랜지부(57a)와 벽체(29a) 및 벽체(29b)를 예를 들어 용접에 의해 접합한다. 접합부(29c)로부터 침입한 에어는, 해트 리브(57)를 국소 배기함으로써, 서브하우징(28) 내에 확산하지 않게 된다.
해트 리브(57)와 벽체(29a)와 벽체(29b)에 의해 형성된 국소 배기구로서의 격리 공간에는, 이동 탑재실 배기 덕트(국소 배기 덕트)(59)가 연통하고 있다. 격리 공간 내의 분위기는 흡인되어, 공장 배기 덕트(9)에 배출된다. 격리 공간 내에 흐름을 발생시키기 위해서, 해트 리브(57)의 선단 부근에는, 이동 탑재실(35)에 개구되는 애퍼처가 마련될 수 있다.
상기한 바와 같이, 벽체(29a, 29b)의 접합부(29c)를 해트 리브(57)로 격리하고, 격리 공간의 분위기를 기판 처리 장치(1)의 외부로 배기하는 구조로 함으로써, 산소가 서브하우징(28)의 접합부(29c)로부터 이동 탑재실(35) 내에 확산하는 것을 억제하여, 이동 탑재실(35)을 원하는 산소 농도까지 도달시킬 때까지의 시간을 단축할 수 있다. 또한, 이동 탑재실(35)을 저산소 농도로 유지할 필요가 없는 스탠바이 시에 있어서는, 인테이크 댐퍼(58)나 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61)를 완전 폐쇄 혹은 최소의 개방도로 할 수 있다.
도 11은, 본 개시의 실시예에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치(1)의 수냉계의 개략 구성도이다. 수냉계는, 기판 처리 장치(1)에 냉각수로서 공급되는 수돗물 혹은 순환 냉각수를, 냉각을 필요로 하는 각 부에 분배한다.
열교환기(111)는, 처리로(12)의 급냉 시에, 처리로(12) 내를 유통하는 에어를 냉각한다. 매니폴드(69)는, O링(71) 등을 냉각하기 위해서, 그것들의 부근에 냉각수의 투입 유로를 갖는다. 회전 기구(88)는, 열에 약한 축 시일을 보호하기 위해서, 냉각수를 필요로 한다. 열교환기(112)는, 이동 탑재실 내를 순환하는 분위기를 냉각한다. 수냉 재킷(113)은, 그 밖의 냉각을 필요로 하는 부재에 설치되어, 그것들을 냉각한다.
수냉계는, 도입한 냉각수를 5개로 분배한 후, 각각을 니들 밸브(114a 내지 114e)에 접속한다. 니들 밸브(114a 내지 114e)는, 자동 밸브이며, 개방도를 전동 제어로 연속적으로 변경 가능하게 구성된다. 니들 밸브(114a 내지 114e)의 앞 또는 뒤에, 유량 센서로서의 플로우 미터(115a 내지 115e)가 각각 마련된다. 니들 밸브(114a 내지 114e) 및 플로우 미터(115a 내지 115e)는, 프로세스 모듈 제어기(96)와 전기적으로 접속된다.
프로세스 모듈 제어기(96)는, 플로우 미터(115a 내지 115e)의 검지 유량을 정기적으로 감시하여, 설정값에서 어긋나 있지 않은지 체크한다. 어긋나 있을 경우, 대응하는 니들 밸브(114a 내지 114e)를 제어하여, 유량을 설정값에 일치시킨다. 프로세스 모듈 제어기(96)는 레시피의 실행 상황 혹은 처리로(12)의 온도에 연동하여, 각 설정값을 낮출 수 있다. 예를 들어, 처리로(12)의 온도가 소정값 이하일 때, 각각의 최소한의 유량이 되도록 설정값을 변경한다. 이에 의해 스탠바이 시의 냉각수의 소비를 최소한으로 할 수 있다. 또한 조작부(52)로부터의 직접 설정도 가능하여, 예를 들어 메인터넌스 시에, 니들 밸브(114a 내지 114e)를 완전히 폐쇄할 수 있다.
