JP2012104701A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。
【選択図】図３

Description

本発明は、シリコンウェーハ等の基板に、成膜処理、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の所定の処理を行う基板処理装置、特に、基板処理装置の操作画面に表示する画面制御に関するものである。

基板処理装置の一種である半導体製造装置のメインコントローラにおいて、立ち上げ時にパラメータファイルの破損を発見した場合、そのパラメータを新規で作成しデフォルト値(初期値)でコントローラを立ち上げる。この場合、パラメータの暫定的なデフォルトデータでコントローラが立ち上がっていることが分からない。また、この状態で半導体製造装置を運用するとトラブルが発生する可能性がある。

本発明は斯かる実情に鑑み、メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供するものである。

本発明は、複数のステップで構成されるレシピファイルを実行するメインコントローラを備えた基板処理装置であって、前記メインコントローラは、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作部に表示し、前記パラメータファイルを利用するレシピファイルを実行させないように構成されている。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

本発明によれば、メインコントローラの立ち上げ時にパラメータファイルの破損が発見された場合、メインコントローラ起動後に、項番（No.で示す）と、ファイル種別と、異常コードと、異常コードの内容と、対処方法を含む内容を破損ファイル一覧ダイアログとして表示するようにしたので、対処方法を実行することにより、デフォルト値で再生したパラメータファイルを使用するのを未然に防ぐことができる。更に、異常コードが、装置運用に支障をきたすコードの場合、レシピを実行できなくする等装置運用自体を停止するようにしたので、正しくないパラメータのままの運用を防止したため、異常な成膜処理が行われない。従い、レシピ運用時のトラブルを防止できる。また、破損ファイル一覧ダイアログの内容はファイルに保存され、所定の記憶媒体にコピーできるようにしたので、破損ファイル一覧データを保守員にメール等で送信することができる。従い、迅速な対応が可能であり、且つ、人件費の節約も可能である。

本発明の基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の基板処理装置を示す側断面図である。 本発明の基板処理システムのコントローラ構成を示す図である。 破損ファイル一覧画面の表示例を示す図である。 パラメータファイル破損異常のエラーメッセージの一例を示す図である。 プロセスレシピを開始させるスタートボタンの一例を示す図である。 本発明の実施形態におけるアラーム表示例を示す図である。

まず、図３を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成及び動作について説明する。

図３に示すとおり、基板処理システムは、基板に処理を行う少なくとも一台以上の基板処理装置１と、基板処理装置１に接続される群管理装置２０とを備える。尚、基板処理装置１と群管理装置２０との接続は、通信ケーブル等による直接接続であっても良いし、構内回線を介したネットワーク接続でも良いし、インターネットや専用線網などの広域回線を介したネットワーク接続であっても良い。また、基板処理装置１は、基板を処理するための基板処理系２５０と、基板処理系２５０に接続されたメインコントローラとしての基板処理用コントローラ２４０と、基板処理用コントローラ２４０に接続された操作部としての操作端末２４１を備える。また、操作端末２４１は、少なくとも操作画面を有し、ユーザ(作業者)が操作する際に用いる入出力装置を担う。群管理装置１０は、ネットワーク等を介して基板処理装置１に接続される郡管理コントローラ２００と、郡管理コントローラ２００に接続され、ユーザ(作業者)が郡管理装置２０を操作する際に用いる入出力装置を担う操作端末２２０とを備える。基板処理システムは、このような構成において、基板処理装置１は、群管理装置２０に稼動状態や障害を含む各種情報を送信している。また、送信する情報（データ）は、基板処理装置１００で生成される情報を全て送信しても良いし、予め設定された所定の情報のみを送信するようにしても良い。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。

先ず、図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置について説明する。

図１、図２は基板処理装置の一例として縦型の基板処理装置を示している。尚、該基板処理装置に於いて処理される基板は、一例としてシリコン等から成るウェーハが示されている。

基板処理装置１は筐体２を備え、該筐体２の正面壁３の下部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。

前記筐体２の前記正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。

該ポッド９は密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。

前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３は前記ポッド９を複数個宛載置した状態で格納する様に構成されている。

前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。

前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送機構（容器搬送機構）１５が設置されており、該ポッド搬送機構１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ（基板）１８を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が一対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。

該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入口を開閉する様に構成されている。

前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送機構１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハ１８を載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート（基板保持体）２６に対してウェーハ１８を装填及び払出しする様に構成されている。

前記移載室２３の後側領域には、前記ボート２６を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。該処理炉２８は内部に処理室２９を形成し、該処理室２９の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）３１により開閉される様になっている。

前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート２６を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３２が設置されている。該ボートエレベータ３２の昇降台に連結されたアーム３３には蓋体としてのシールキャップ３４が水平に取付けられており、該シールキャップ３４は前記ボート２６を垂直に支持し、該ボート２６を前記処理室２９に装入した状態で前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。

前記ボート２６は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１８をその中心に揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。

