JPS59166674A - プラズマエツチング方法 - Google Patents
プラズマエツチング方法Info
- Publication number
- JPS59166674A JPS59166674A JP4089983A JP4089983A JPS59166674A JP S59166674 A JPS59166674 A JP S59166674A JP 4089983 A JP4089983 A JP 4089983A JP 4089983 A JP4089983 A JP 4089983A JP S59166674 A JPS59166674 A JP S59166674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etched
- electrode
- sample
- plasma etching
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は改善されたプラズマエツチング方法に関する。
申） 従来技術と問題点
半導体装置を製造する際に、所望パターンを形成するた
めのエツチングが繰り返し行われており、且つ半導体装
置力月Ｃ，ＬＳＩと微細化され高集積化されるに従って
、従来のウェットエツチング（湿式エツチング）法に代
わりドライエツチング（乾式エツチング）法が多く使用
され、そのうちプラズマエツチングは特に重用されてい
る方法である。
めのエツチングが繰り返し行われており、且つ半導体装
置力月Ｃ，ＬＳＩと微細化され高集積化されるに従って
、従来のウェットエツチング（湿式エツチング）法に代
わりドライエツチング（乾式エツチング）法が多く使用
され、そのうちプラズマエツチングは特に重用されてい
る方法である。
このようなプラズマエツチング法はサイドエッチを少な
くして高精度にパターンニングできるために微細パター
ンの形成には最適な方法で、イオンエツチング方法やり
アクティブイオンエツチング方法などがこれに含まれる
。
くして高精度にパターンニングできるために微細パター
ンの形成には最適な方法で、イオンエツチング方法やり
アクティブイオンエツチング方法などがこれに含まれる
。
第１図はプラズマエツチング装置の一実施例の概要断面
図を示し、反応容器１内を排気口２より真空排気し、ガ
ス流入口３より反応ガスを流入して容器内の減圧度を０
．１ないしｌ Ｔｏｒｒ程度にする。
図を示し、反応容器１内を排気口２より真空排気し、ガ
ス流入口３より反応ガスを流入して容器内の減圧度を０
．１ないしｌ Ｔｏｒｒ程度にする。
被エツチング試料である半導体ウェハー４は対向する平
行平板電極の内、一方の電極５上に置いて、他方の電極
６との間に周波数１３．５６ ＭＢ２の高周波型カフを
印加し、プラズマガスを発生してエツチングを行う。こ
の際、反応ガスが化学反応を伴う活性ガスであるとりア
クティブイオンエツチングとなり、反応ガスが中性ガス
であるとイオンエツチングとなる。
行平板電極の内、一方の電極５上に置いて、他方の電極
６との間に周波数１３．５６ ＭＢ２の高周波型カフを
印加し、プラズマガスを発生してエツチングを行う。こ
の際、反応ガスが化学反応を伴う活性ガスであるとりア
クティブイオンエツチングとなり、反応ガスが中性ガス
であるとイオンエツチングとなる。
ところで、かようなプラズマエツチング法は上記のよう
に高精度パターンの形成に適しており、また廃液が発生
しないため公害防止が容易になる等のメリットも多いが
、その反面でエツチング処理に時間が長くかかることが
大きな欠点である。
に高精度パターンの形成に適しており、また廃液が発生
しないため公害防止が容易になる等のメリットも多いが
、その反面でエツチング処理に時間が長くかかることが
大きな欠点である。
例えば二酸化シリコン膜（Ｓｉ０２膜）をエツチングす
る場合には四弗化炭素（ＣＦ４）あるいはトリフロロメ
タン（ＣＨＦａ ）のようなガスを用いる（リアクティ
ブイオンエツチングである）が、５ｉ０２膜は数１００
人／分の速度でエンチングされて、従前のウェットエツ
チング法と比べると極めて処理工数が多くかかる。従前
のウェットエツチング法では１μｍ／分ないし数１００
０人／分の速度でエツチングが可能であった。
る場合には四弗化炭素（ＣＦ４）あるいはトリフロロメ
タン（ＣＨＦａ ）のようなガスを用いる（リアクティ
ブイオンエツチングである）が、５ｉ０２膜は数１００
人／分の速度でエンチングされて、従前のウェットエツ
チング法と比べると極めて処理工数が多くかかる。従前
のウェットエツチング法では１μｍ／分ないし数１００
０人／分の速度でエツチングが可能であった。
（Ｃ１発明の目的
本発明は、このようなプラズマエツチングの処理時間を
短縮するエツチング方法を提案するものである。
短縮するエツチング方法を提案するものである。
！ｄ＋ 発明の構成
その目的は、裏面に単数又は複数のループ状マグネ・７
トを配設した電極面に被エツチング試料を載置し、該被
エツチング試料を一次元方向に移動させながらエツチン
グするプラズマエツチング方法によって達成される。
トを配設した電極面に被エツチング試料を載置し、該被
エツチング試料を一次元方向に移動させながらエツチン
グするプラズマエツチング方法によって達成される。
ｔｅｌ 発明の実施例
以下、一実施例によって詳細に説明する。第２図は本発
明にかかるプラズマエツチング装置の概要断面図であり
、図示のようにマグネット１０を半導体ウェハー４を載
置した電極５の裏面に設置する。マグネット１０は第３
図に示すようなループ状のものを用い、単数又は複数個
を配設する。
明にかかるプラズマエツチング装置の概要断面図であり
、図示のようにマグネット１０を半導体ウェハー４を載
置した電極５の裏面に設置する。マグネット１０は第３
図に示すようなループ状のものを用い、単数又は複数個
を配設する。
第３図（ａｌは一例のマグネットの斜視図、同図（ｂ）
はその断面図である。且つ、マグネットの個数は半導体
ウェハー（被エツチング試料）の移動速度（スキャンニ
ング速度）にも関係するが、Ｎ極とＳ極とを交互に配置
して出来るだけ強力な磁場内で被エツチング試料をエツ
チングするように図る。
はその断面図である。且つ、マグネットの個数は半導体
ウェハー（被エツチング試料）の移動速度（スキャンニ
ング速度）にも関係するが、Ｎ極とＳ極とを交互に配置
して出来るだけ強力な磁場内で被エツチング試料をエツ
チングするように図る。
マグネット１０は永久磁石でも、また電磁石でもよい。
このようにして、半導体ウェハー４を電極５上で一次元
方向に移動（スキャンニング）させながらエツチングす
る。また、半導体ウェハー４を電極５と同時にスキャン
ニングしてもよい。かようにすれば、従来の電場に磁場
が加味され、その磁場によってイオンがトラップされて
エツチング速度が早くなる。例えば、Ｃ’Ｆ ４ガスあ
るいはＣＨＦ０ガスを用いて５ｉ０２膜をエツチングす
る場合は、従来は数１００人／分の速度でエンチングさ
れていたが、本発明によれば５〜１０倍早くエツチング
され、２０００〜５０００人／分程度の速度になる。
方向に移動（スキャンニング）させながらエツチングす
る。また、半導体ウェハー４を電極５と同時にスキャン
ニングしてもよい。かようにすれば、従来の電場に磁場
が加味され、その磁場によってイオンがトラップされて
エツチング速度が早くなる。例えば、Ｃ’Ｆ ４ガスあ
るいはＣＨＦ０ガスを用いて５ｉ０２膜をエツチングす
る場合は、従来は数１００人／分の速度でエンチングさ
れていたが、本発明によれば５〜１０倍早くエツチング
され、２０００〜５０００人／分程度の速度になる。
尚、上記は高周波型カフを印加したＲＦバイアスによる
エツチング法の例で説明したが、本発明はＤＣバイアス
によるエツチング法にも適用できることは言うまでもな
い。
エツチング法の例で説明したが、本発明はＤＣバイアス
によるエツチング法にも適用できることは言うまでもな
い。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から判るように、本発明によればエツチング
処理工数が削減され、コストダウンは勿論のこと、品質
向上にも好結果を与えるものである。
処理工数が削減され、コストダウンは勿論のこと、品質
向上にも好結果を与えるものである。
且つ、本発明は半導体ウェハーを電極面上で移動させる
方法であるから、露光からエツチングと自動的にウェハ
ーを処理する自動化工程に組み込んで、一層その効果が
大きくなるものである。
方法であるから、露光からエツチングと自動的にウェハ
ーを処理する自動化工程に組み込んで、一層その効果が
大きくなるものである。
第１図は従来のプラズマエツチング装置の概要断面図、
第２図は本発明にかかるプラズマエンチング装置の概要
断面図、第３図（ａｌはマグネットの一例の斜視図、同
図中）はその断面図である。 図中、■は反応容器、２は排気口、３はガス流入０．４
は被エツチング試料（半導体ウェハー）。 ５．６は平行平板電極、７は高周波電力、１０はマグネ
ットを示している。
第２図は本発明にかかるプラズマエンチング装置の概要
断面図、第３図（ａｌはマグネットの一例の斜視図、同
図中）はその断面図である。 図中、■は反応容器、２は排気口、３はガス流入０．４
は被エツチング試料（半導体ウェハー）。 ５．６は平行平板電極、７は高周波電力、１０はマグネ
ットを示している。
Claims (1)
- 裏面に単数又は複数のループ状マグネットを配設した電
極面に被エツチング試料を載置し、該被エツチング試料
を一次元方向に移動させながらエツチングすることを特
徴とするプラズマエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089983A JPS59166674A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | プラズマエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089983A JPS59166674A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | プラズマエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59166674A true JPS59166674A (ja) | 1984-09-20 |
Family
ID=12593355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4089983A Pending JPS59166674A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | プラズマエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59166674A (ja) |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP4089983A patent/JPS59166674A/ja active Pending
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