TWI743391B - 半導體基板清洗裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭示了一種半導體基板清洗裝置。裝置包括腔室、卡盤、液體收集器、圍牆、至少一個驅動裝置、至少一個內部分配器及至少一個外部分配器。腔室具有頂壁、側壁和底壁。卡盤設置在腔室內用來保持半導體基板。液體收集器圍繞著卡盤。圍牆圍繞著液體收集器。所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆上下移動，其中，當所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆向上移動時，由液體收集器、圍牆、腔室的頂壁及腔室的底壁形成密封室。所述的至少一個內部分配器設置在該密封室內。所述的至少一個外部分配器設置在該密封室外。在使圍牆向下移動後，所述的至少一個外部分配器能進、出該密封室。

Description

半導體基板清洗裝置

本發明關於半導體器件製造領域，更具體地，關於一種半導體基板清洗裝置，該裝置能夠防止酸霧或堿霧腐蝕該裝置的清洗腔內的部件。

隨著半導體工業的發展，半導體器件的特徵尺寸不斷減小，晶片的集成度不斷提高。相應地，對基板表面清潔度的要求變得更為嚴格，因為劣質的清洗可能導致器件失效從而增加積體電路製造的成本。為了得到高品質的半導體器件，基板必須具有一個非常潔淨的表面，這就意味著基板上沒有顆粒、金屬、有機物等污染物。雖然不存在完全潔淨的基板表面，然而，超大型積體電路的發展要求基板的表面盡可能地潔淨，這使得基板的清洗工藝面臨著挑戰。現在常用的清洗方法是濕式化學清洗，它使用有機溶劑、鹼性溶液、酸性溶液、表面活性劑或其他化學試劑，配合超聲波或兆聲波、加熱或其他物理措施，將顆粒、金屬或有機物等污染物從基板表面去除，然後用去離子水沖洗基板，以獲得潔淨的基板。

通常，SPM(H₂SO₄+H₂O₂+H₂O)清洗液用來去除基板表面上的有機污染物。SPM清洗液具有很強的氧化能 力，可去除有機污染物和一些金屬污染物。SPM清洗需要高濃度的硫酸溶液並且需要在高溫(120℃-150℃)下進行。如此高的濃度和溫度會產生酸霧。由於缺乏對酸霧的有效處理，SPM的使用受到限制，SPM清洗不能被廣泛推廣。在傳統的基板清洗裝置中，高溫酸霧可能會充滿基板清洗裝置的清洗腔，導致酸霧腐蝕清洗腔內的部件。另外，IPA(異丙醇)也通常用於基板的清洗過程。眾所周知IPA是易燃液體，明火或高熱將會引起IPA燃燒爆炸。因此，在傳統的基板清洗裝置中使用高溫SPM溶液會對生產安全構成嚴重威脅。

因此，本發明的一個目的是揭示一種半導體基板清洗裝置，該裝置防止酸霧腐蝕裝置的清洗腔內的部件。

本發明的另一個目的是提高半導體器件製造的生產安全性。

根據本發明的一個實施例，提出的半導體基板清洗裝置包括腔室、卡盤、液體收集器、圍牆、至少一個驅動裝置、至少一個內部分配器及至少一個外部分配器。腔室具有頂壁、側壁和底壁。卡盤設置在腔室內用來保持半導體基板。液體收集器圍繞著卡盤。圍牆圍繞著液體收集器。所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆上下移動，其中，當所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆向上移動時，由液體收集器、圍牆、腔室的頂壁及腔室的底壁形成密封室。所述的至少一個內部分配器設置在該密封室內。所述的至少一個外部分配器 設置在該密封室外。在驅動圍牆向下移動後，所述的至少一個外部分配器能進出該密封室。

本發明在腔室內構建密封室並且在密封室內設有內部分配器，內部分配器能傳送例如熱的SPM溶液到半導體基板上，因此熱SPM清洗工藝在密封室內完成並且酸霧被密封在密封室內，避免酸霧充滿腔室並且腐蝕腔室內的部件。在熱SPM清洗工藝結束並且密封室內的溫度冷卻下來後，所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆向下移動，設置在密封室外的外部分配器或超聲波或兆聲波裝置能進入密封室來加工半導體基板。由於熱SPM清洗與腔室隔離，即使外部分配器傳送IPA時，因為密封室內的溫度已經冷卻下來，因此IPA能被安全使用。

101‧‧‧腔室

102‧‧‧卡盤

103‧‧‧基板

104‧‧‧液體收集器

105‧‧‧圍牆

106‧‧‧驅動裝置

107‧‧‧柱狀護罩

108‧‧‧第一密封環

109‧‧‧第二密封環

110‧‧‧密封室

111‧‧‧內部分配器

112‧‧‧排氣管

113‧‧‧空閒位置

114‧‧‧旋轉致動器

115‧‧‧排氣孔

116‧‧‧排液孔

117‧‧‧風機過濾器

118‧‧‧外部分配器

119‧‧‧超聲波或兆聲波裝置

120‧‧‧另一排氣孔

121‧‧‧另一排液孔

1011‧‧‧頂壁

1012‧‧‧側壁

1013‧‧‧底壁

1041‧‧‧環狀傾斜槽

1042‧‧‧環狀傾斜槽

401‧‧‧腔室

402‧‧‧卡盤

403‧‧‧基板

404‧‧‧液體收集器

405‧‧‧圍牆

406‧‧‧驅動裝置

409‧‧‧第二密封環

410‧‧‧密封室

411‧‧‧內部分配器

412‧‧‧排氣管

413‧‧‧空閒位置

414‧‧‧旋轉致動器

415‧‧‧排氣孔

416‧‧‧排液孔

417‧‧‧風機過濾器

418‧‧‧外部分配器

419‧‧‧超聲波或兆聲波裝置

420‧‧‧另一排氣孔

421‧‧‧另一排液孔

4011‧‧‧頂壁

4012‧‧‧側壁

4013‧‧‧底壁

4041‧‧‧環狀傾斜槽

4042‧‧‧環狀傾斜槽

501‧‧‧電加熱板

601‧‧‧燈管

701‧‧‧加熱燈

圖1A至圖1D揭示了本發明半導體基板清洗裝置的一實施例的示意圖。

圖2揭示了分配器與排氣管結合的示意圖。

圖3A至圖3C揭示了分配器與排氣管結合的各種橫截面的示意圖。

圖4A至圖4D揭示了本發明半導體基板清洗裝置的另一個實施例的示意圖。

圖5至圖7揭示了設置在卡盤上的各種加熱裝置用來非均勻地加熱半導體基板的示意圖。

參考圖1A至圖1D所示，揭示了根據本發明的一個實施例的半導體基板清洗裝置。半導體基板清洗裝置包括腔室101。腔室101具有頂壁1011、側壁1012以及底壁1013。一般地，腔室101的側壁1012具有用來傳送半導體基板103的開口。開口通常由門密封，門被控制以打開或關閉。卡盤102位於腔室101內，用於保持半導體基板103。透過旋轉驅動裝置驅動卡盤102旋轉。半導體基板103隨著卡盤102旋轉。液體收集器104圍繞著卡盤102。液體收集器104具有至少一個環狀傾斜槽，以使收集的液體分離。舉例而言，液體收集器104具有兩個環狀傾斜槽1041,1042。每個環狀傾斜槽與一根管道(未示出)連接，收集的液體透過該管道排出。每個環狀傾斜槽用來收集不同的液體。透過至少一個垂直致動器驅動液體收集器104相對於卡盤102上下移動，使得卡盤102與一個環狀傾斜槽相對應。或者，透過垂直致動器驅動卡盤102相對於液體收集器104上下移動，使得卡盤102與一個環狀傾斜槽相對應。

柱狀的圍牆105圍繞著液體收集器104。圍牆105連接到至少一個驅動裝置106，該至少一個驅動裝置106驅動圍牆105上下移動。如本實施例所示，提供有兩個驅動裝置106與圍牆105連接，用於驅動圍牆105上下移動。中空的柱狀護罩107固定在腔室101的頂壁1011上。當驅動裝置106驅動圍牆105向上移動時，圍牆105的上端與護罩107的 底端接觸以達到密封，圍牆105的底端與液體收集器104的頂端接觸以達到密封。為了提高密封性，在圍牆105的上端和護罩107的底端之間設有第一密封環108，在圍牆105的底端和液體收集器104的頂端之間設有第二密封環109。因此，當驅動裝置106驅動圍牆105向上移動時，由液體收集器104、圍牆105、護罩107、腔室101的頂壁1011以及腔室101的底壁1013形成密封室110，如圖1C所示。圍牆105以及護罩107的材料可以是聚四氟乙烯，聚丙烯，聚氯乙烯，聚偏氟乙烯或聚醚醚酮。

在密封室110內設有至少一個內部分配器111用來傳輸化學品到半導體基板103上。根據不同的工藝要求，化學品可以是溫度高於90℃的熱SPM溶液。在如此高的溫度下，SPM溶液會產生酸霧。除了SPM溶液，可以產生蒸氣或霧的其他化學品被應用到該裝置。為了及時排出酸霧，較佳的，內部分配器111與排氣管112結合，該排氣管112連接到抽氣機。內部分配器111傳送化學品到半導體基板103上，同時化學霧透過排氣管112排出，如圖2所示。在一個實施例中，排氣管112的橫截面為圓形，內部分配器111抵靠排氣管112的外壁設置，如圖3A所示。在另一個實施例中，排氣管112的橫截面為半圓形，內部分配器111設置在排氣管112的中心，如圖3B所示。在又一個實施例中，排氣管112的橫截面是圓形，內部分配器111設置在排氣管112的內部，如圖3C所示。旋轉致動器114用於驅動內部分配器111和排氣管112轉動。當內部分配器111傳送熱SPM溶液到半導體 基板103上以執行熱SPM清洗工藝時，旋轉致動器114驅動內部分配器111和排氣管112從空閒位置113轉動到半導體基板103，並且使內部分配器111和排氣管112在半導體基板103的中心和邊緣之間轉動。熱SPM清洗工藝結束後，旋轉致動器114驅動內部分配器111和排氣管112從半導體基板103轉動到空閒位置113，內部分配器111和排氣管112停留在空閒位置113。

一對噴嘴設置在密封室110內用於清洗密封室110。例如，熱SPM清洗工藝完成後，該對噴嘴噴出去離子水來清洗密封室110，以去除SPM溶液殘餘。應該認識到噴嘴的數量是不限的，只要能清洗密封室110，任何數量和分佈的噴嘴都是可接受的。排氣孔115和排液孔116設置在腔室101的底壁1013上並位於密封室110內。密封室110內的氣體，蒸氣和霧能透過排氣孔115排出。密封室110內的液體能透過排液孔116排出。風機篩檢程式(FFU)117設置在腔室101的頂壁1011上以提供清潔氣體到密封室110內。

至少一個外部分配器118設置在密封室110的外部以傳送化學品、氣體或清洗液到半導體基板103上。根據工藝需求，外部分配器118能用於傳送IPA(異丙醇)到半導體基板103上。圍牆105向下移動後，外部分配器118能夠進、出密封室110。超聲波或兆聲波裝置119設置在密封室110的外部以提供超聲波或兆聲波聲能清洗半導體基板103。圍牆105向下移動後，超聲波或兆聲波裝置119進、出密封室110。腔室101的底壁1013設置有另一排氣孔120和另 一排液孔121，該另一排氣孔120和另一排液孔121位於密封室110的外部。