前記ボートエレベータ３２側と対向した位置にはクリーンユニット３５が配設され、該クリーンユニット３５は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３６を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３５との間には、ウェーハ１８の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。

前記クリーンユニット３５から吹出された前記クリーンエア３６は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３５によって前記移載室２３内に吹出されるように構成されている。

次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。

前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。

この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３６が流通され、充満している。例えば、前記移載室２３には前記クリーンエア３６として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遙かに低く設定されている。

前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。

前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１８は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１８を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１８を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート２６に装填（チャージング）する。

該ボート２６にウェーハ１８を受渡した前記ウェーハ移載機構２４は前記ポッド９に戻り、次のウェーハ１８を前記ボート２６に装填する。

一方（上端又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によりウェーハ１８の前記ボート２６への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウェーハ１８が前記ボート２６に装填されると前記炉口シャッタ３１によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が前記炉口シャッタ３１によって開放される。続いて、前記ボート２６は前記ボートエレベータ３２によって上昇され、前記処理室２９に搬入（ローディング）される。

ローディング後は、前記シールキャップ３４によって炉口部が気密に閉塞される。

前記処理室２９が所望の圧力（真空度）となる様にガス排気機構（図示せず）によって真空排気される。又、前記処理室２９が所望の温度分布となる様にヒータ駆動部（図示せず）によって所定温度迄加熱される。

又、ガス供給機構（図示せず）により、所定の流量に制御された処理ガスが供給され、処理ガスが前記処理室２９を流通する過程で、ウェーハ１８の表面と接触し、ウェーハ１８の表面上に所定の処理が実施される。更に、反応後の処理ガスは、前記ガス排気機構により前記処理室２９から排気される。

そして、前記ボートエレベータ３２により前記シールキャップ３４を介して前記ボート２６が降下される。

処理後のウェーハ１８の搬出については、上記説明と逆の手順で、ウェーハ１８及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。未処理のウェーハ１８が、更に前記ボート２６に装填され、ウェーハ１８のバッチ処理が繰返される。

前記処理炉２８、少なくとも基板を搬送する機構であるポッド搬送機構１５、ウェーハ移載機構２４、ボートエレベータ３２を含む搬送機構、前記処理炉２８に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉２８内を排気するガス排気機構、前記処理炉２８を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉２８、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部は、基板処理用コントローラ２４０により、それぞれ制御される。

次に、本発明の一実施形態にかかる操作端末２４１の操作画面に於ける表示例について説明する。

基板処理装置１のメインコントローラ２４０を立ち上げた時に、各パラメータを展開するためにファイルをオープンする。オープン結果が正常であればそのままパラメータを展開し、異常であれば、項番(Ｎｏ．)を添付して、異常と判定されたパラメータのファイル種別、異常コード、その異常の内容、異常への対処方法を、メインコントローラ起動後に破損ファイル一覧ダイアログとして表示し警告を促す。

図４は、破損ファイル一覧ダイアログの表示例である。尚、この内容は、ファイルに保存し、所定の記憶媒体にコピーできるよう構成される。

図５に示すように、図４の破損ファイル一覧ダイアログで表示される異常コードが、半導体製造装置の運用に支障をきたすコード(ファイルをオープンできなかったコード)の場合、運転ボタンを押しても「パラメータ破損異常のため運転動作を行えません」というメッセージを表示して半導体製造装置を運用できなくするように構成される。また、図６に示すようにレシピをＳｔａｒｔボタンを押しても、図７に示されるように「パラメータ破損異常」のアラームを表示すると共にアラームを発生させるように構成される。

このように、本実施の形態によれば、半導体製造装置のメインコントローラ２４０において立ち上げ時に、パラメータファイルの破損が発見されると、メインコントローラ起動後に、項番(No.)を付加し、ファイル種別、異常コード、異常の内容、異常への対処方法を含む破損ファイルとして操作端末２４１に表示して、ユーザへ警告を促すように構成される。また、異常コードが、装置運用に支障をきたすコードであれば、画面上に表示される運転ボタンやレシピのＳｔａｒｔボタンを無効にして装置運用を停止するように構成される。尚、破損ファイル一覧ダイアログの内容は、ファイルに保存され、所定の記録媒体に自動的にコピーされるように構成される。

又、本発明の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置の様なガラス基板を処理する装置にも適用でき、縦型基板処理装置だけではなく、枚葉式の基板処理装置や横型の処理炉を有する基板処理装置にも適用できる。更に、露光装置やリソグラフィ装置、塗布装置等の他の基板処理装置に対しても同様に適用できるのは言う迄もない。

１ 基板処理装置
１８ ウェーハ
２０ 群管理装置
２４０ 基板処理用コントローラ(メインコントローラ)
２４１ 操作端末(操作部)

Claims (2)

1. 複数のステップで構成されるレシピファイルを実行するメインコントローラを備えた基板処理装置であって、前記メインコントローラは、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作部に表示する基板処理装置。
2. 前記パラメータファイルを実行時に使用する前記レシピファイルは、実行されないように構成される請求項１の基板処理装置。