JP2693882B2 - 反応性イオンエッチング装置 - Google Patents

反応性イオンエッチング装置

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JP2693882B2
JP2693882B2 JP23419891A JP23419891A JP2693882B2 JP 2693882 B2 JP2693882 B2 JP 2693882B2 JP 23419891 A JP23419891 A JP 23419891A JP 23419891 A JP23419891 A JP 23419891A JP 2693882 B2 JP2693882 B2 JP 2693882B2
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reactive ion
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順二 林田
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九州日本電気株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は反応性イオンエッチング
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の反応性イオンエッチング装置は、
図2に示すように、エッチング室1を構成する対向電極
2とこの内に設けられた多角柱状の多面電極(陰極)3
Aとからなり、エッチング室1内にガス導入管5よりエ
ッチングガスを導入し、高周波電源6により電極間に高
周波を印加して多面電極3A上に保持された半導体基板
4の表面をエッチングするように構成されていた。そし
て、多面電極3Aと対向電極2の表面は平行となってい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の反応性
イオンエッチング装置は、多面電極が対向電極に対して
平行であるため、エッチング室上層部に存在するプラズ
マが多面電極上部に集中する。従って多面電極の各面で
の単位面積当りのプラズマの量が異なるため、エッチン
グ特性が不均一になるという欠点がある。本発明の目的
は、均一なエッチング特性を得ることのできるプラズマ
エッチング装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の反応性イオンエ
ッチング装置は、半導体基板を支持する多面電極の上部
にいくにつれて、多面電極と対向電極間の距離が長くな
る形状を有する。
【0005】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例の構成図である。
【0006】図1において、エッチング室1は半導体基
板を支持する多面電極(陰極)3と、これに対向する電
極(陽極)2とで主に構成され、このエッチング室1の
底面部には複数のガス導入管5とガス排気孔7とを有
し、また多面電極3に高周波電源6が接続されている。
そして多面電極3は多角形錐状に形成されており、上部
にいくにつれて多面電極3と対向電極2との距離が長く
なるように構成されている。
【0007】エッチング室1内にガス導入管5より、エ
ッチングガスを導入しながら、ガス排気孔7より排気し
てエッチング室1を真空に保ち、高周波電源6より高周
波電圧を多面電極3と対向電極2間に印加し、この間の
ガスをプラズマ化して多面電極に保持された半導体基板
4の表面をエッチングする。この時、多面電極3の上部
にいくにつれて多面電極3と対向電極2との距離が長く
なる形状となっているため、多面電極3の各面での単位
面積当りのプラズマの量が一定となり、多面電極3の各
面に支持されている半導体基板4は均一にエッチングさ
れる。
【0008】尚、上記実施例においては多面電極3を上
にゆく程小さくなるように形成した場合について説明し
たが、多面電極を従来と同様に形成し、対向電極を上に
ゆく程広く形成してもよい。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板を支持する多面電極の上部にいくにつれて、多面電極
と対向電極との距離が長くなるように構成することによ
り、多面電極の各面での単位面積当りのプラズマ量が一
定となるため、電極面に支持された半導体基板表面を均
一にエッチングできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成図。
【図2】従来の反応性イオンエッチング装置の一例の構
成図。
【符号の説明】
1 エッチング室 2 対向電極 3,3A 多面電極 4 半導体基板 5 ガス導入管 6 高周波電源 7 ガス排気孔

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エッチング室を構成す対向電極とこのエ
    ッチング室内に設けられ複数の半導体基板を保持する多
    面電極とを有する反応性イオンエッチング装置におい
    て、前記多面電極と対向電極とは、上部にいくにつれて
    多面電極と対向電極間の距離が長くなるように形成され
    ていることを特徴とする反応性イオンエッチング装置。
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