JPH06338473A - 半導体製造装置の縦型炉 - Google Patents
半導体製造装置の縦型炉Info
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- JPH06338473A JPH06338473A JP14865693A JP14865693A JPH06338473A JP H06338473 A JPH06338473 A JP H06338473A JP 14865693 A JP14865693 A JP 14865693A JP 14865693 A JP14865693 A JP 14865693A JP H06338473 A JPH06338473 A JP H06338473A
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- furnace
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置の縦型炉に於いて、より高温の
加熱温度が達成できる炉構造を提供する。 【構成】ヒータユニットから熱を直接受ける部分を少な
くとも炭化硅素材料とし、炉体構成物の耐熱性を増大さ
せ、加熱温度の高温化を可能とする。
加熱温度が達成できる炉構造を提供する。 【構成】ヒータユニットから熱を直接受ける部分を少な
くとも炭化硅素材料とし、炉体構成物の耐熱性を増大さ
せ、加熱温度の高温化を可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置の１つ
であり、拡散処理、酸化膜生成等の処理を行う縦型炉に
関するものである。
であり、拡散処理、酸化膜生成等の処理を行う縦型炉に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に於いて縦型炉の概略を説明する。
【０００３】石英製の反応管１はヒータユニット２内に
嵌装され、前記反応管１とヒータユニット２との間には
石英製均熱管３が設けられている。前記反応管１には上
部に連通する石英製ガス導入管４が設けられ、又反応管
１の下部には石英製排ガス口５が設けられ、該排ガス口
５には排気管６が接続されている。前記反応管１内には
ウェーハ７が石英製ボート８により水平姿勢で多段に保
持されて装入される。該ボート８は石英製のボートキャ
ップ１１を介して前記炉口フランジ９に載設されてい
る。又、前記ボートキャップ１１のフランジには炉口部
を気密にシールする為のシールリング１２が設けられて
いる。
嵌装され、前記反応管１とヒータユニット２との間には
石英製均熱管３が設けられている。前記反応管１には上
部に連通する石英製ガス導入管４が設けられ、又反応管
１の下部には石英製排ガス口５が設けられ、該排ガス口
５には排気管６が接続されている。前記反応管１内には
ウェーハ７が石英製ボート８により水平姿勢で多段に保
持されて装入される。該ボート８は石英製のボートキャ
ップ１１を介して前記炉口フランジ９に載設されてい
る。又、前記ボートキャップ１１のフランジには炉口部
を気密にシールする為のシールリング１２が設けられて
いる。
【０００４】図中、９は反応管１の炉口１０を気密に閉
塞する炉口フランジ、１９は半導体製造装置の縦型炉が
設けられる炉体基板である。
塞する炉口フランジ、１９は半導体製造装置の縦型炉が
設けられる炉体基板である。
【０００５】ヒータユニット２で反応管１内部が加熱さ
れ、前記ガス導入管４より反応ガスが導入され、前記ウ
ェーハ７表面への成膜、熱拡散等熱処理が行われ、導入
されたガスは前記排気管６より排気される。
れ、前記ガス導入管４より反応ガスが導入され、前記ウ
ェーハ７表面への成膜、熱拡散等熱処理が行われ、導入
されたガスは前記排気管６より排気される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した縦型炉の炉構
造では、反応管１、ボート８、ボートキャップ１１が石
英製であることから、加熱温度を石英の耐熱温度の１１
５０℃迄しか加熱できないという問題があった。
造では、反応管１、ボート８、ボートキャップ１１が石
英製であることから、加熱温度を石英の耐熱温度の１１
５０℃迄しか加熱できないという問題があった。
【０００７】本発明は斯かる実情に鑑み、より高温の加
熱温度が達成できる炉構造を提供しようとするものであ
る。
熱温度が達成できる炉構造を提供しようとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータユニッ
トから熱を直接受ける部分を少なくとも炭化硅素材料と
したことを特徴とするものである。
トから熱を直接受ける部分を少なくとも炭化硅素材料と
したことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】ヒータユニットから熱を直接受ける部分を少な
くとも炭化硅素材料としたので、炉体構成物の耐熱性が
増大し、加熱温度をより高温とすることができる。
くとも炭化硅素材料としたので、炉体構成物の耐熱性が
増大し、加熱温度をより高温とすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１１】図１中、図２中で示したものと同一の機能
を有するものには同符号を付してある。
を有するものには同符号を付してある。
【００１２】ボートキャップ１１を上部キャップ１３と
下部キャップ１４の上下２段の分割構造とし、前記上部
キャップ１３を炭化硅素（ＳｉＣ）製とし、前記下部キ
ャップ１４を石英製とする。又前記上部キャップ１３と
下部キャップ１４の境界には炭化硅素製の遮熱プレート
１５を載設する。
下部キャップ１４の上下２段の分割構造とし、前記上部
キャップ１３を炭化硅素（ＳｉＣ）製とし、前記下部キ
ャップ１４を石英製とする。又前記上部キャップ１３と
下部キャップ１４の境界には炭化硅素製の遮熱プレート
１５を載設する。
【００１３】反応管１を炭化硅素製の反応管本体１６と
石英製の反応管アダプタ１７とで構成し、前記反応管本
体１６は前記反応管アダプタ１７に載設される。
石英製の反応管アダプタ１７とで構成し、前記反応管本
体１６は前記反応管アダプタ１７に載設される。
【００１４】該反応管アダプタ１７は上下にフランジが
形成され、上フランジの所要位置に反応管導入ノズル１
８が設けられている。又、前記反応管本体１６の内部に
は炭化硅素製のガス導入管４が設けられ、該ガス導入管
４は反応管本体１６の上端部に開口し、該ガス導入管４
の下端は反応管本体１６が前記反応管アダプタ１７の上
フランジに乗置した状態で前記反応管導入ノズル１８に
連通する様になっている。
形成され、上フランジの所要位置に反応管導入ノズル１
８が設けられている。又、前記反応管本体１６の内部に
は炭化硅素製のガス導入管４が設けられ、該ガス導入管
４は反応管本体１６の上端部に開口し、該ガス導入管４
の下端は反応管本体１６が前記反応管アダプタ１７の上
フランジに乗置した状態で前記反応管導入ノズル１８に
連通する様になっている。
【００１５】前記反応管アダプタ１７は炉体基板１９に
設けられた反応管支持座２０に乗置しており、前記反応