이어서 상기 구성에 관한 처리로(12)를 사용하여, 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정으로서, CVD법에 의해 웨이퍼(31) 상에 박막을 생성하는 방법에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 기판 처리 장치(1)를 구성하는 각 부의 동작은 주제어부(95)에 의해 제어된다.
주제어부(95)로부터 기판 처리를 위한 레시피가 실행되면, 복수매의 웨이퍼(31)가 보트(38)에 장전(웨이퍼 차지)되고, 도 9에 도시된 바와 같이, 복수매의 웨이퍼(31)를 보유 지지한 보트(38)는, 보트 엘리베이터(42)에 의해 들어 올려져서 처리실(68)에 반입(보트 로딩)된다.
이어서, 처리실(68) 내가 원하는 압력(진공도)으로 되도록 진공 배기 장치(85)에 의해 진공 배기된다. 이때, 처리실(68) 내의 압력은, 압력 센서(83)로 측정되고, 측정 결과에 기초하여 압력 조정 장치(84)가 피드백 제어된다. 또한, 처리실(68) 내가 원하는 온도로 되도록 히터(39)에 의해 가열된다. 이때, 처리실(68) 내가 원하는 온도 분포로 되도록, 온도 센서(93)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(39)에의 통전 상태가 피드백 제어된다. 계속해서, 회전 기구(88)에 의해 보트(38)가 회전됨으로써, 웨이퍼(31)가 회전된다.
이어서, 화학 물질 공급원으로부터 공급되어 MFC(77)에서 원하는 유량이 되도록 제어된 가스는, 가스 공급관(73)을 유통해서 노즐(72)로부터 처리실(68) 내에 도입된다. 도입된 가스는, 처리실(68) 내를 상승하여, 이너 튜브(66)의 상단 개구로부터 통형 공간(82)으로 유출되어, 배기관(81)으로부터 배기된다. 가스는, 처리실(68) 내를 통과하는 과정에서 웨이퍼(31)의 표면과 접촉하고, 이때 열분해 반응에 의해 웨이퍼(31)의 표면 상에 박막이 퇴적(디포지션)된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 불활성 가스 공급원으로부터 불활성 가스가 공급되어, 처리실(68) 내가 불활성 가스로 치환됨과 함께, 처리실(68) 내의 압력이 상압으로 복귀된다.
그 후, 보트 엘리베이터(42)에 의해 시일 캡(44)이 하강되어, 처리가 끝난 웨이퍼(31)가 보트(38)에 보유 지지된 상태에서 매니폴드(69)의 하단 개구로부터 프로세스 튜브(65)의 외부로 반출(보트 언로딩)된다. 그 후, 처리가 끝난 웨이퍼(31)는 보트(38)로부터 취출된다(웨이퍼 디스차징).
또한, 일례로, 본 실시예의 처리로(12)에서 웨이퍼(31)를 처리할 때의 처리 조건으로서는, 예를 들어 Si3N4막의 성막에 있어서는, 처리 온도 600 내지 700℃, 처리 압력 20 내지 40Pa, 성막 가스종 SiH2Cl2, NH3, 성막 가스 공급량 SiH2Cl2: 0 내지 99.999slm, NH3: 0 내지 99.999slm이 예시되고, 각각의 처리 조건을, 각각의 범위 내의 임의의 값으로 일정하게 유지함으로써, 웨이퍼(31)에 처리가 이루어진다.
여기서, 상기 처리에 있어서, 프로세스 모듈 제어기(96)에는, 히터실 배기 덕트(50), 국소 배기 덕트(59), 스캐빈저 배기 덕트(75), 가스 박스 배기 덕트(98)에 각각 마련된 압력 센서(49, 62, 101)로 검출된 가스(또는 에어)의 압력(또는 유량)이 상시 피드백되고 있다.
프로세스 모듈 제어기(96)는, 미리 설정된 압력의 목표값과 각 압력 센서의 검출 결과를 각각 비교한다. 각 압력 센서의 검출 결과가 목표값과 상이했을 경우에는, 조작부(52)는 각 압력 센서의 검출 결과를 목표값에 접근시키도록, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48), 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61), 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76), 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)를 각각 원격 제어하여, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48), 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61), 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76), 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)의 개방도를 조정한다. 또한, 목표값은 레시피의 진행에 수반하여 변화될 수 있다.
또한, 주제어부(95)는 실행하는 레시피 등에 기초하여, 가스 박스(79)에서 사용되는 화학 물질(처리 가스)의 정보, 화학 물질이 사용되는 타이밍을 판단하여, 화학 물질이 사용되고 있지 않을 때는, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)의 개방도가 작아지도록, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)를 원격 제어한다. 혹은, 조작부(52)는, 가스 박스(79) 내를 화학 물질이 흐르고 있지 않을 때, 화학 물질이 흐르고 있을 때보다도 높은 특정 압력이 되도록, 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)를 제어한다. 나아가, 독성이 상이한 복수의 종류의 화학 물질이 사용될 수 있는 경우, 사용 중인 물질의 허용 폭로 농도가 낮을수록, 가스 박스(79)의 압력이 낮아지도록(흡인이 강해지도록), 압력의 목표값을 변경해도 된다.
또한, 화학 물질이 사용되는 타이밍의 검출은, 실행된 레시피에 더하여, 가스 박스(79)의 상류에 마련된 고객 설비 밸브(도시하지 않음)의 개폐 상태, 화학 물질이 흐르는 가스 공급관(73)의 압력에 기초해서 행해도 된다.
또한, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48), 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61), 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76), 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)의 피드백 제어는, 상시 실행하는 것은 아니고, 각 압력 센서가 검출한 압력(또는 유량)이 일정 값보다도 소정 이상 어긋났을 때, 즉 목표값을 기준으로 한 소정의 역치의 범위 밖이 되었을 때 기동해도 된다. 혹은, 피드백 제어는, 공장 배기 덕트(9)의 배압의 변화, 이동 탑재실(35) 내의 클린 에어의 유량의 변화, 히터(39)의 냉각 상태의 변화, 가스 박스(79)의 도어의 개방 등, 압력이나 유량의 변화를 야기하는 요인이 발생했다고 판단했을 때 기동해도 된다. 또한, 피드백 제어는, 각 압력 센서의 검출 결과가 소정의 역치의 범위 내로 되었을 때나, 소정 시간 경과 후에 종료하도록 해도 된다. 피드백 제어를 상시 실행하지 않도록 함으로써, 각 배기 댐퍼 밸브의 장수명화를 도모할 수 있다.
프로세스 모듈 제어기(96)는, 가스 농도계(102)의 측정 결과를 감시하여, 규정값보다도 높은 농도의 가스를 검지했을 때, 주제어부(95)에 통보해서 밸브(78)를 폐쇄시켜, 레시피를 중단시킴과 함께, 긴급 희석 밸브(103)를 소정 시간 개방하도록 제어한다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 기판 처리 장치(1)의 설치면으로부터 작업자가 조작 가능한 높이에 마련된 조작부(52)를 통해서, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48), 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61), 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브(76), 가스 박스 배기 댐퍼 밸브(99)의 개방도를 원격 제어하여, 분위기의 흡인량, 흡인력을 조정할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 각 배기 댐퍼 밸브가 높은 장소에 마련되어 있는 경우에도, 작업자가 높은 장소에 올라가서 각 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 조정할 필요가 없어, 작업자의 안전성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 각 배기 덕트 내의 압력(또는 유량)이 일정하게 유지되도록, 조작부(52)가 각 배기 댐퍼의 개방도를 원격 제어하고 있다. 따라서, 다른 기판 처리 장치의 가동 상황 혹은 자신의 장치의 각 덕트의 배기 상황의 변화에 따라, 각 덕트의 배압(공장 배기 덕트의 압력)이 변화했다고 해도, 각 배기 덕트 내의 압력을 일정하게 유지하기 위해서 정기적으로 수동으로 각 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 조정할 필요가 없어, 작업성을 향상시킬 수 있다.
또한, 각 배기 덕트 내의 압력이 일정하게 유지됨으로써, 압력 저하에 의해 화학 물질의 공급을 정지시키는 안전 회로가 작용하는 것을 방지할 수 있으므로, 처리 중의 웨이퍼(31)에 대하여 화학 물질의 공급이 정지됨으로 인한 생산 불량을 방지할 수 있어, 웨이퍼(31)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 각 배기 덕트 내의 압력이 일정하게 유지됨으로써, 압력 저하 방지를 위해, 각 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 여유를 갖고 크게 할 필요가 없으므로, 과도한 용력을 삭감할 수 있어, 에너지 절약화 및 생산 비용의 삭감을 도모할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 히터실 배기 덕트(50), 국소 배기 덕트(59), 스캐빈저 배기 덕트(75), 가스 박스 배기 덕트(98)가 모두 공장 배기 덕트(9)에 접속되어 있지만, 각 배기 덕트 중 일부만을 공장 배기 덕트(9)에 접속해도 된다. 예를 들어, 히터실 배기 덕트(50)와 국소 배기 덕트(59)를 합류시켜, 공장 배기 덕트(9)에 접속함과 함께, 스캐빈저 배기 덕트(75)와 가스 박스 배기 덕트(98)를 각각 단독으로 공장 외부로 연장 돌출시켜도 된다. 이 경우, 히터실 배기 댐퍼 밸브(48)에 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61)의 기능을 겸용시킴으로써, 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브(61)를 생략할 수 있다.
또한, 공장 배기 덕트(9)에 접속되는 각 배기 덕트의 조합은 상기에 한정하는 것은 아니고, 다양한 조합으로 공장 배기 덕트(9)에 접속 가능함은 물론이다.
1: 기판 처리 장치
8: 배기 덕트
9: 공장 배기 덕트
12: 처리로
35: 이동 탑재실
38: 보트
47: 히터실 흡기구
48: 히터실 배기 댐퍼 밸브
52: 조작부
59: 이동 탑재실 배기 덕트
61: 이동 탑재실 배기 댐퍼 밸브
65: 프로세스 튜브
74: 스캐빈저
75: 스캐빈저 배기 덕트
76: 스캐빈저 배기 댐퍼 밸브
79: 가스 박스
98: 가스 박스 배기 덕트
99: 가스 박스 배기 댐퍼 밸브

Claims (14)

  1. 처리 용기와,
    해당 처리 용기의 개구를 막는 덮개와,
    해당 덮개를 열었을 때 상기 처리 용기의 개구와 연통하여, 기판의 반송을 행하는 이동 탑재실과,
    상기 처리 용기 내의 상기 기판을 가열하는 히터와,
    상기 처리 용기에 공급하는 가스의 흐름을 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스와,
    상기 처리 용기에의 상기 가스의 도입부의 주변을 둘러싸도록 마련되는 스캐빈저와,
    상기 히터가 마련된 공간을 냉각한 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트와,
    상기 가스 박스 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트와,
    상기 스캐빈저 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트와,
    상기 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 분위기를 흡인해서 배출하는 국소 배기 덕트와,
    부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 접속된 상기 히터실 배기 덕트와, 상기 가스 박스 배기 덕트와, 상기 스캐빈저 배기 덕트와, 상기 국소 배기 덕트 중 적어도 하나에 마련된 개방도 가변 기구 구비의 배기 댐퍼 밸브와,
    설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련되어, 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어 가능하게 구성된 컨트롤러를 구비하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 가스 박스에서 사용하는 화학 물질의 정보, 해당 화학 물질을 사용하는 타이밍을 검출하여, 해당 화학 물질이 흐르고 있지 않을 때는, 자동으로 상기 배기 댐퍼 밸브를 원격 조작하여, 해당 배기 댐퍼 밸브를 완전 폐쇄로 하거나, 상기 가스 박스 내를 상기 화학 물질이 흐르고 있을 때보다도 높은 특정 압력으로 하도록 제어하게 구성된, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배기 댐퍼 밸브의 상류측의 압력 혹은 해당 배기 댐퍼 밸브의 유량을 검출하는 센서를 더 구비하고, 상기 컨트롤러는, 상기 센서가 검출한 압력 혹은 유량을 일정 값으로 유지하도록 상기 배기 댐퍼 밸브를 피드백 제어하도록 구성된, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도의 제어값을 입력하기 위한 입력부와, 입력한 제어값을 인식 가능하게 표시하는 표시부를 갖는 조작부를 구비하고, 입력된 제어값에 기초하여, 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 제어하도록 구성된, 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 배기 댐퍼 밸브는, 상기 스캐빈저 배기 덕트에 마련된 개방도 가변 기구 구비의 스캐빈저 배기 덕트 댐퍼 밸브를 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 배기 댐퍼 밸브는, 상기 가스 박스 배기 덕트에 마련된 개방도 가변 기구 구비의 가스 박스 배기 댐퍼 밸브를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 히터실 배기 덕트와, 상기 가스 박스 배기 덕트와, 상기 스캐빈저 배기 덕트와, 상기 국소 배기 덕트 중 어느 2개 이상은, 도중에 합류하여, 1 내지 3개의 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 접속되는, 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 피드백 제어는, 상기 센서가 검출한 압력 혹은 유량이, 상기 일정 값보다도 소정 이상 어긋났을 때, 혹은 압력이나 유량의 변화를 일으키는 상기 이동 탑재실 내의 클린 에어의 유량의 변화, 상기 히터의 냉각 상태의 변화, 상기 가스 박스 도어의 개방이 발생했다고 판단되었을 때 기동되어, 상기 피드백 제어가 수렴되거나, 기동으로부터 소정 시간 경과하면 종료되는, 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 가스 박스의 상류에 마련된 밸브의 개폐 상태, 상기 화학 물질의 공급관의 압력, 레시피의 실행 상황에 기초하여, 상기 가스 박스에 흐르는 상기 화학 물질의 유무를 판단하는, 기판 처리 장치.
  10. 처리 용기와,
    해당 처리 용기의 개구를 막는 덮개와,
    해당 덮개를 열었을 때 상기 처리 용기의 개구와 연통하여, 기판의 반송을 행하는 이동 탑재실과,
    상기 처리 용기 내의 상기 기판을 가열하는 히터와,
    상기 처리 용기에 공급하는 가스의 흐름을 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스와,
    상기 처리 용기에의 상기 가스의 도입부의 주변을 둘러싸도록 마련되는 스캐빈저와,
    상기 히터가 마련된 공간을 냉각한 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트와,
    상기 가스 박스 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트와,
    상기 스캐빈저 내의 분위기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트와,
    상기 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 분위기를 흡인해서 배출하는 국소 배기 덕트와,
    부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 접속된 상기 히터실 배기 덕트와, 상기 가스 박스 배기 덕트와, 상기 스캐빈저 배기 덕트와, 상기 국소 배기 덕트 중 적어도 하나에 마련된 개방도 가변 기구 구비의 배기 댐퍼 밸브와,
    상기 배기 댐퍼 밸브의 상류측의 압력 혹은 해당 배기 댐퍼 밸브의 유량을 검출하는 센서와,
    설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련되어, 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어 가능하게 구성된 컨트롤러와,
    상기 스캐빈저 배기 덕트 혹은 그 하류에 마련되어, 특정 가스종의 농도를 감시하는 가스 농도계와,
    가스 농도계가 규정값보다도 높은 농도의 가스를 검지했을 때 개방되어, 희석용 질소 가스를 상기 스캐빈저 배기 덕트 혹은 그 하류에 방출하는 긴급 희석 밸브를 구비하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 센서가 검출한 압력 혹은 유량을 일정 값으로 유지하도록 상기 배기 댐퍼 밸브를 피드백 제어하는, 기판 처리 장치.
