JPH0296332A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0296332A JPH0296332A JP24926188A JP24926188A JPH0296332A JP H0296332 A JPH0296332 A JP H0296332A JP 24926188 A JP24926188 A JP 24926188A JP 24926188 A JP24926188 A JP 24926188A JP H0296332 A JPH0296332 A JP H0296332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- chamber
- high frequency
- wafer
- frequency power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置を製造するためのドライエツチング
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来の技術
従来、半導体装置を製造する際のドライエツチングは、
半導体プロセスが３μｍルール以上のものについては、
プラズマモード（等方性エツチング）が使用されていた
。また、３μｍ以下のものについては、ＲＩＥモード（
異方性エツチング）が使用されていた。ところで、プラ
ズマモードのエツチング装置は、第２図（ａ）に示すよ
うに。
半導体プロセスが３μｍルール以上のものについては、
プラズマモード（等方性エツチング）が使用されていた
。また、３μｍ以下のものについては、ＲＩＥモード（
異方性エツチング）が使用されていた。ところで、プラ
ズマモードのエツチング装置は、第２図（ａ）に示すよ
うに。
エツチングを行なうチャンバー２１の外周にコイル２２
を巻装するとともに、このコイル２２に高周波電源２３
を接続し、さらに上記チャンバー２１内にウェハー２４
を載置するためのステージ２５を配置した構造である。
を巻装するとともに、このコイル２２に高周波電源２３
を接続し、さらに上記チャンバー２１内にウェハー２４
を載置するためのステージ２５を配置した構造である。
このエツチング装置のコイル２２に高周波を印加すると
ともにチャンバー２１内にガスを供給すると、第２図（
ｂ）に示すように、ウェハー２４の表面に形成された酸
化膜２６がエツチングされてたとえばコンタクトホール
２７が形成される。この場合、コンタクトホール２７の
側壁はテーパとなる。なお、図中、２８はマスクである
。また、ＲＩＥモードのエツチング装置は、第３図（ａ
）に示すように、エツチングを行なうチャンバー３１内
に一対の電極板３２Ａ、３２Ｂを配置するとともに、こ
れら画電極板３２Ａ、３２Ｂ間に高周波電源３３を接続
した構造である。このエツチング装置のチャンバー３１
内の電極板３２Ｂ上にウェハー３４を載置した後。
ともにチャンバー２１内にガスを供給すると、第２図（
ｂ）に示すように、ウェハー２４の表面に形成された酸
化膜２６がエツチングされてたとえばコンタクトホール
２７が形成される。この場合、コンタクトホール２７の
側壁はテーパとなる。なお、図中、２８はマスクである
。また、ＲＩＥモードのエツチング装置は、第３図（ａ
）に示すように、エツチングを行なうチャンバー３１内
に一対の電極板３２Ａ、３２Ｂを配置するとともに、こ
れら画電極板３２Ａ、３２Ｂ間に高周波電源３３を接続
した構造である。このエツチング装置のチャンバー３１
内の電極板３２Ｂ上にウェハー３４を載置した後。
画電極板３２Ａ、３２Ｂ間に高周波を印加するとともに
チャンバー３１内にガスを供給すると、第３図（ｂ）に
示すように、ウェハー３４表面の酸化膜３５がエツチン
グされてたとえばコンタクトホール３６が形成される。
チャンバー３１内にガスを供給すると、第３図（ｂ）に
示すように、ウェハー３４表面の酸化膜３５がエツチン
グされてたとえばコンタクトホール３６が形成される。
この場合、コンタクトホール３６の側壁には、テーパが
付かず、垂直となる０図中、３７はマスクである。
付かず、垂直となる０図中、３７はマスクである。
発明が解決しようとする課題
上記のプラズマモード方式のエツチングによると、エツ
チングによって形成された溝（たとえばコンタクトホー
ル）の側壁にテーパが付き、パターンのステップカバレ
ージは良いが５寸法端度が悪いという欠点があった。一
方、ＲＩＥモード方式のエツチングによると１寸法端度
は良いが、溝の側壁にテーパが付かないため、ステップ
カバレージが悪いという欠点があった。
チングによって形成された溝（たとえばコンタクトホー
ル）の側壁にテーパが付き、パターンのステップカバレ
ージは良いが５寸法端度が悪いという欠点があった。一
方、ＲＩＥモード方式のエツチングによると１寸法端度
は良いが、溝の側壁にテーパが付かないため、ステップ
カバレージが悪いという欠点があった。
そこで、本発明は上記課題を解消し得るドライエツチン
グ装置を提供することを目的とする。
グ装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため５本発明のドライエツチング装
置は、エツチングを行なうチャンバーの外周に等方性エ
ツチング用の第１電極を設けるとともに、このチャンバ
ー内に異方性エツチング用の第２電極を設けたものであ
る。
置は、エツチングを行なうチャンバーの外周に等方性エ
ツチング用の第１電極を設けるとともに、このチャンバ
ー内に異方性エツチング用の第２電極を設けたものであ
る。
作用
上記構成において、ウェハーのエツチングを行なう場合
、まず第１電極により等方性エツチングを行なってテー
パを付け、その後第２電極により異方性エツチングを行
なってテーパを付けないようにエツチングすれば、寸法
精度およびステップカバレージの両方とも良好なパター
ン溝が得られる。
、まず第１電極により等方性エツチングを行なってテー
パを付け、その後第２電極により異方性エツチングを行
なってテーパを付けないようにエツチングすれば、寸法
精度およびステップカバレージの両方とも良好なパター
ン溝が得られる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）および（ｂ）に
基づき説明する。
基づき説明する。
第１図（、）に示すように、本実施例におけるドライエ
ツチング装置は、エツチング用のチャンバー１の外周に
プラズマエツチング（等方性エツチング）用のコイル（
第１電極）２を巻装するとともに、チャンバー１の内部
にＲＩＥエツチング（異方性エツチング）用の上下一対
の電極板（第２電極）３Ａ、３Ｂを配置し、また上記コ
イル２および一対の電極板３Ａ、３Ｂにそれぞれ第１お
よび第２高周波電源４．５を接続したものである。
ツチング装置は、エツチング用のチャンバー１の外周に
プラズマエツチング（等方性エツチング）用のコイル（
第１電極）２を巻装するとともに、チャンバー１の内部
にＲＩＥエツチング（異方性エツチング）用の上下一対
の電極板（第２電極）３Ａ、３Ｂを配置し、また上記コ
イル２および一対の電極板３Ａ、３Ｂにそれぞれ第１お
よび第２高周波電源４．５を接続したものである。
なお、上記一対の電極板３Ａ、３Ｂの内、下方の電極板
３Ｂは、ウェハー８を載置するステージでもある。また
、６および７はチャンバー１の上下部に設けられたガス
導入管およびガス排出管である。
３Ｂは、ウェハー８を載置するステージでもある。また
、６および７はチャンバー１の上下部に設けられたガス
導入管およびガス排出管である。
本実施例のエツチング装置でウェハー８をドライエツチ
ングする場合、まず、チャンバー１内のステージである
下方の電極板３Ｂ上にウェハー８を載置した後、第１高
周波電源４によりコイル２に高周波を印加するとともに
ガスをチャンバー１内に供給し、第１図（ｂ）に示すよ
うに、プラズマエツチングによりウェハー８表面の酸化
膜９をその厚さ！／３程度エツチングする１次に、コイ
ル２への高周波の印加を停止させた後、第２高周波電源
５により一対の電極板３Ａ、３Ｂ間に高周波を印加して
ＲＩＥエツチングにより酸化膜９の残りの２７３をエツ
チングする。なお、１０はマスクである。このエツチン
グにより、寸法精度が良くしかもテーパの付いた良好な
パターン溝たとえばコンタクトホール１１が形成される
。
ングする場合、まず、チャンバー１内のステージである
下方の電極板３Ｂ上にウェハー８を載置した後、第１高
周波電源４によりコイル２に高周波を印加するとともに
ガスをチャンバー１内に供給し、第１図（ｂ）に示すよ
うに、プラズマエツチングによりウェハー８表面の酸化
膜９をその厚さ！／３程度エツチングする１次に、コイ
ル２への高周波の印加を停止させた後、第２高周波電源
５により一対の電極板３Ａ、３Ｂ間に高周波を印加して
ＲＩＥエツチングにより酸化膜９の残りの２７３をエツ
チングする。なお、１０はマスクである。このエツチン
グにより、寸法精度が良くしかもテーパの付いた良好な
パターン溝たとえばコンタクトホール１１が形成される
。
発明の効果
以上のように本発明のドライエツチング装置によると、
１個のエツチング用チャンバーにより、等方性エツチン
グと異方性エツチングとを行なうことができ、したがっ
てウェハーに形成されるパターン溝のステップカバレー
ジおよび寸法精度の両方を良くすることができる。
１個のエツチング用チャンバーにより、等方性エツチン
グと異方性エツチングとを行なうことができ、したがっ
てウェハーに形成されるパターン溝のステップカバレー
ジおよび寸法精度の両方を良くすることができる。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例を示すも
ので、第１図（ａ）はドライエツチング装置の概略構成
を示す側面図、第１図（ｂ）はエツチング状態を示すウ
ェハーの断面図、第２図（ａ）（ｂ）および第３図（ａ
）（ｂ）は従来例を示すもので、第２図（ａ）および第
３図（ａ）はそれぞれドライエツチング装置の概略構成
を示す側面図、第２図（ｂ）および第３図（ｂ）はそれ
ぞれエツチング状態を示すウェハーの断面図である。 １・・・チャンバー ２・・・コイル、３Ａ、３Ｂ・・
・電極板、 ４゜ ５・・・高周波電源、 ８・・・ウェハー ９・・・ 酸化膜、 １１・・・コンタクトホール。
ので、第１図（ａ）はドライエツチング装置の概略構成
を示す側面図、第１図（ｂ）はエツチング状態を示すウ
ェハーの断面図、第２図（ａ）（ｂ）および第３図（ａ
）（ｂ）は従来例を示すもので、第２図（ａ）および第
３図（ａ）はそれぞれドライエツチング装置の概略構成
を示す側面図、第２図（ｂ）および第３図（ｂ）はそれ
ぞれエツチング状態を示すウェハーの断面図である。 １・・・チャンバー ２・・・コイル、３Ａ、３Ｂ・・
・電極板、 ４゜ ５・・・高周波電源、 ８・・・ウェハー ９・・・ 酸化膜、 １１・・・コンタクトホール。
Claims (1)
- １、エッチングを行なうチャンバーの外周に等方性エッ
チング用の第１電極を設けるとともに、このチャンバー
内に異方性エッチング用の第２電極を設けたドライエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926188A JPH0296332A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926188A JPH0296332A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0296332A true JPH0296332A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=17190333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24926188A Pending JPH0296332A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0296332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264296A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-10-11 | Applied Materials Inc | 誘導増強された反応性イオンエッチング |
-
1988
- 1988-10-03 JP JP24926188A patent/JPH0296332A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264296A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-10-11 | Applied Materials Inc | 誘導増強された反応性イオンエッチング |
| US5607542A (en) * | 1994-11-01 | 1997-03-04 | Applied Materials Inc. | Inductively enhanced reactive ion etching |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6376330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2703432B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物膜のドライエッチング方法 | |
| JPH0296332A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH06204183A (ja) | シリコン基体の加工方法 | |
| JPH0964017A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS6032972B2 (ja) | エツチング装置 | |
| KR20010073304A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| JPH0741155Y2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH02294029A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS63312642A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH01186624A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04280427A (ja) | シリコン基板の加工方法 | |
| JPH02105414A (ja) | 平行平板型ドライエッチング装置 | |
| JPS62106629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0750292A (ja) | テーパエッチング方法 | |
| JPS59124724A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS60254731A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5984528A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH08339988A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS63124529A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS615520A (ja) | パタ−ン転写法 | |
| JPS634614A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS62142327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63213930A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01283834A (ja) | 半導体装置の製造方法 |