如圖1A至圖1D所示，當使用裝置清洗半導體基板103時，使卡盤102向上移動到達載入位置。打開門，機械手透過開口傳送半導體基板103進入腔室101，並將半導體基板103放置在卡盤102上。關閉門，使卡盤102向下移動到達工藝位置，在該工藝位置，卡盤102對應液體收集器104的一個環狀傾斜槽。驅動裝置106驅動圍牆105向上移動，由此形成密封室110，該密封室110由液體收集器104、圍牆105、護罩107、腔室101的頂壁1011及腔室101的底壁1013圍成，如圖1C所示。密封環被用來提高密封室110的密封性。使內部分配器111和排氣管112旋轉至半導體基板103，如圖1D所示。內部分配器111和排氣管112在半導體基板103的中心至邊緣之間旋轉，當卡盤102以一定旋轉速度旋轉時，內部分配器111傳送熱SPM溶液到半導體基板103上。在熱SPM清洗工藝結束後，驅動裝置106驅動圍牆105向下移動，如圖1A所示。外部分配器118進入密封室110，並傳送化學品、氣體或清洗液到半導體基板103上。超聲波或兆聲波裝置119進入密封室110，運用超聲波或兆聲波清洗半導體基板103，如圖1B所示。如果外部分配器118傳送IPA(異丙醇)到半導體基板103時，較佳的，在外部分配器118進入密封室110之前，使密封室110內的溫度冷卻下來，避免高溫引起異丙醇燃燒爆炸。因為熱SPM清洗被隔離，不僅酸霧被密 封在密封室110內，避免了酸霧充滿腔室101並腐蝕腔室101內的不僅，而且異丙醇也能被安全使用。

參考圖4A至圖4D所示，揭示了根據本發明的另一實施例的半導體基板清洗裝置。裝置包括腔室401。腔室401具有頂壁4011、側壁4012以及底壁4013。一般地，腔室401的側壁4012具有開口用來傳送半導體基板403。該開口通常由門密封，該門被控制以打開或關閉。卡盤402位於腔室401內用於保持半導體基板403。透過旋轉驅動裝置驅動卡盤402旋轉。半導體基板403隨著卡盤402旋轉。液體收集器404圍繞著卡盤402。液體收集器404具有至少一個環狀傾斜槽，以使收集的液體分離。舉例而言，液體收集器404具有兩個環狀傾斜槽4041,4042。每個環狀傾斜槽與一根管道(未示出)連接，收集的液體透過該管道排出。每個環狀傾斜槽用來收集不同的液體。透過至少一個垂直致動器驅動液體收集器404相對於卡盤402上下移動，使得卡盤402與一個環狀傾斜槽相對應。或者，透過垂直致動器驅動卡盤402相對於液體收集器404上下移動，使得卡盤402與一個環狀傾斜槽相對應。

柱狀的圍牆405圍繞著液體收集器404。圍牆405連接到至少一個驅動裝置406，該至少一個驅動裝置406驅動圍牆405上下移動。如本實施例所示，提供有兩個驅動裝置406連接至圍牆405，以驅動圍牆405上下移動。當驅動裝置406驅動圍牆405向上移動時，圍牆405的頂端與腔室401的頂壁4011接觸達到密封，圍牆405的底端與液體收集 器404的頂端接觸達到密封。為了提高密封性，在圍牆405的頂端和腔室401的頂壁4011之間設有密封環，在圍牆405的底端和液體收集器404的頂端之間設有第二密封環409。因此，當驅動裝置406驅動圍牆405向上移動時，由液體收集器404、圍牆405、腔室401的頂壁4011以及腔室401的底壁4013形成密封室410，如圖4C所示。

至少一個內部分配器411設置在密封室410內用來傳送化學品到半導體基板403上。根據不同的工藝需求，化學品可以是溫度高於90℃的熱SPM溶液。在如此高的溫度下，SPM溶液會產生酸霧。除了SPM溶液，可能會產生蒸氣或霧的其他化學品被應用到該裝置。為了及時排出酸霧，較佳的，內部分配器411與排氣管412結合，該排氣管412連接到抽氣機。內部分配器411傳送化學品到半導體基板403上，同時化學霧透過排氣管412排出。在一個實施例中，排氣管412的橫截面為圓形，內部分配器411抵靠排氣管412外壁設置。在另一個實施例中，排氣管412的橫截面為半圓形，內部分配器411位於排氣管412的中心。在又一個實施例中，排氣管412的橫截面為圓形，內部分配器411位於排氣管412的內部。旋轉致動器414驅動內部分配器411和排氣管412旋轉。當內部分配器411傳送熱SPM溶液到半導體基板403上執行熱SPM清洗工藝時，旋轉致動器414驅動內部分配器411和排氣管412從空閒位置413旋轉到半導體基板403，使內部分配器411和排氣管412在半導體基板403的中心到邊緣之間轉動。熱SPM清洗工藝結束後，旋轉致動器414驅動 內部分配器411和排氣管412從半導體基板403轉動到空閒位置413，內部分配器411和排氣管412停留在空閒位置413。

一對噴嘴設置在密封室410內用來清洗密封室410。例如，熱SPM清洗工藝結束後，該對噴嘴噴出去離子水清洗密封室410，以去除SPM溶液殘餘。應該認識到噴嘴的數量是不限的，只要密封室410能被清洗乾淨，任何數量和分佈的噴嘴都是可以接受的。排氣孔415和排液孔416設置在腔室401的底壁4013上並位於密封室410內。密封室410內的氣體、蒸氣和霧能透過排氣孔415排出。密封室410內的液體能透過排液孔416排出。風機過濾器(FFU)417安裝在腔室401的頂壁4011上以提供乾淨的空氣到密封室410內。

至少一個外部分配器418設置在密封室410的外部用來傳送化學品、氣體或清洗液到半導體基板403上。根據工藝需求，外部分配器418能被用來傳送IPA(異丙醇)到半導體基板403上。當圍牆405向下移動後，外部分配器418能夠進和出密封室410。超聲波或兆聲波裝置419設置在密封室410的外部以運用超聲波或兆聲波來清洗半導體基板403。當圍牆405向下移動後，超聲波或兆聲波裝置419能夠進和出密封室410。腔室401的底壁4013上設有另一排氣孔420和排液孔421，該另一排氣孔420和排液孔421位於密封室410的外部。

當使用裝置清洗半導體基板403時，使卡盤402向上移動到達載入位置。打開門，機械手透過開口傳送半導體基板403進入腔室401內，並且把半導體基板403放置在卡 盤402上。然後關閉門，使卡盤402向下移動至工藝位置，在該位置卡盤402對應著液體收集器404的一個環狀傾斜槽。驅動裝置406驅動圍牆405向上移動，由此形成密封室410，該密封室410由液體收集器404、圍牆405、腔室401的頂壁4011及腔室401的底壁4013圍成，如圖4C所示。密封環用於提高密封室410的密封性。使內部分配器411和排氣管412轉動至半導體基板403，如圖4D所示。使內部分配器411和排氣管412在半導體基板403的中心和邊緣之間轉動，當卡盤402以一定速度旋轉時，內部分配器411傳送熱SPM溶液到半導體基板403上。熱SPM清洗工藝結束後，驅動裝置406驅動圍牆405向下移動，如圖4A所示。外部分配器418進入密封室410並傳送化學品、氣體或清洗液到半導體基板403上。超聲波或兆聲波裝置419進入密封室410，運用超聲波或兆聲波清洗半導體基板403，如圖4B所示。如果外部分配器418被用來傳送IPA(異丙醇)到半導體基板403上時，在外部分配器418進入密封室410之前，較佳的，使密封室410的溫度冷卻下來，避免高溫引起異丙醇燃燒爆炸。因為熱SPM清洗是被隔離的，不僅酸霧被封閉在密封室410內，避免酸霧充滿腔室401而腐蝕腔室401內的部件，而且使得IPA能夠被安全使用。

在上述各種實施例中，傳送到半導體基板103,403上的熱SPM溶液加熱半導體基板103,403。用來傳送熱SPM溶液到半導體基板103,403上的內部分配器111,411從半導體基板103,403的中心旋轉至半導體基板 103,403的邊緣，與此同時，使保持半導體基板103,403的卡盤102,402旋轉，因此熱SPM溶液在半導體基板103，403的中心加熱的區域小，散熱慢。當內部分配器111,411移動到半導體基板103,403的邊緣時，熱SPM溶液加熱的區域大於熱SPM溶液在半導體基板103,403的中心加熱的區域，且散熱也快於半導體基板103,403的中心的散熱，因此，半導體基板103,403邊緣的溫度低於半導體基板103,403中心的溫度，這將導致半導體基板103,403邊緣的清洗效果差。為了解決這一問題，卡盤102，402具有加熱裝置用來非均勻加熱半導體基板103,403。加熱裝置加熱半導體基板103,403邊緣的程度高於加熱半導體基板103,403中心的程度，使得半導體基板103,403的溫度分佈均勻，從而提高半導體基板103,403邊緣的清洗效果。加熱裝置固定在卡盤102,402和半導體基板103,403之間並且不隨卡盤102,402旋轉。具體地，如圖5所示，加熱裝置包括多個電加熱板501。對應半導體基板103,403邊緣的電加熱板501的面積大於對應半導體基板103,403中心或靠近中心的電加熱板501的面積。如圖6所示，在另一個實施例中，加熱裝置是燈管601。對應半導體基板103,403邊緣的燈管601的長度長於對應半導體基板103,403中心或靠近中心的燈管601的長度。如圖7所示，在又一個實施例中，加熱裝置包括多個加熱燈701。對應半導體基板103,403邊緣的加熱燈701的密度大於對應半導體基板103,403中心或靠近中心的加熱燈701的密度。應該認識到，加熱裝置不限於上述所列舉的例子。

綜上所述，本發明在腔室101,401內構建了密封室110，410，用來傳送熱SPM溶液到半導體基板103,403上的內部分配器111,411設置在密封室110,410內，因此熱SPM清洗工藝在密封室110,410內完成，且酸霧被密封在密封室110,410內，避免酸霧充滿腔室101,401並腐蝕腔室101,401內的部件。熱SPM清洗工藝結束後，位於密封室110,410外部的外部分配器118,418和/或超聲波或兆聲波裝置119,419進入密封室110,410加工半導體基板103,403。另外，使圍牆105,405向下移動，先使外部分配器118,418和/或超聲波或兆聲波裝置119,419進入密封室110,410加工半導體基板103,403。在外部分配器118,418和/或超聲波或兆聲波裝置119,419從密封室110,410出來後，使圍牆105,405向上移動，形成密封室110,410，內部分配器111,411傳送熱SPM溶液到半導體基板103,403上。本發明在腔室101,401內集成了熱SPM清洗及超聲波或兆聲波裝置清洗，提高了清洗效率。此外，卡盤102,402具有非均勻加熱半導體基板103,403的加熱裝置，這有助於半導體基板103,403邊緣的清洗。此外，若外部分配器118,418被用來傳送異丙醇到半導體基板103,403上時，在密封室110,410的溫度冷卻下來後，再使外部分配器118,418進入密封室110,410內，避免高溫引起異丙醇燃燒爆炸。因為熱SPM清洗是被隔離的，不僅酸霧被密封在密封室110,410內，避免了酸霧充滿腔室101,401並腐蝕腔室101,401內的部件，而且使得異丙醇也能被安全使用。

綜上所述，本發明透過上述實施方式及相關圖式說明，己具體、詳實的揭露了相關技術，使本領域的技術人員可以據以實施。而以上所述實施例只是用來說明本發明，而不是用來限制本發明的，本發明的權利範圍，應由本發明的請求項來界定。至於本文中所述元件數目的改變或等效元件的代替等仍都應屬於本發明的權利範圍。

101‧‧‧腔室

102‧‧‧卡盤

103‧‧‧基板

104‧‧‧液體收集器

105‧‧‧圍牆

106‧‧‧驅動裝置

107‧‧‧柱狀護罩

108‧‧‧第一密封環

109‧‧‧第二密封環

115‧‧‧排氣孔

116‧‧‧排液孔

117‧‧‧風機過濾器

120‧‧‧另一排氣孔

121‧‧‧另一排液孔

1011‧‧‧頂壁

1012‧‧‧側壁

1013‧‧‧底壁

1041‧‧‧環狀傾斜槽

1042‧‧‧環狀傾斜槽

Claims (20)

1. 一種半導體基板清洗裝置，包括：腔室，所述腔室具有頂壁、側壁及底壁；卡盤，所述卡盤位於腔室內用於保持半導體基板；液體收集器，所述液體收集器圍繞著卡盤；圍牆，所述圍牆圍繞著液體收集器；至少一個驅動裝置，所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆上下移動，其中，當所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆向上移動時，由液體收集器、圍牆、腔室的頂壁及腔室的底壁形成密封室；至少一個內部分配器，所述的至少一個內部分配器位於密封室的內部；及至少一個外部分配器，所述的至少一個外部分配器位於密封室的外部，在使圍牆向下移動後，所述的至少一個外部分配器進、出密封室。
2. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括位於密封室外部的超聲波或兆聲波裝置，在使圍牆向下移動後，超聲波或兆聲波裝置進、出密封室。
3. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述卡盤包括加熱裝置用來非均勻地加熱半導體基板，加熱裝置加熱半導體基板邊緣的程度大於加熱裝置 加熱半導體基板中心的程度。
4. 根據請求項3所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述加熱裝置被固定在卡盤和半導體基板之間並且不隨卡盤和半導體基板旋轉。
5. 根據請求項3所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述加熱裝置包括多個電加熱板，對應半導體基板邊緣的電加熱板的面積大於對應半導體基板中心或靠近中心的電加熱板的面積。
6. 根據請求項3所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述加熱裝置是燈管，對應半導體基板邊緣的燈管長度長於對應半導體基板中心或靠近中心的燈管長度。
7. 根據請求項3所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述加熱裝置包括多個加熱燈，對應半導體基板邊緣的加熱燈的密度大於對應半導體基板中心或靠近中心的加熱燈的密度。
8. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述內部分配器與排氣管結合，該排氣管連接到抽氣機。
9. 根據請求項8所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述排氣管的橫截面是圓形，內部分配器抵靠排氣管的外壁設置，或者所述排氣管的橫截面是半圓形，內部分配器設置在排氣管的中心，或者所述排氣管的橫截面是圓形，內部分配器設置在排氣管的內部。
10. 根據請求項8所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括旋轉致動器，該旋轉致動器驅動內部分配器和排氣管旋轉。
11. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括一對噴嘴，該對噴嘴設置在密封室內以清洗密封室。
12. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括設置在腔室底壁上的排氣孔，該排氣孔位於密封室內。
13. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括設置在腔室底壁上的排液孔，該排液孔位於密封室內。
14. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括風機篩檢程式(FFU)，該風機篩 檢程式位於腔室的頂壁以提供清潔的空氣進入密封室。
15. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述的至少一個內部分配器傳送熱SPM溶液到半導體基板上。
16. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括中空的護罩，該護罩固定在腔室的頂壁上，當使圍牆向上移動時，圍牆的上端接觸護罩的底端，圍牆的底端接觸液體收集器的頂端，密封室由液體收集器、圍牆、護罩、腔室的頂壁及腔室的底壁圍成。
17. 根據請求項16所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，進一步包括設置在圍牆的上端和護罩的底端之間的第一密封環，以及設置在圍牆的底端和液體收集器的頂端之間的第二密封環。
18. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述的腔室的底壁設有另一排氣孔和另一排液孔，該另一排氣孔和另一排液孔位於密封室的外部。
19. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述的液體收集器與卡盤相對移動。
20. 根據請求項1所述的半導體基板清洗裝置，其特徵在於，所述的至少一個外部分配器傳送異丙醇到半導體基板上。

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