  11. 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 분위기를 흡인해서 배출하는 배기 덕트로부터의 배기를, 개방도 가변 기구 구비의 적어도 하나의 배기 댐퍼 밸브를 통해서, 부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 배기하면서, 처리 용기의 덮개를 열었을 때 처리 용기의 개구와 연통하는 이동 탑재실에 기판을 반송하는 공정과, 상기 처리 용기에의 가스의 도입부의 주위를 둘러싸도록 마련되는 스캐빈저 내의 공기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트로부터의 배기와, 상기 처리 용기에 공급하는 가스를 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스 내의 공기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서, 히터에 의해 상기 처리 용기 내의 기판을 상기 처리 용기 외부로부터 가열하여, 상기 기판을 처리하는 공정과, 상기 히터에 의해 가열되어 냉각된 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서 상기 히터를 냉각하는 공정을 갖고, 상기 반송하는 공정, 처리하는 공정 및 냉각하는 공정에서는, 설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련된 컨트롤러가, 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어하도록 구성되고,
    상기 컨트롤러는, 상기 가스 박스에서 사용하는 화학 물질의 정보, 해당 화학 물질을 사용하는 타이밍을 검출하여, 해당 화학 물질이 흐르고 있지 않을 때는, 자동으로 상기 배기 댐퍼 밸브를 원격 조작하여, 해당 배기 댐퍼 밸브를 완전 폐쇄로 하거나, 상기 가스 박스 내를 상기 화학 물질이 흐르고 있을 때보다도 높은 특정 압력으로 하도록 제어하게 구성된, 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 분위기를 흡인해서 배출하는 배기 덕트로부터의 배기를, 개방도 가변 기구 구비의 적어도 하나의 배기 댐퍼 밸브를 통해서, 부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 배기하면서, 처리 용기의 덮개를 열었을 때 처리 용기의 개구와 연통하는 이동 탑재실에 기판을 반송하는 수순과, 상기 처리 용기에의 가스의 도입부의 주위를 둘러싸도록 마련되는 스캐빈저 내의 공기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트로부터의 배기와, 상기 처리 용기에 공급하는 가스를 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스 내의 공기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서, 히터에 의해 상기 처리 용기 내의 기판을 상기 처리 용기 외부로부터 가열하여, 상기 기판을 처리하는 수순과, 상기 히터에 의해 가열되어 냉각된 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서 상기 히터를 냉각하는 수순과, 설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련된 조작부에의 조작을 받아, 상기 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어하는 수순을, 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키고,
    상기 조작부는, 상기 가스 박스에서 사용하는 화학 물질의 정보, 해당 화학 물질을 사용하는 타이밍을 검출하여, 해당 화학 물질이 흐르고 있지 않을 때는, 자동으로 상기 배기 댐퍼 밸브를 원격 조작하여, 해당 배기 댐퍼 밸브를 완전 폐쇄로 하거나, 상기 가스 박스 내를 상기 화학 물질이 흐르고 있을 때보다도 높은 특정 압력으로 하도록 제어하게 구성된, 컴퓨터 판독 가능한 기록매체에 기록된 프로그램.
  13. 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 분위기를 흡인해서 배출하는 배기 덕트로부터의 배기를, 개방도 가변 기구 구비의 적어도 하나의 배기 댐퍼 밸브를 통해서, 부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 배기하면서, 처리 용기의 덮개를 열었을 때 처리 용기의 개구와 연통하는 이동 탑재실에 기판을 반송하는 공정과, 상기 처리 용기에의 가스의 도입부의 주위를 둘러싸도록 마련되는 스캐빈저 내의 공기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트로부터의 배기와, 상기 처리 용기에 공급하는 가스를 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스 내의 공기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서, 히터에 의해 상기 처리 용기 내의 기판을 상기 처리 용기 외부로부터 가열하여, 상기 기판을 처리하는 공정과, 상기 히터에 의해 가열되어 냉각된 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서 상기 히터를 냉각하는 공정을 갖고, 상기 반송하는 공정, 처리하는 공정 및 냉각하는 공정에서는, 설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련된 컨트롤러가, 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 배기 댐퍼 밸브의 상류측의 압력 혹은 해당 배기 댐퍼 밸브의 유량을 검출하는 센서에 의해 검출된 압력 혹은 유량을 일정 값으로 유지하도록 상기 배기 댐퍼 밸브를 피드백 제어하도록 구성되고,
    상기 처리하는 공정은, 상기 스캐빈저 배기 덕트 혹은 그 하류에 마련되어, 특정 가스종의 농도를 감시하는 가스 농도계가 규정값보다도 높은 농도의 가스를 검지했을 때, 희석용 질소 가스를 상기 스캐빈저 배기 덕트 혹은 그 하류에 방출하는 긴급 희석 밸브를 개방하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 이동 탑재실 내의 소정의 개소에 마련된 국소 배기구에 연통하여, 분위기를 흡인해서 배출하는 배기 덕트로부터의 배기를, 개방도 가변 기구 구비의 적어도 하나의 배기 댐퍼 밸브를 통해서, 부압으로 유지된 공장 배기 덕트에 배기하면서, 처리 용기의 덮개를 열었을 때 처리 용기의 개구와 연통하는 이동 탑재실에 기판을 반송하는 수순과, 상기 처리 용기에의 가스의 도입부의 주위를 둘러싸도록 마련되는 스캐빈저 내의 공기를 흡인해서 배출하는 스캐빈저 배기 덕트로부터의 배기와, 상기 처리 용기에 공급하는 가스를 제어하는 기기를 수납하는 가스 박스 내의 공기를 흡인해서 배출하는 가스 박스 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서, 히터에 의해 상기 처리 용기 내의 기판을 상기 처리 용기 외부로부터 가열하여, 상기 기판을 처리하는 수순과, 상기 히터에 의해 가열되어 냉각된 공기를 배출하는 히터실 배기 덕트로부터의 배기를, 상기 배기 댐퍼 밸브를 통해서 상기 공장 배기 덕트에 배기하면서 상기 히터를 냉각하는 수순과, 설치면으로부터 조작 가능한 높이에 마련된 조작부에의 조작을 받아, 상기 조작에 따라서 상기 배기 댐퍼 밸브의 개방도를 원격 제어하는 수순을, 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키고,
    상기 조작부는, 상기 배기 댐퍼 밸브의 상류측의 압력 혹은 해당 배기 댐퍼 밸브의 유량을 검출하는 센서에 의해 검출된 압력 혹은 유량을 일정 값으로 유지하도록 상기 배기 댐퍼 밸브를 피드백 제어하도록 구성되고,
    상기 처리하는 수순은, 상기 스캐빈저 배기 덕트 혹은 그 하류에 마련되어, 특정 가스종의 농도를 감시하는 가스 농도계가 규정값보다도 높은 농도의 가스를 검지했을 때, 희석용 질소 가스를 상기 스캐빈저 배기 덕트 혹은 그 하류에 방출하는 긴급 희석 밸브를 개방하는 수순을 포함하는, 컴퓨터 판독 가능한 기록매체에 기록된 프로그램.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114798591B (zh) * 2021-01-27 2023-08-18 中国科学院微电子研究所 基于晶片清理仓的气压调控装置及方法
JP7165771B2 (ja) * 2021-03-18 2022-11-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN113739500B (zh) * 2021-09-03 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 排气组件、半导体工艺设备和晶圆冷却控制方法
CN115241093A (zh) * 2022-07-26 2022-10-25 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体反应腔室

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100251873B1 (ko) * 1993-01-21 2000-04-15 마쓰바 구니유키 종형 열처리 장치
JP2002280317A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07190431A (ja) 1993-12-28 1995-07-28 Fujitsu Ltd 局所排気装置の制御風速自動警報装置
JP4218825B2 (ja) 2002-12-10 2009-02-04 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP2005183596A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Seiko Epson Corp 熱処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007242791A (ja) 2006-03-07 2007-09-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5252850B2 (ja) * 2007-07-30 2013-07-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5133013B2 (ja) * 2007-09-10 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
KR101066138B1 (ko) * 2008-04-14 2011-09-20 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2011222656A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2013062271A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR101408084B1 (ko) * 2011-11-17 2014-07-04 주식회사 유진테크 보조가스공급포트를 포함하는 기판 처리 장치
WO2013141371A1 (ja) 2012-03-22 2013-09-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法
KR101740613B1 (ko) * 2012-09-27 2017-05-26 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6042160B2 (ja) * 2012-10-03 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6155706B2 (ja) * 2013-03-06 2017-07-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101594932B1 (ko) * 2014-04-01 2016-02-18 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101652164B1 (ko) * 2014-07-10 2016-09-09 주식회사 포스코건설 보일러의 분진전처리장치 및 이를 이용한 화력발전소의 배기가스 처리 방법
KR101985370B1 (ko) * 2015-01-21 2019-06-03 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치
KR101998578B1 (ko) 2015-08-04 2019-07-10 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20190045410A (ko) * 2016-06-30 2019-05-02 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP6484601B2 (ja) * 2016-11-24 2019-03-13 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100251873B1 (ko) * 1993-01-21 2000-04-15 마쓰바 구니유키 종형 열처리 장치
JP2002280317A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

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