JPS5868958U - グロ−放電ｃｖｄ装置 - Google Patents

グロ−放電ｃｖｄ装置

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JPS5868958U
JPS5868958U JP16288781U JP16288781U JPS5868958U JP S5868958 U JPS5868958 U JP S5868958U JP 16288781 U JP16288781 U JP 16288781U JP 16288781 U JP16288781 U JP 16288781U JP S5868958 U JPS5868958 U JP S5868958U
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JP
Japan
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substrate
glow discharge
electrode
discharge cvd
cvd equipment
Prior art date
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JP16288781U
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JPS6119799Y2 (ja
Inventor
加藤　昭七
江原　襄
今田　英次
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シャープ株式会社
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Publication date
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  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による一実施例を示す断面図、第２図は
本考案による他の実施例を示す電気回路図である。　、 １：基板、２：反応槽、３：円筒型電極、６：第２電極
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 内側に設置されたＣＶＤ膜を被着するための基板と、該
    基板の外側に同軸上に配置された電極とを備え、上記基
    板と電極間にグロー放電を生じさせて反応槽内のガスを
    分解し、分解生成物を上記基板表面に飛ばして膜成長さ
    せるグロー放電ＣＶＤ装置において、上記基板と電極間
    に網目状の第２電極を介挿し、該第２電極に基板に印加
    された電位に近い電位が印加されてな名曇とを特徴−と
    するグロー放電ＣＶＤ装置。
JP16288781U 1981-10-30 1981-10-30 グロ−放電ｃｖｄ装置 Granted JPS5868958U (ja)

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JP16288781U JPS5868958U (ja) 1981-10-30 1981-10-30 グロ−放電ｃｖｄ装置

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JPS5868958U true JPS5868958U (ja) 1983-05-11
JPS6119799Y2 JPS6119799Y2 (ja) 1986-06-14

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ID=29955192

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JP (1) JPS5868958U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61278133A (ja) * 1985-06-03 1986-12-09 Toyobo Co Ltd アモルフアスシリコン膜
JPH01246364A (ja) * 1988-03-26 1989-10-02 Kanagawa Pref Gov 弗水素化非晶質炭化珪素薄膜及び弗素化非晶質珪素薄膜の気相合成法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61278133A (ja) * 1985-06-03 1986-12-09 Toyobo Co Ltd アモルフアスシリコン膜
JPH01246364A (ja) * 1988-03-26 1989-10-02 Kanagawa Pref Gov 弗水素化非晶質炭化珪素薄膜及び弗素化非晶質珪素薄膜の気相合成法

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JPS6119799Y2 (ja) 1986-06-14

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