JPS592132U - プラズマcvd装置 - Google Patents

プラズマcvd装置

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Publication number
JPS592132U
JPS592132U JP9775482U JP9775482U JPS592132U JP S592132 U JPS592132 U JP S592132U JP 9775482 U JP9775482 U JP 9775482U JP 9775482 U JP9775482 U JP 9775482U JP S592132 U JPS592132 U JP S592132U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma cvd
frequency
signal
cvd equipment
cvd apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9775482U
Other languages
English (en)
Inventor
喜美 塩谷
泰 大山
Original Assignee
富士通株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP9775482U priority Critical patent/JPS592132U/ja
Publication of JPS592132U publication Critical patent/JPS592132U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来のプラズマCVD装置を示す構成図、第2
図は本考案の一実施例であるプラズマCVD装置を示す
構成図である。 図中11・・・チャンバ、12・・・上部電極、13・
・・下部電極、14・・・耐熱絶縁物、15・・・ウェ
ハ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 集積回路基板に絶縁膜または金属膜を生成させる平行平
    板型プラズマCVD装置であって、該装置の上部電極に
    は第1の周波数を有する信号を印加し、下部電極には該
    第1の周波数より高い第2の周波数を有する信号を印加
    するようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。
JP9775482U 1982-06-29 1982-06-29 プラズマcvd装置 Pending JPS592132U (ja)

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JP9775482U JPS592132U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 プラズマcvd装置

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JP9775482U JPS592132U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 プラズマcvd装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS592132U true JPS592132U (ja) 1984-01-09

Family

ID=30232387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9775482U Pending JPS592132U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 プラズマcvd装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS592132U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62130513A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Hitachi Ltd 薄膜形成方法とその製造装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56105627A (en) * 1980-01-28 1981-08-22 Fuji Photo Film Co Ltd Manufacture of amorphous semiconductor
JPS56130466A (en) * 1980-03-17 1981-10-13 Canon Inc Film forming method

Patent Citations (2)

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