JP2007027772A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
半導体製造装置に於いて、反応管からのガスの漏出を確実に防止し、更に反応管及び反応管の関連部分から漏出したガスの拡散を防止し、漏出したガスによる弊害を除去し、更に反応ガスが爆発性のガスであった場合に、爆発による機器の損傷を防止する。
【解決手段】
ヒータベース1にヒータ5が立設され、下端部が開口する反応管7が前記ヒータ内部に配設され、前記反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記反応管の下端に設けられた反応管フランジ29を第1のシール材を介してベースプレート31に乗置し、前記反応管の開口部を第2のシール材25を介して閉塞するシールキャップ12と前記ベースプレートとの間にロック機構を設けた。
【選択図】 図1
Description
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
5 ヒータ
7 反応管
9 ガス供給管
11 排気管
12 シールキャップ
25 シールリング
26 フランジ
27 シールリング
29 反応管フランジ
30 シール溝
36 吸入ポート
48 フランジ
49 フランジ
53 フランジ
54 フランジ
65 不活性ガス導入管
68 不活性ガス排気管
71 スカベンジャー
83 覗き窓
85 耐圧ガラス
90 ロック機構
93 ロックシリンダ
95 ブラケット
96 クランプ受け
Claims (1)
- ヒータベースにヒータが立設され、下端部が開口する反応管が前記ヒータ内部に配設され、前記反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記反応管の下端に設けられた反応管フランジを第1のシール材を介してベースプレートに乗置し、前記反応管の開口部を第2のシール材を介して閉塞するシールキャップと前記ベースプレートとの間にロック機構を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006229775A JP4167280B2 (ja) | 2006-08-25 | 2006-08-25 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP01975895A Division JP3982844B2 (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2007027772A true JP2007027772A (ja) | 2007-02-01 |
JP4167280B2 JP4167280B2 (ja) | 2008-10-15 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006229775A Expired - Lifetime JP4167280B2 (ja) | 2006-08-25 | 2006-08-25 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4167280B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011176178A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置および半導体装置の製造方法 |
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-
2006
- 2006-08-25 JP JP2006229775A patent/JP4167280B2/ja not_active Expired - Lifetime
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