管アダプタ１７の下フランジが固定リング２１により前
記反応管支持座２０に固定されている。該固定リング２
１には冷却水路２２が形成され、該冷却水路２２に冷却
水を流通することでシールリング１２の冷却を行う。
設けられた反応管支持座２０に乗置しており、前記反応
管アダプタ１７の下フランジが固定リング２１により前
記反応管支持座２０に固定されている。該固定リング２
１には冷却水路２２が形成され、該冷却水路２２に冷却
水を流通することでシールリング１２の冷却を行う。
【００１６】前記ボートキャップ１１は炉口フランジ９
に載置され、該ボートキャップ１１の取付け面には前記
シールリング１２が設けられ、該シールリング１２内側
の前記ボートキャップ１１下端に形成されたフランジ上
に石英製の不透明リング２３が設けられる。
に載置され、該ボートキャップ１１の取付け面には前記
シールリング１２が設けられ、該シールリング１２内側
の前記ボートキャップ１１下端に形成されたフランジ上
に石英製の不透明リング２３が設けられる。
【００１７】前記ヒータユニット２は環座２４を介して
前記炉体基板１９に立設されており、該環座２４は非発
熱体である。
前記炉体基板１９に立設されており、該環座２４は非発
熱体である。
【００１８】以上、ヒータユニット２からの熱を直接受
ける部分を耐熱性の高い炭化硅素製とし、直接熱を受け
ない部分を石英製としたので炉の構成物の耐熱性が向上
し、又遮熱プレート１５により炉内部からの熱輻射を遮
断し、又前記シールリング１２の内側に不透明リング２
３を配設することで前記シールリング１２への熱輻射を
遮断する。更に又、前記ヒータユニット２の下端部に環
座２４を設けることで炉口部へのヒータユニット２から
熱遮断効果を増大させている。
ける部分を耐熱性の高い炭化硅素製とし、直接熱を受け
ない部分を石英製としたので炉の構成物の耐熱性が向上
し、又遮熱プレート１５により炉内部からの熱輻射を遮
断し、又前記シールリング１２の内側に不透明リング２
３を配設することで前記シールリング１２への熱輻射を
遮断する。更に又、前記ヒータユニット２の下端部に環
座２４を設けることで炉口部へのヒータユニット２から
熱遮断効果を増大させている。
【００１９】而して、炉体自体の耐熱性の向上、炉口部
への熱影響の低減が図られ、半導体製造装置の縦型炉の
加熱温度の高温化が可能となる。
への熱影響の低減が図られ、半導体製造装置の縦型炉の
加熱温度の高温化が可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、炉の耐
熱性能が向上するので１１５０℃以上の高温加熱が可能
となる。
熱性能が向上するので１１５０℃以上の高温加熱が可能
となる。
【図１】本発明の一実施例を示す炉口部の一部断面図で
ある。
ある。
【図２】従来例の断面図である。
１ 反応管 ２ ヒータユニット ４ ガス導入管 １１ ボートキャップ １３ 上部キャップ １４ 下部キャップ １５ 遮熱プレート １６ 反応管本体 １７ 反応管アダプタ １８ 反応管導入ノズル
Claims (7)
- 【請求項１】 ヒータユニットから熱を直接受ける部分
を少なくとも炭化硅素材料としたことを特徴とする半導
体製造装置の縦型炉。 - 【請求項２】 ボートが載置されるボートキャップを炭
化硅素製の上部キャップと石英製の下部キャップとの分
割構成とした請求項１の半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項３】 上部キャップと下部キャップとの境界に
遮熱プレートを設けた請求項２の半導体製造装置の縦型
炉。 - 【請求項４】 反応管を炭化硅素製の反応管本体と該反
応管本体が載置される石英製の反応管アダプタとで構成
した請求項１の半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項５】 反応管本体に炭化硅素製のガス導入管を
設け、反応管アダプタに反応管導入ノズルを設け、反応
管本体を反応管アダプタに乗置した状態で前記ガス導入
管と反応管導入ノズルとが連通する請求項４の半導体製
造装置の縦型炉。 - 【請求項６】 炉口部のシール材内側に不透明リングを
設けた請求項１の半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項７】 ヒータユニット下端部に非発熱体の環座
を設けた請求項１の半導体製造装置の縦型炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865693A JP3388810B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865693A JP3388810B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338473A true JPH06338473A (ja) | 1994-12-06 |
| JP3388810B2 JP3388810B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=15457690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14865693A Expired - Lifetime JP3388810B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3388810B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032386A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| JP2006261317A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
| JP2007027772A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP14865693A patent/JP3388810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032386A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| JP4700300B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2011-06-15 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置 |
| JP2006261317A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
| JP2007027772A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3388810B2 (ja) | 2003-03-24 |
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