JPH06338473A - 半導体製造装置の縦型炉 - Google Patents
半導体製造装置の縦型炉Info
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- JPH06338473A JPH06338473A JP14865693A JP14865693A JPH06338473A JP H06338473 A JPH06338473 A JP H06338473A JP 14865693 A JP14865693 A JP 14865693A JP 14865693 A JP14865693 A JP 14865693A JP H06338473 A JPH06338473 A JP H06338473A
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Abstract
加熱温度が達成できる炉構造を提供する。 【構成】ヒータユニットから熱を直接受ける部分を少な
くとも炭化硅素材料とし、炉体構成物の耐熱性を増大さ
せ、加熱温度の高温化を可能とする。
Description
であり、拡散処理、酸化膜生成等の処理を行う縦型炉に
関するものである。
嵌装され、前記反応管1とヒータユニット2との間には
石英製均熱管3が設けられている。前記反応管1には上
部に連通する石英製ガス導入管4が設けられ、又反応管
1の下部には石英製排ガス口5が設けられ、該排ガス口
5には排気管6が接続されている。前記反応管1内には
ウェーハ7が石英製ボート8により水平姿勢で多段に保
持されて装入される。該ボート8は石英製のボートキャ
ップ11を介して前記炉口フランジ9に載設されてい
る。又、前記ボートキャップ11のフランジには炉口部
を気密にシールする為のシールリング12が設けられて
いる。
塞する炉口フランジ、19は半導体製造装置の縦型炉が
設けられる炉体基板である。
れ、前記ガス導入管4より反応ガスが導入され、前記ウ
ェーハ7表面への成膜、熱拡散等熱処理が行われ、導入
されたガスは前記排気管6より排気される。
造では、反応管1、ボート8、ボートキャップ11が石
英製であることから、加熱温度を石英の耐熱温度の11
50℃迄しか加熱できないという問題があった。
熱温度が達成できる炉構造を提供しようとするものであ
る。
トから熱を直接受ける部分を少なくとも炭化硅素材料と
したことを特徴とするものである。
くとも炭化硅素材料としたので、炉体構成物の耐熱性が
増大し、加熱温度をより高温とすることができる。
説明する。
を有するものには同符号を付してある。
下部キャップ14の上下2段の分割構造とし、前記上部
キャップ13を炭化硅素(SiC)製とし、前記下部キ
ャップ14を石英製とする。又前記上部キャップ13と
下部キャップ14の境界には炭化硅素製の遮熱プレート
15を載設する。
石英製の反応管アダプタ17とで構成し、前記反応管本
体16は前記反応管アダプタ17に載設される。
形成され、上フランジの所要位置に反応管導入ノズル1
8が設けられている。又、前記反応管本体16の内部に
は炭化硅素製のガス導入管4が設けられ、該ガス導入管
4は反応管本体16の上端部に開口し、該ガス導入管4
の下端は反応管本体16が前記反応管アダプタ17の上
フランジに乗置した状態で前記反応管導入ノズル18に
連通する様になっている。
設けられた反応管支持座20に乗置しており、前記反応
管アダプタ17の下フランジが固定リング21により前
記反応管支持座20に固定されている。該固定リング2
1には冷却水路22が形成され、該冷却水路22に冷却
水を流通することでシールリング12の冷却を行う。
に載置され、該ボートキャップ11の取付け面には前記
シールリング12が設けられ、該シールリング12内側
の前記ボートキャップ11下端に形成されたフランジ上
に石英製の不透明リング23が設けられる。
前記炉体基板19に立設されており、該環座24は非発
熱体である。
ける部分を耐熱性の高い炭化硅素製とし、直接熱を受け
ない部分を石英製としたので炉の構成物の耐熱性が向上
し、又遮熱プレート15により炉内部からの熱輻射を遮
断し、又前記シールリング12の内側に不透明リング2
3を配設することで前記シールリング12への熱輻射を
遮断する。更に又、前記ヒータユニット2の下端部に環
座24を設けることで炉口部へのヒータユニット2から
熱遮断効果を増大させている。
への熱影響の低減が図られ、半導体製造装置の縦型炉の
加熱温度の高温化が可能となる。
熱性能が向上するので1150℃以上の高温加熱が可能
となる。
ある。
Claims (7)
- 【請求項1】 ヒータユニットから熱を直接受ける部分
を少なくとも炭化硅素材料としたことを特徴とする半導
体製造装置の縦型炉。 - 【請求項2】 ボートが載置されるボートキャップを炭
化硅素製の上部キャップと石英製の下部キャップとの分
割構成とした請求項1の半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項3】 上部キャップと下部キャップとの境界に
遮熱プレートを設けた請求項2の半導体製造装置の縦型
炉。 - 【請求項4】 反応管を炭化硅素製の反応管本体と該反
応管本体が載置される石英製の反応管アダプタとで構成
した請求項1の半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項5】 反応管本体に炭化硅素製のガス導入管を
設け、反応管アダプタに反応管導入ノズルを設け、反応
管本体を反応管アダプタに乗置した状態で前記ガス導入
管と反応管導入ノズルとが連通する請求項4の半導体製
造装置の縦型炉。 - 【請求項6】 炉口部のシール材内側に不透明リングを
設けた請求項1の半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項7】 ヒータユニット下端部に非発熱体の環座
を設けた請求項1の半導体製造装置の縦型炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14865693A JP3388810B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14865693A JP3388810B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06338473A true JPH06338473A (ja) | 1994-12-06 |
JP3388810B2 JP3388810B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=15457690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14865693A Expired - Lifetime JP3388810B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3388810B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032386A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
JP2006261317A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
JP2007027772A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP14865693A patent/JP3388810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032386A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
JP4700300B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2011-06-15 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置 |
JP2006261317A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
JP2007027772A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
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Publication number | Publication date |
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JP3388810B2 (ja) | 2003-03-24 |
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