JPH0425229U - - Google Patents

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JPH0425229U
JPH0425229U JP6557790U JP6557790U JPH0425229U JP H0425229 U JPH0425229 U JP H0425229U JP 6557790 U JP6557790 U JP 6557790U JP 6557790 U JP6557790 U JP 6557790U JP H0425229 U JPH0425229 U JP H0425229U
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plasma processing
processing apparatus
coaxial plasma
internal electrode
cylindrical
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係るプラズマ処理装置の断面
図、第２図Ａ及びＢは本考案に係るプラズマ処理
装置を用いてレジスト膜をアツシングした場合の
残膜の厚みを示すグラフである。 尚、図面中１は筒状チヤンバー、５はウエハ保
持体、７は外部電極、８は内部電極、Ｗはウエハ
である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 筒状処理チヤンバーの外側に高周波発振器
    に接続する外部電極を配置し、処理チヤンバー内
    方に多数の小孔を形成した筒状の内部電極を同軸
    状に配置した同軸型プラズマ処理チヤンバーにお
    いて、前記内部電極はアルミニウムを主成分とし
    、且つプラズマ処理の際のチヤンバー内の到達温
    度よりも高い温度で予めアニーリングされている
    ことを特徴とする同軸型プラズマ処理装置。 (2) 前記内部電極はＣｕを３．８ｗ％〜４．９
    ｗ％含有するアルミニウム合金にて構成したこと
    を特徴とする請求項(1)に記載の同軸型プラズマ
    処理装置。
JP6557790U 1990-06-21 1990-06-21 Pending JPH0425229U (ja)

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JP6557790U JPH0425229U (ja) 1990-06-21 1990-06-21

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JPH0425229U true JPH0425229U (ja) 1992-02-28

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5275985A (en) * 1975-12-22 1977-06-25 Tokyo Ouka Kougiyou Kk Apparatus for plasma treatment at low tempebature
JPS6075588A (ja) * 1983-09-30 1985-04-27 Hitachi Ltd 加熱機構付のスパツタエツチング装置
JPH0254929A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Ramuko Kk プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5275985A (en) * 1975-12-22 1977-06-25 Tokyo Ouka Kougiyou Kk Apparatus for plasma treatment at low tempebature
JPS6075588A (ja) * 1983-09-30 1985-04-27 Hitachi Ltd 加熱機構付のスパツタエツチング装置
JPH0254929A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Ramuko Kk プラズマ処理装置

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