JPH0797580B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0797580B2 JPH0797580B2 JP63098575A JP9857588A JPH0797580B2 JP H0797580 B2 JPH0797580 B2 JP H0797580B2 JP 63098575 A JP63098575 A JP 63098575A JP 9857588 A JP9857588 A JP 9857588A JP H0797580 B2 JPH0797580 B2 JP H0797580B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching chamber
- dry etching
- electrode
- exhaust port
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置に関し、特に柱状電極をもつ
ドライエッチング装置において、真空排気口をエッチン
グ室の側面に設けたことに関するものである。
ドライエッチング装置において、真空排気口をエッチン
グ室の側面に設けたことに関するものである。
従来、半導体製造等に用いるドライエッチング装置で、
柱状電極をもつものは、真空排気口は、エッチング室の
底面に設けられていた。
柱状電極をもつものは、真空排気口は、エッチング室の
底面に設けられていた。
上述した従来のドライエッチング装置では、バッチ処理
やウエハーの大口径化によりエッチング室が大きくなる
と、エッチング室底部に排気口が設けられている為エッ
チング室の上部と下部ではプラズマ密度が異なり、エッ
チングの均一性が悪くなるという欠点がある。
やウエハーの大口径化によりエッチング室が大きくなる
と、エッチング室底部に排気口が設けられている為エッ
チング室の上部と下部ではプラズマ密度が異なり、エッ
チングの均一性が悪くなるという欠点がある。
上述した従来のエッチング室底部に真空排気口がある柱
状電極をもつドライエッチング装置に対し、本発明は、
エッチング室側面に真空排気口があるという相違点を有
する。
状電極をもつドライエッチング装置に対し、本発明は、
エッチング室側面に真空排気口があるという相違点を有
する。
本発明の目的は、真空排気口をエッチング室側面に設け
ることによりエッチング室の大型化の際に、エッチング
の均一性を向上させるドライエッチング装置を提供する
ことにある。
ることによりエッチング室の大型化の際に、エッチング
の均一性を向上させるドライエッチング装置を提供する
ことにある。
本発明の特徴は、エッチング室側面に真空排気口を設け
たことにある。
たことにある。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
この実施例のドライエッチング装置は、エッチング室４
に真空ポンプ６が接続されている。さらに、エッチング
処理の際には、ガス導入口８よりガスがエッチング室３
に導入され、かつ高周波電流５により柱状電極１に高周
波電圧が印加され、柱状電極１上に配置されたウエハー
９表面をエッチングする。このエッチング装置では真空
排気口３がエッチング室４の側面についている為、ウエ
ハー９上のエッチングを均一にできる。
に真空ポンプ６が接続されている。さらに、エッチング
処理の際には、ガス導入口８よりガスがエッチング室３
に導入され、かつ高周波電流５により柱状電極１に高周
波電圧が印加され、柱状電極１上に配置されたウエハー
９表面をエッチングする。このエッチング装置では真空
排気口３がエッチング室４の側面についている為、ウエ
ハー９上のエッチングを均一にできる。
第２図は、本発明の実施例２の縦断面図である。エッチ
ング室４と真空ポンプ６との接続部も側面に設けてあ
る。本実施例では、エッチング室４と真空ポンプ６との
接続部を側面に設けることにより、ウエハー９上のエッ
チングを均一にすることができる。
ング室４と真空ポンプ６との接続部も側面に設けてあ
る。本実施例では、エッチング室４と真空ポンプ６との
接続部を側面に設けることにより、ウエハー９上のエッ
チングを均一にすることができる。
以上説明したように本発明のドライエッチング装置を用
いれば、バッチ処理やウエハーの大口径化によりエッチ
ング室が大型化されても、エッチング室内のプラズマの
均一性を向上させる効果がある。
いれば、バッチ処理やウエハーの大口径化によりエッチ
ング室が大型化されても、エッチング室内のプラズマの
均一性を向上させる効果がある。
以上の実施例において、柱状電極の形、ウエハー数、真
空ポンプの数、真空排気口の数及び形状は自由に選択で
きる。
空ポンプの数、真空排気口の数及び形状は自由に選択で
きる。
第１図は本発明の実施例１の縦断面図、第２図は実施例
２の縦断面図である。 １……柱状電極、２……陽極、３……真空排気口、４…
…エッチング室、５……高周波電源、６……真空ポン
プ、７……絶縁物、８……ガス導入口、９……ウエハ
ー。
２の縦断面図である。 １……柱状電極、２……陽極、３……真空排気口、４…
…エッチング室、５……高周波電源、６……真空ポン
プ、７……絶縁物、８……ガス導入口、９……ウエハ
ー。
Claims (1)
- 【請求項１】エッチング室内を真空に保ち、該エッチン
グ室内の電極に高周波の電圧を印加し、導入されたガス
の励起又はイオン化によって電極上の半導体ウエハーを
ドライエッチングするドライエッチング装置において、
半導体ウエハーを固定する電極が一方向に延在する柱状
をしており、前記柱状の電極の前記一方向に沿った側面
に半導体ウエハーが固定され、かつ複数の真空排気口が
前記柱状の電極の前記側面を取り囲んでいる前記エッチ
ング室の前記一方向に沿った側面にあることを特徴とす
るドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098575A JPH0797580B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098575A JPH0797580B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268127A JPH01268127A (ja) | 1989-10-25 |
| JPH0797580B2 true JPH0797580B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=14223468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098575A Expired - Fee Related JPH0797580B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797580B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127761A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-26 | Fujitsu Ltd | Gas plasma etching unit |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63098575A patent/JPH0797580B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01268127A (ja) | 1989-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |