JPS62130513A - 薄膜形成方法とその製造装置 - Google Patents
薄膜形成方法とその製造装置Info
- Publication number
- JPS62130513A JPS62130513A JP26935285A JP26935285A JPS62130513A JP S62130513 A JPS62130513 A JP S62130513A JP 26935285 A JP26935285 A JP 26935285A JP 26935285 A JP26935285 A JP 26935285A JP S62130513 A JPS62130513 A JP S62130513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrodes
- high frequency
- forming
- frequency power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン等の薄膜の形成方法とそ
の製造装置であるプラズマＣＶＤ装置に係り、特に、グ
ロー放電により平行平板型電極間にプラズマ状態を発生
させて薄膜を形成するために好適な薄膜形成方法とその
製造装置に関する。
の製造装置であるプラズマＣＶＤ装置に係り、特に、グ
ロー放電により平行平板型電極間にプラズマ状態を発生
させて薄膜を形成するために好適な薄膜形成方法とその
製造装置に関する。
グロー放電によるプラズマＣＶＤ法は半導体プロセスの
中で重要な地位を占め、窒化ケイ素、酸化ケイ素、水素
アモルファスシリコン等の薄膜形成に必須の方式となっ
てきた。しかしながら、平行平板型プラズマＣＶＤ装置
においては、通常の方法では電極に電子が飛び込むこと
によるセルフバイアス現象が生じ、電極と基板間に大き
な電位差が生じてしまう。この状態ではイオンが加速さ
れるため、基板表面でのプラズマ損傷が大き〈従来から
大きな問題となっていた。
中で重要な地位を占め、窒化ケイ素、酸化ケイ素、水素
アモルファスシリコン等の薄膜形成に必須の方式となっ
てきた。しかしながら、平行平板型プラズマＣＶＤ装置
においては、通常の方法では電極に電子が飛び込むこと
によるセルフバイアス現象が生じ、電極と基板間に大き
な電位差が生じてしまう。この状態ではイオンが加速さ
れるため、基板表面でのプラズマ損傷が大き〈従来から
大きな問題となっていた。
従来の装置は特開昭５９−１２２１２２に記載のように
プラズマ損傷を改善する方法として外部から片方の電極
にＤＣバイアスを印加し、セルフバイアス現象を小さく
する工夫が現在一般的になされている。しかしながら、
この方法ではたしかにセルフバイアスは小さく出来るが
、その反面、本発明の実験結果によればプラズマの状態
が不安定になり易く、また平行平板の両極間に均一なプ
ラズマが発生しにくい。特に、コスト低減のための高速
成膜を目的とした大パワーでの成膜の場合にカソード近
傍にプラズマがはりついてしまい、基板のあるアノード
側にまで十分な濃度の活性種がとどかないという欠点は
改善されず、高品質な膜を太きな成膜速度で得ることは
期待出来ない。またセルフバイアスを小さくするために
は、チョークコイルを介して電極をアースにおとせばよ
いが、この方法でも上記のように大きな高周波電力領域
になるとプラズマがカソード付近にはりついてしまい、
均一なプラズマ状態が得られない。
プラズマ損傷を改善する方法として外部から片方の電極
にＤＣバイアスを印加し、セルフバイアス現象を小さく
する工夫が現在一般的になされている。しかしながら、
この方法ではたしかにセルフバイアスは小さく出来るが
、その反面、本発明の実験結果によればプラズマの状態
が不安定になり易く、また平行平板の両極間に均一なプ
ラズマが発生しにくい。特に、コスト低減のための高速
成膜を目的とした大パワーでの成膜の場合にカソード近
傍にプラズマがはりついてしまい、基板のあるアノード
側にまで十分な濃度の活性種がとどかないという欠点は
改善されず、高品質な膜を太きな成膜速度で得ることは
期待出来ない。またセルフバイアスを小さくするために
は、チョークコイルを介して電極をアースにおとせばよ
いが、この方法でも上記のように大きな高周波電力領域
になるとプラズマがカソード付近にはりついてしまい、
均一なプラズマ状態が得られない。
第４図に示す如く、従来用いられている平行平板型プラ
ズマＣＶＤ装置においては、高周波電源３７はマツチン
グボックス３６を介してカソードである多孔形ガス吹出
口付電極３４に接続される。
ズマＣＶＤ装置においては、高周波電源３７はマツチン
グボックス３６を介してカソードである多孔形ガス吹出
口付電極３４に接続される。
７ノードである基板設置側電極３１はアースにおとしで
ある。
ある。
この装置を用いてアモルファスシリコン膜、窒化ケイ素
膜を形成した。その結果を次表に示す。
膜を形成した。その結果を次表に示す。
（以下余白）
〔発明の目的〕
本発明は上記欠点を解決しようとするもので。
その目的は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置においてセ
ルフバイアスを小さくし、しかも両極間に均一かつ安定
なプラズマを発生させて高品質な薄膜を高速で形成する
薄膜形成方法とその製造装置を提供することにある。
ルフバイアスを小さくし、しかも両極間に均一かつ安定
なプラズマを発生させて高品質な薄膜を高速で形成する
薄膜形成方法とその製造装置を提供することにある。
本発明は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いたガス
のグロー放電分解による薄膜形成方法において、相対向
する電極の双方から高周波印加することにより反応ガス
を分解し薄膜を形成する薄膜形成方法である。
のグロー放電分解による薄膜形成方法において、相対向
する電極の双方から高周波印加することにより反応ガス
を分解し薄膜を形成する薄膜形成方法である。
そして、上記の薄膜形成方法を実現する製造方法として
、プラズマＣＶＤ装置の多孔形ガス吹出付平行平板型電
極と、基板を支持する電極との相対向する２箇の電極の
それぞれから高周波電力を印加して薄膜を形成すへくし
、かつ、上記印加される高周波電力が上記２箇の電極で
、同様に加減可能のもの、両方の電極で高周波の位相を
合わせることか可能なもの及び、両方の電極での高周波
電力を独立に加減可能なものの製造装置とし、薄膜形成
があらゆる平行平板型のプラズマＣＶＤ装置に適用可能
ならしめたものである。
、プラズマＣＶＤ装置の多孔形ガス吹出付平行平板型電
極と、基板を支持する電極との相対向する２箇の電極の
それぞれから高周波電力を印加して薄膜を形成すへくし
、かつ、上記印加される高周波電力が上記２箇の電極で
、同様に加減可能のもの、両方の電極で高周波の位相を
合わせることか可能なもの及び、両方の電極での高周波
電力を独立に加減可能なものの製造装置とし、薄膜形成
があらゆる平行平板型のプラズマＣＶＤ装置に適用可能
ならしめたものである。
以下、本発明の実施例を薄膜製造装置とこれを用いた薄
膜形成方法について図面に基づき説明する。
膜形成方法について図面に基づき説明する。
第１図に示すのは、両方の電極に各々１箇の高周波発信
器を接続した薄膜形成の製造装置の概略図である。
器を接続した薄膜形成の製造装置の概略図である。
プラズマＣＶＤ装置の真空容器１内に基板ホルダ側電極
２と反応ガス導入管６に接続するジャワ電極５を設け、
両方の電極に各々マツチングボックス７と高周波電源８
を有する装置を連結する。
２と反応ガス導入管６に接続するジャワ電極５を設け、
両方の電極に各々マツチングボックス７と高周波電源８
を有する装置を連結する。
電極２側内にはヒータ３が装設され基板４を加熱する。
両方の電極２，５と真空容器１の間は絶縁し、
更に真空容器１の内壁と電極２，５との間でグロー放電
が発生しないように工夫され、真空容器１はアースにお
とされ、またガス排出口９が設けられる。
が発生しないように工夫され、真空容器１はアースにお
とされ、またガス排出口９が設けられる。
真空容器１の材質は導電体、絶縁体何れでもよいが本実
施例ではステンレス製とした。製作したＣＶＤ装置の電
極は３００ｍｎφである。基板４は１ｇｌ厚のガラスを
用い、両電極２，５間の間隔は約４国とした。
施例ではステンレス製とした。製作したＣＶＤ装置の電
極は３００ｍｎφである。基板４は１ｇｌ厚のガラスを
用い、両電極２，５間の間隔は約４国とした。
この装置の両電極２，５での各々の高周波の位相は不明
でるあが、各々の電極に独立にパワーを変えて印加する
ことが可能であり、両極間のＤＣバイアス電圧の差をゼ
ロにするように各々の印加電力を加減することが出来る
。
でるあが、各々の電極に独立にパワーを変えて印加する
ことが可能であり、両極間のＤＣバイアス電圧の差をゼ
ロにするように各々の印加電力を加減することが出来る
。
この装置でアモルファスシリコン膜を形成するため、ア
モルファスシリコン膜形成にはヘリウム希釈５０％モノ
シランガスを用いた。成膜温度（基板表面温度）は２６
０°Ｃ１反応圧力０．７Ｔｏｒｒ、モノシランガス流量
７５５ ｃｃｍで成膜した。このときの印加高周波電力
は、多孔形ガス吹出口付平行平板電極５側が５０Ｗ、基
板設置電極２側が４０Ｗであり、この時の両電極間の直
流バイアス電圧を測定するとほぼゼロであった。成膜速
度は８．５人／Ｓであり、前記従来の技術例で述べた成
膜速度の約３倍の成膜速度が得られた。光学的バンドギ
ャップは１．．７６ ｅ Ｖ 、 Ａ Ｍ １．５、ｌ
００ＩＩＩＷ／ａＪの光源下における光導電率は３．２
Ｘ １０−’ （Ｓ−ロー１）、暗導電率２．５ Ｘ
１Ｏ−９（Ｓ−ｃ２ｎ−”）であり、その比が１．３
Ｘ １０−５と良好な導電率特性が得られた。また赤
外吸収スペクトルから求めた結合水素量は８〜１１％で
あり、従来法で形成したものより少なめであった。
モルファスシリコン膜形成にはヘリウム希釈５０％モノ
シランガスを用いた。成膜温度（基板表面温度）は２６
０°Ｃ１反応圧力０．７Ｔｏｒｒ、モノシランガス流量
７５５ ｃｃｍで成膜した。このときの印加高周波電力
は、多孔形ガス吹出口付平行平板電極５側が５０Ｗ、基
板設置電極２側が４０Ｗであり、この時の両電極間の直
流バイアス電圧を測定するとほぼゼロであった。成膜速
度は８．５人／Ｓであり、前記従来の技術例で述べた成
膜速度の約３倍の成膜速度が得られた。光学的バンドギ
ャップは１．．７６ ｅ Ｖ 、 Ａ Ｍ １．５、ｌ
００ＩＩＩＷ／ａＪの光源下における光導電率は３．２
Ｘ １０−’ （Ｓ−ロー１）、暗導電率２．５ Ｘ
１Ｏ−９（Ｓ−ｃ２ｎ−”）であり、その比が１．３
Ｘ １０−５と良好な導電率特性が得られた。また赤
外吸収スペクトルから求めた結合水素量は８〜１１％で
あり、従来法で形成したものより少なめであった。
第２の実施例として上記の第１図の製造装置を用い他の
原料ガスを使用した薄膜形成方法の例を説明する。
原料ガスを使用した薄膜形成方法の例を説明する。
原料ガスとして１００％ジンランを４０８ ｃｃｍ流し
、反応圧力を０．５Ｔｏｒｒ、成膜温度２７０℃でアモ
ルファスシリコン膜を形成した。このときの印加高周波
電力は、多孔形ガス吹出口付平行平板電極Ｓ側が！５０
Ｗ、基板設置電極２側が１７０Ｗであり、両極間での直
流バイアス電圧を測定するとほぼゼロであった。形成し
た膜の光学的バンドギャップはｉ、７９ｅ Ｖ、 ＡＭ
ｌ、５．１００ｍＷ／ａ（における光導電率は９．８Ｘ
１０−５Ｓ−ｃｍ−１，暗導電率１．６ Ｘ １０−９
、その比が６．Ｉ Ｘ １０−’であった。膜の赤外吸
収スペクトルを測定したところジンランを用いた成膜に
ありがちな２０９０ａｎ−１付近の５ｉＨｚのストレッ
チングモードの吸収が従来法の成膜に比べ非常に少なく
なっており、良質な膜が形成されていた。このときの成
膜速度は２６人／Ｓでありジンランを用いた従来法に比
べ２倍以上の速度であった。
、反応圧力を０．５Ｔｏｒｒ、成膜温度２７０℃でアモ
ルファスシリコン膜を形成した。このときの印加高周波
電力は、多孔形ガス吹出口付平行平板電極Ｓ側が！５０
Ｗ、基板設置電極２側が１７０Ｗであり、両極間での直
流バイアス電圧を測定するとほぼゼロであった。形成し
た膜の光学的バンドギャップはｉ、７９ｅ Ｖ、 ＡＭ
ｌ、５．１００ｍＷ／ａ（における光導電率は９．８Ｘ
１０−５Ｓ−ｃｍ−１，暗導電率１．６ Ｘ １０−９
、その比が６．Ｉ Ｘ １０−’であった。膜の赤外吸
収スペクトルを測定したところジンランを用いた成膜に
ありがちな２０９０ａｎ−１付近の５ｉＨｚのストレッ
チングモードの吸収が従来法の成膜に比べ非常に少なく
なっており、良質な膜が形成されていた。このときの成
膜速度は２６人／Ｓでありジンランを用いた従来法に比
べ２倍以上の速度であった。
第３の実施例として上記第１図の製造装置を用い他の原
料ガスを使用した薄膜形成方法の例を説明する。
料ガスを使用した薄膜形成方法の例を説明する。
原料ガスとしてヘリウム希釈５０％モノシランガス６５
Ｓ ｃｃｍ、メタン５５ Ｓ ｃｃｍ、ヘリウム希釈
１％ジボラン１５３ ｃｃｍを流し、成膜温度２２０℃
、反応圧力０．５ＴｏｒｒでＰ型アモルファスＳｉＣ膜
を形成した。
Ｓ ｃｃｍ、メタン５５ Ｓ ｃｃｍ、ヘリウム希釈
１％ジボラン１５３ ｃｃｍを流し、成膜温度２２０℃
、反応圧力０．５ＴｏｒｒでＰ型アモルファスＳｉＣ膜
を形成した。
この時の印加高周波電力は、多孔形ガス吹出口付平行平
板型電極５側に４０Ｗ、基板設置電極２側に９０Ｗであ
り、この時の両極間の直流バイアス電圧はほぼゼロであ
った。形成しまた膜の成膜速度は６人／Ｓであり、従来
の方法の約３倍の成膜速度であった。膜の物性は、光学
バンドギャップ２．１ｅＶ、暗導電率１．８ Ｘ ｔｏ
−’ Ｓ−■−１であった。
板型電極５側に４０Ｗ、基板設置電極２側に９０Ｗであ
り、この時の両極間の直流バイアス電圧はほぼゼロであ
った。形成しまた膜の成膜速度は６人／Ｓであり、従来
の方法の約３倍の成膜速度であった。膜の物性は、光学
バンドギャップ２．１ｅＶ、暗導電率１．８ Ｘ ｔｏ
−’ Ｓ−■−１であった。
第・１の実施例として第１図のプラズマＣＶＤ装置を第
２図に示すように接続し直した製造装置について説明す
る。
２図に示すように接続し直した製造装置について説明す
る。
高周波電源１８を１箇とし、トランス１７を介して各々
のマツチングボックス１６に平行平板電極１１、多孔形
ガス吹出口付平行平板型電極１４を接続する。
のマツチングボックス１６に平行平板電極１１、多孔形
ガス吹出口付平行平板型電極１４を接続する。
基板１３にはヒータ１２が設けられ、真空容器１０はア
ースにおとされガス排出口１９が設けられる。ジャワ電
極１４に反応ガス導入管１５が接続する。
ースにおとされガス排出口１９が設けられる。ジャワ電
極１４に反応ガス導入管１５が接続する。
この装置では両極１１．１４間の各々に印加される高速
度電力を独立に変化させることは出来ないが、高周波発
信器１８は１箇であるため両極での高周波の位相を合わ
せることが出来る。
度電力を独立に変化させることは出来ないが、高周波発
信器１８は１箇であるため両極での高周波の位相を合わ
せることが出来る。
この装置を用いて第１の実施例と同様の方法でアモルフ
ァスシリコン膜を形成した。
ァスシリコン膜を形成した。
成膜条件は以下の通りである。成膜圧力１．０Ｔｏｒｒ
、成膜温度２２０℃、５０％ヘリウム希釈モノシランガ
ス流量７５３ ｃｃｍ、各電極に印加される高周波電力
５０Ｗ、この条件で形成された膜の特性は、成膜速度９
．８入／Ｓ。光学バンドギャップ１．７７ｅ Ｖ、ＡＭ
ｌ、５、ｌｏＯｍＷ／ａｄでの光導電率６．５Ｘ １Ｏ
−ｓＳ −ｃｘｎ−”、暗導電率９．ＯＸ １Ｏ−１０
Ｓ・σ−１の良質なアモルファスシリコン膜が得られた
。
、成膜温度２２０℃、５０％ヘリウム希釈モノシランガ
ス流量７５３ ｃｃｍ、各電極に印加される高周波電力
５０Ｗ、この条件で形成された膜の特性は、成膜速度９
．８入／Ｓ。光学バンドギャップ１．７７ｅ Ｖ、ＡＭ
ｌ、５、ｌｏＯｍＷ／ａｄでの光導電率６．５Ｘ １Ｏ
−ｓＳ −ｃｘｎ−”、暗導電率９．ＯＸ １Ｏ−１０
Ｓ・σ−１の良質なアモルファスシリコン膜が得られた
。
第５の実施例として第１図に示したプラズマＣＶＤ装置
を第３図に示すように接続し直した製造装置について説
明する。
を第３図に示すように接続し直した製造装置について説
明する。
高周波電源２８を１箇とし、増幅器２７を介して各々の
マツチングボックス２６に平行平板電極２１、多孔形ガ
ス吹出口付平行平板型電極２４を接続する。
マツチングボックス２６に平行平板電極２１、多孔形ガ
ス吹出口付平行平板型電極２４を接続する。
基板２３にはヒータ２２が設けられ、真空容器２０はア
ースにおとされてガス排出口２９が設けられる。ジャワ
電極２４に反応ガス導入管２５が接続する。
ースにおとされてガス排出口２９が設けられる。ジャワ
電極２４に反応ガス導入管２５が接続する。
この装置では高周波発信器２８が１箇であるため、両極
２１．２４での高周波の位相は合っており、また。
２１．２４での高周波の位相は合っており、また。
増幅回路により両極での高周波電力を独立に加減するこ
とが出来る。
とが出来る。
この装置を用いて第１の実施例と同様の方法で窒化ケイ
素膜を形成した。原料ガスとして１００％モノシランガ
ス１５ Ｓ ｃｃｒｎ、窒素ガス３００８ ｃｃｍを流
し、０．８Ｔｏｒｒ、３１０℃の成膜条件で窒化ケイ紫
膜を形成した。高周波電力は両方の電極に各々３００Ｗ
が印加されるように調整した。こうして形成された膜を
ＲＢＳ （ラザフォード後方散乱）で分析すると、Ｓｉ
原子：Ｎ原子の比率は１ ： １．２７であり完全なＳ
ｊ、、Ｎ４にかなり近い良質の窒化ケイ素膜が得られた
。また、膜中の結合水素量は１．２×１０”Ｋ／ａ１１
であり、通常の約半分の量である。
素膜を形成した。原料ガスとして１００％モノシランガ
ス１５ Ｓ ｃｃｒｎ、窒素ガス３００８ ｃｃｍを流
し、０．８Ｔｏｒｒ、３１０℃の成膜条件で窒化ケイ紫
膜を形成した。高周波電力は両方の電極に各々３００Ｗ
が印加されるように調整した。こうして形成された膜を
ＲＢＳ （ラザフォード後方散乱）で分析すると、Ｓｉ
原子：Ｎ原子の比率は１ ： １．２７であり完全なＳ
ｊ、、Ｎ４にかなり近い良質の窒化ケイ素膜が得られた
。また、膜中の結合水素量は１．２×１０”Ｋ／ａ１１
であり、通常の約半分の量である。
ＨＦに対するエツチング速度を測定したところ４９％フ
ッ化水素水溶液に対して４人／Ｓであり、従来の形成法
による窒化ケイ素より１ケタ低い値であった。このよう
に緻密な良質の窒化ケイ素膜が得られることがわかった
。
ッ化水素水溶液に対して４人／Ｓであり、従来の形成法
による窒化ケイ素より１ケタ低い値であった。このよう
に緻密な良質の窒化ケイ素膜が得られることがわかった
。
以上の説明で明らかの如く１本発明によれば、高周波印
加電力の大小を問わず基板近傍において均一なプラズマ
を効率よく発生させることが出来、かつ、セルフバイア
ス現象を抑えるので、プラズマＣＶＤ法により薄膜形成
をする際に均質で良質な薄膜を大きな成膜速度で形成す
る効果をあげることが出来る。
加電力の大小を問わず基板近傍において均一なプラズマ
を効率よく発生させることが出来、かつ、セルフバイア
ス現象を抑えるので、プラズマＣＶＤ法により薄膜形成
をする際に均質で良質な薄膜を大きな成膜速度で形成す
る効果をあげることが出来る。
第１図、第２図及び第３図は本発明一実施例の平行平板
型プラズマＣＶＤ装置の両極に高周波を印加する場合の
製造装置の説明図、第４図は従来技術の平行平板型プラ
ズマＣＶＤ装置の説明図である。 １ 、１．０．２０．３０・・・真空容器、２．１１．
２１．３］・・・平行平板電極、３ 、１２．２２．３
２・・・ヒータ、４，１３゜２３、３３・・・基板、５
、１４．２４．３４・・・多孔形ガス吹出口付平行平
板型電極、６ 、１５．２５．３５・・・ガス導入管、
７ 、１６．２６．３６・・・マツチングボックス、８
゜１８、２８．３７・・・高周波電源、９ 、１９．２
９．３８・・・ガス排出口、１７・・・トランス、２７
・・・増幅器。
型プラズマＣＶＤ装置の両極に高周波を印加する場合の
製造装置の説明図、第４図は従来技術の平行平板型プラ
ズマＣＶＤ装置の説明図である。 １ 、１．０．２０．３０・・・真空容器、２．１１．
２１．３］・・・平行平板電極、３ 、１２．２２．３
２・・・ヒータ、４，１３゜２３、３３・・・基板、５
、１４．２４．３４・・・多孔形ガス吹出口付平行平
板型電極、６ 、１５．２５．３５・・・ガス導入管、
７ 、１６．２６．３６・・・マツチングボックス、８
゜１８、２８．３７・・・高周波電源、９ 、１９．２
９．３８・・・ガス排出口、１７・・・トランス、２７
・・・増幅器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いたガスのグロ
ー放電分解による薄膜形成方法において、相対向する２
箇の電極から高周波印加させて反応ガスを分解し薄膜形
成することを特徴とする薄膜形成方法。 ２、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、相対向する
２箇の電極の１つに基板を支持し、ガスのグロー放電分
解により薄膜形成する製造装置において、前記相対向す
る２箇の電極のそれぞれに高周波電力を印加すべく形成
されることを特徴とする薄膜形成の製造装置。 ３、前記高周波電力が、２箇の高周波発信器から前記相
対向する２箇の電極のそれぞれに１箇づつ接続されて印
加することを特徴とする特許請求の範囲の第２項に記載
の薄膜形成の製造装置。 ４、前記高周波電力が、単一の高周波発信器からトラン
スを介して分割され、前記相対向する２箇の電極のそれ
ぞれに接続されて印加することを特徴とする特許請求の
範囲の第２項に記載の薄膜形成の製造装置。 ５、前記高周波電力が、単一の高周波発信器から２箇の
等しい増幅回路により分割されて前記対向する２箇の電
極のそれぞれに接続され、増幅して印加されることを特
徴とする特許請求の範囲の第２項に記載の薄膜形成の製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269352A JPH0682623B2 (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 薄膜形成方法とその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269352A JPH0682623B2 (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 薄膜形成方法とその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130513A true JPS62130513A (ja) | 1987-06-12 |
| JPH0682623B2 JPH0682623B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=17471182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60269352A Expired - Lifetime JPH0682623B2 (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 薄膜形成方法とその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682623B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147872A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2007209569A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Kai R & D Center Co Ltd | 折り畳み式鏡 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592132U (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-09 | 富士通株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61202438A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Ulvac Corp | グロ−放電安定化方法 |
| JPS6240829U (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-11 |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP60269352A patent/JPH0682623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592132U (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-09 | 富士通株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61202438A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Ulvac Corp | グロ−放電安定化方法 |
| JPS6240829U (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-11 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147872A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP4495573B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2010-07-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
| JP2007209569A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Kai R & D Center Co Ltd | 折り畳み式鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682623B2 (ja) | 1994-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5427827A (en) | Deposition of diamond-like films by ECR microwave plasma | |
| Klemberg-Sapieha et al. | Dual microwave-rf plasma deposition of functional coatings | |
| JPH04234111A (ja) | 表面処理装置及び方法 | |
| US20130213575A1 (en) | Atmospheric Pressure Plasma Generating Apparatus | |
| JPS63197329A (ja) | プラズマ・チャンバー内で、無定形水素化シリコンを基板へ付着させる方法 | |
| TW307027B (en) | Process for reducing circuit damage during pecvd in single wafer pecvd system | |
| JPS58204537A (ja) | プラズマエツチング方法 | |
| JPH02239622A (ja) | 安定化層のための保護層及びその製法 | |
| JPS62130513A (ja) | 薄膜形成方法とその製造装置 | |
| JP3227949B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| Song et al. | Study on SiN and SiCN film production using PE-ALD process with high-density multi-ICP source at low temperature | |
| JPS6012728A (ja) | 膜形成用電極構造体 | |
| JP2002141292A (ja) | シリコン系薄膜の製造法 | |
| JP3258441B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 | |
| JP2630089B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| TW200413564A (en) | Apparatus and method for forming a thin film | |
| Ueda et al. | Deposition of a-Si: H films by ECR plasma CVD using large diameter multi-slot antennae | |
| JPS63142627A (ja) | 半導体薄膜の製造装置 | |
| JPH0529275A (ja) | プラズマエツチング方法及び装置 | |
| JPS5913335A (ja) | 窒化膜形成方法 | |
| JPS5934639A (ja) | 窒化シリコン膜形成装置 | |
| JPS60176224A (ja) | プラズマ化学気相成長法 | |
| JPH0732076B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびその処理方法 | |
| JPS57153436A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0629231A (ja) | グロー放電方法及びグロー放電装置 |