JPS5984528A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5984528A JPS5984528A JP19554982A JP19554982A JPS5984528A JP S5984528 A JPS5984528 A JP S5984528A JP 19554982 A JP19554982 A JP 19554982A JP 19554982 A JP19554982 A JP 19554982A JP S5984528 A JPS5984528 A JP S5984528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coaxial coil
- switch
- etching
- etching chamber
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明にプラズマエツチング装置にかがり、特に高周
波の電圧を印加する機構に関するものである。
波の電圧を印加する機構に関するものである。
従来、半導体装置製造等に用いるプラズマエツチング装
置は１円筒状のエツチング室の周囲に同軸コイルを巻き
高周波電圧全印加し、ガス全エツチング室内に導入しプ
ラズマを発生させる等方性エツチングの方式か、又はエ
ツチング室内に平行平板電極を設け、高周波の電圧を電
極間に印加しガスをエツチング室内に導入しプラズマを
発生させる異方性エツチングの方式のいずれかであった
。
置は１円筒状のエツチング室の周囲に同軸コイルを巻き
高周波電圧全印加し、ガス全エツチング室内に導入しプ
ラズマを発生させる等方性エツチングの方式か、又はエ
ツチング室内に平行平板電極を設け、高周波の電圧を電
極間に印加しガスをエツチング室内に導入しプラズマを
発生させる異方性エツチングの方式のいずれかであった
。
このため同軸コイルによる等方性エツチング方式では半
導体基板に垂直な方向へも、平行な方向へもエツチング
が進行し、微細パターンの加工に於ては、サイドエッチ
が太きすぎて適用不可能であった。一方、平行平板電極
を用いた異方性エツチングの方式では、エツチングが半
導体基板に垂直な方向−５のみ進行するので、サイドエ
ッチが小さく微細パターンの加工には適しているが、被
エツチング膜の表面、に残渣がある場合、この残渣が保
゛護膜となりエツチングが半導体基板に平行な方向−
＼全く進行しないため針状あるいは柱状の残渣として残
ったり１段差の大きい半導体基板表面に付された被エツ
チング膜が段差部分に残ったりして。
導体基板に垂直な方向へも、平行な方向へもエツチング
が進行し、微細パターンの加工に於ては、サイドエッチ
が太きすぎて適用不可能であった。一方、平行平板電極
を用いた異方性エツチングの方式では、エツチングが半
導体基板に垂直な方向−５のみ進行するので、サイドエ
ッチが小さく微細パターンの加工には適しているが、被
エツチング膜の表面、に残渣がある場合、この残渣が保
゛護膜となりエツチングが半導体基板に平行な方向−
＼全く進行しないため針状あるいは柱状の残渣として残
ったり１段差の大きい半導体基板表面に付された被エツ
チング膜が段差部分に残ったりして。
歩留１品質全低下させていた。
この発明の目的は、微細パターンの加工がｒａＪ能でか
つ歩留９品質の低下をおこすことのないプラズマエツチ
ング装置を提供することにある。
つ歩留９品質の低下をおこすことのないプラズマエツチ
ング装置を提供することにある。
この発明の特徴は、エツチング室内全真空ポンプにより
真空に保ち、高周波の電１圧全印加し、導入されたガス
を励起してプラズマ全発生させ半導体基板表面をエツチ
ングするプラズマエツチング装置において、エツチング
室の周囲に巻かれた同軸コイルと平行平板電極を共に有
し、選択的に高周波全印加して使用できる機構を有する
ことである。
真空に保ち、高周波の電１圧全印加し、導入されたガス
を励起してプラズマ全発生させ半導体基板表面をエツチ
ングするプラズマエツチング装置において、エツチング
室の周囲に巻かれた同軸コイルと平行平板電極を共に有
し、選択的に高周波全印加して使用できる機構を有する
ことである。
次に、この発明の実施例につき図面を用いて説明する。
第１図は、この発明の一実施例を説明するためのプラズ
マエツチング装置の模式的断面図である。この実施例の
プラズマエツチング装置はエツチング室１の周囲に巻か
れた同軸コイル２と平行平板の構造をした陰極３と陽極
４乞有し、スイッチ５，６．７．８’に選択的に短絡、
開放することにより、同軸コイル２に高周波電圧全印加
したＶ％平行平板電極３，４に高層ｔＩｌ電圧を印加し
たりすることがでさるつ 即ち、排気口１１茫介して真空ポンプ１０に接続され、
ガス導入口１２を有したエツチング室１の周囲に同軸コ
イル２？設け、同軸コイル２の一端をスイッチ７を介し
て高周波電源１４に接続し、他の一端全スイッチ８を介
して接地する。さらに上下に陰極３と陽極４よＶ成る平
行平板電極を設け、陰極３ｔ−スイッチ５′ｆｒ、介し
て高周波電源１３へ接続し、陽極４はスイッチ６を介し
て接地する。
マエツチング装置の模式的断面図である。この実施例の
プラズマエツチング装置はエツチング室１の周囲に巻か
れた同軸コイル２と平行平板の構造をした陰極３と陽極
４乞有し、スイッチ５，６．７．８’に選択的に短絡、
開放することにより、同軸コイル２に高周波電圧全印加
したＶ％平行平板電極３，４に高層ｔＩｌ電圧を印加し
たりすることがでさるつ 即ち、排気口１１茫介して真空ポンプ１０に接続され、
ガス導入口１２を有したエツチング室１の周囲に同軸コ
イル２？設け、同軸コイル２の一端をスイッチ７を介し
て高周波電源１４に接続し、他の一端全スイッチ８を介
して接地する。さらに上下に陰極３と陽極４よＶ成る平
行平板電極を設け、陰極３ｔ−スイッチ５′ｆｒ、介し
て高周波電源１３へ接続し、陽極４はスイッチ６を介し
て接地する。
この機構を用いて、陰極３表面に乗せられた半導体基板
９をエツチングする場合、スイッチ５．６を短絡し、ス
イッチ７．８ヲ開放すると平行平板型の異方性エツチン
グが可能になり１スイツチ５゜６全開放しスイッチ７．
８を短絡すると同軸コイル型の等方性エツチングが可能
となる。これらのエツチング方式の選択は、シーケンス
制御により自由にでき、連続処理が可能である。
９をエツチングする場合、スイッチ５．６を短絡し、ス
イッチ７．８ヲ開放すると平行平板型の異方性エツチン
グが可能になり１スイツチ５゜６全開放しスイッチ７．
８を短絡すると同軸コイル型の等方性エツチングが可能
となる。これらのエツチング方式の選択は、シーケンス
制御により自由にでき、連続処理が可能である。
この実施例によれば、最初平行平板型の異方性エラチン
グラ施しサイドエッチを抑えた上で、残渣として残った
針状、柱状の被エツチング物質全同軸型の等方性エツチ
ングで除去することがでさ、微細パターンの加工が歩留
１品質の低下なく行なわれることになるうさらに、最初
に等方性エツチングを施し、続いて異方性エツチングを
施す順序を採用すれば、コンタクト開孔その他のテーパ
ーエツチングにも応用でさる。
グラ施しサイドエッチを抑えた上で、残渣として残った
針状、柱状の被エツチング物質全同軸型の等方性エツチ
ングで除去することがでさ、微細パターンの加工が歩留
１品質の低下なく行なわれることになるうさらに、最初
に等方性エツチングを施し、続いて異方性エツチングを
施す順序を採用すれば、コンタクト開孔その他のテーパ
ーエツチングにも応用でさる。
上述の実施例において、エツチング室内に導入されるガ
スは、自由に選択でさるし、高周波電圧の印加方法の違
いによりガスを変化させることも可能である。又、平行
平板型の場合、陽極側に高周波電源を結合させる方法も
選択できる。さらに本装置を同軸コイル型、平行平板型
いずれかの単独装置として使用できることはいうまでも
ない。
スは、自由に選択でさるし、高周波電圧の印加方法の違
いによりガスを変化させることも可能である。又、平行
平板型の場合、陽極側に高周波電源を結合させる方法も
選択できる。さらに本装置を同軸コイル型、平行平板型
いずれかの単独装置として使用できることはいうまでも
ない。
第１Ｎは本発明の一実施例を説明するためのプラズマエ
ツチング装置の模式的断面図である。 尚５図において、１・・・・・・エツチング室、２・・
・・・・同軸コイル、３・・・・・・陰極、４・・・・
・・陽極４ ５＋ ６＋７．８・・・・・・スイッチ
、９・・・・・・半導体基板、１０・・・・・・真空ポ
ンプ、１１・・・・・・排気口、１２・・・・・・ガス
導入口− １３・ １４・・・・・・高周波電源、であ
る。
ツチング装置の模式的断面図である。 尚５図において、１・・・・・・エツチング室、２・・
・・・・同軸コイル、３・・・・・・陰極、４・・・・
・・陽極４ ５＋ ６＋７．８・・・・・・スイッチ
、９・・・・・・半導体基板、１０・・・・・・真空ポ
ンプ、１１・・・・・・排気口、１２・・・・・・ガス
導入口− １３・ １４・・・・・・高周波電源、であ
る。
Claims (1)
- エツチング室内を真空ポンプによりＡ空に保ち、゛高周
波の電圧ケ印加し、導入されたガス奮励？１℃してプラ
ズマを発生させ半導体基板表面’ｔ＝Ｌノテングするプ
ラズマエツチング装置において、エツチング室の周囲に
巻かれた同軸コイルと平行平板電極ケ共に有し、選択的
に高周波全印加して使用でさる機構４有することを特徴
とするプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554982A JPS5984528A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554982A JPS5984528A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984528A true JPS5984528A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16342943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19554982A Pending JPS5984528A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534231A (en) * | 1990-01-04 | 1996-07-09 | Mattson Technology, Inc. | Low frequency inductive RF plasma reactor |
| US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP19554982A patent/JPS5984528A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534231A (en) * | 1990-01-04 | 1996-07-09 | Mattson Technology, Inc. | Low frequency inductive RF plasma reactor |
| US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| US6143129A (en) * | 1994-11-15 | 2000-11-07 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| US6551447B1 (en) | 1994-11-15 | 2003-04-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
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