JPH02127030U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02127030U JPH02127030U JP3707189U JP3707189U JPH02127030U JP H02127030 U JPH02127030 U JP H02127030U JP 3707189 U JP3707189 U JP 3707189U JP 3707189 U JP3707189 U JP 3707189U JP H02127030 U JPH02127030 U JP H02127030U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer table
- cylindrical insulator
- wafer
- plasma etching
- gas supply
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図は本考案に係るウエハーテーブルを適用
したエツチング装置の概略全体図、第2図は筒状
絶縁体の斜視図、第3図は別実施例を示すウエハ
ーテーブルの断面図である。 尚、図面中1は装置本体、3はチヤンバー、4
はウエハー、5はウエハーテーブル、6は高周波
電源、7は筒状絶縁体、8は反応ガス給排穴、1
2はマイクロ波発振器である。
したエツチング装置の概略全体図、第2図は筒状
絶縁体の斜視図、第3図は別実施例を示すウエハ
ーテーブルの断面図である。 尚、図面中1は装置本体、3はチヤンバー、4
はウエハー、5はウエハーテーブル、6は高周波
電源、7は筒状絶縁体、8は反応ガス給排穴、1
2はマイクロ波発振器である。
Claims (1)
- 高周波電源に接続されるプラズマエツチング用
ウエハーテーブルにおいて、このウエハーテーブ
ル上面には筒状絶縁体が設けられ、この筒状絶縁
体は内径寸法をウエハーの外径寸法よりも大とさ
れ且つ周方向に離間して多数の反応ガス給排穴が
形成されていることを特徴とするプラズマエツチ
ング用ウエハーテーブル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989037071U JPH0741155Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989037071U JPH0741155Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02127030U true JPH02127030U (ja) | 1990-10-19 |
JPH0741155Y2 JPH0741155Y2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=31543854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1989037071U Expired - Lifetime JPH0741155Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0741155Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04334022A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6196724A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 容量結合型プラズマcvd装置 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1989037071U patent/JPH0741155Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6196724A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 容量結合型プラズマcvd装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04334022A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0741155Y2 (ja) | 1995-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |