JP2656511B2 - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JP2656511B2 JP2656511B2 JP62295269A JP29526987A JP2656511B2 JP 2656511 B2 JP2656511 B2 JP 2656511B2 JP 62295269 A JP62295269 A JP 62295269A JP 29526987 A JP29526987 A JP 29526987A JP 2656511 B2 JP2656511 B2 JP 2656511B2
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- JP
- Japan
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- plasma
- power
- frequency
- power supply
- plasma etching
- Prior art date
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマエッチング装置に係り、特にSiO2を
選択性良くエッチングするのに好適なプラズマエッチン
グ装置に関するものである。
選択性良くエッチングするのに好適なプラズマエッチン
グ装置に関するものである。
従来の３電極を有するエッチング装置は三浦昭他著、
“RIE/プラズマエッチング装置「ティーガル1500シリー
ズ」”、（電子材料、1986年３月、第110頁から第113
頁）に示されているように、プラズマの発生を高周波数
の交流電源により行ない、ウエハへのイオンの導入量を
ウエハが設置されるカソードに低電力、低周波数の交流
電源により行なうようにしたもので、適切にイオンエネ
ルギを制御することができ、低ダメージエッチャーとし
ての用途が開発されている。
“RIE/プラズマエッチング装置「ティーガル1500シリー
ズ」”、（電子材料、1986年３月、第110頁から第113
頁）に示されているように、プラズマの発生を高周波数
の交流電源により行ない、ウエハへのイオンの導入量を
ウエハが設置されるカソードに低電力、低周波数の交流
電源により行なうようにしたもので、適切にイオンエネ
ルギを制御することができ、低ダメージエッチャーとし
ての用途が開発されている。
しかしながら、上記従来技術は、例えば、下地がSiで
あるSiO2膜を選択性良くエッチングする点については配
慮されておらず、十分満足できる結果は得られていな
い。
あるSiO2膜を選択性良くエッチングする点については配
慮されておらず、十分満足できる結果は得られていな
い。
本発明の目的は下地がSiやAlであるSiO2膜等の絶縁膜
を選択性良く、かつ、試料への入射イオンエネルギを制
御してエッチング処理することのできるプラズマエッチ
ング装置を提供することである。
を選択性良く、かつ、試料への入射イオンエネルギを制
御してエッチング処理することのできるプラズマエッチ
ング装置を提供することである。
上記目的は、試料が配置される処理室内にプラズマを
発生させるための第１の電源と、処理室内に発生させら
れたプラズマ中のイオンを試料に引き込むための第２の
電源とを有した装置を用い、酸化膜が形成された試料を
エッチングする際に、第１の電源を13.56MHzより低い周
波数の電源とし、第２の電源は第１の電源より低い周波
数で、さらに出力を第１の電源の出力より小さくして行
なうことにより、達成される。
発生させるための第１の電源と、処理室内に発生させら
れたプラズマ中のイオンを試料に引き込むための第２の
電源とを有した装置を用い、酸化膜が形成された試料を
エッチングする際に、第１の電源を13.56MHzより低い周
波数の電源とし、第２の電源は第１の電源より低い周波
数で、さらに出力を第１の電源の出力より小さくして行
なうことにより、達成される。
SiO2のエッチングでは一般にCF系のガスが使用され
る。下地Siとの選択比は試料近傍のプラズマがＣリッチ
のフルオロカーボンであるかまたはＦリッチのフルオロ
カーボンであるかによって決まる。
る。下地Siとの選択比は試料近傍のプラズマがＣリッチ
のフルオロカーボンであるかまたはＦリッチのフルオロ
カーボンであるかによって決まる。
高流電源の周波数を従来使用されていた13.56MHzより
低下させると、カソードシースでの電界は従来より幾分
大きくなり、試料近傍のプラズマはCF系ガスの分解が進
んでよりＣ成分がリッチなフルオロカーボンとなる。こ
れにより、Siとの反応を抑制し、SiO2との選択比を向上
させることができる。
低下させると、カソードシースでの電界は従来より幾分
大きくなり、試料近傍のプラズマはCF系ガスの分解が進
んでよりＣ成分がリッチなフルオロカーボンとなる。こ
れにより、Siとの反応を抑制し、SiO2との選択比を向上
させることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
本発明のプラズマエッチング装置の処理室は３つの電
極1,2,3及び絶縁物5,6,7と排気孔８とガス導入孔９とで
構成させている。１チャンバ側壁となっている第１のカ
ソードであり、コンデンサ12、マッチングボックス13を
介して低周波数、高電力（例えば、2MHz、1kW）の交流
電源14が接続してある。一方、試料であるウエハ４が設
置される第２のカソード２にはコンデンサ15、マッチン
グボックス16を介して、低周波数、低電力（例えば400K
Hz、100W）の交流電源17が接続してある。３は接地され
たアノードでその上方に磁石10がモータ11により回転可
能に取り付けてある。なお、この場合のウエハ４は下地
がSiでSiO2膜を形成したものである。
極1,2,3及び絶縁物5,6,7と排気孔８とガス導入孔９とで
構成させている。１チャンバ側壁となっている第１のカ
ソードであり、コンデンサ12、マッチングボックス13を
介して低周波数、高電力（例えば、2MHz、1kW）の交流
電源14が接続してある。一方、試料であるウエハ４が設
置される第２のカソード２にはコンデンサ15、マッチン
グボックス16を介して、低周波数、低電力（例えば400K
Hz、100W）の交流電源17が接続してある。３は接地され
たアノードでその上方に磁石10がモータ11により回転可
能に取り付けてある。なお、この場合のウエハ４は下地
がSiでSiO2膜を形成したものである。
ガス導入孔９から、この場合、CF系のガスが導入さ
れ、一定圧力に設定された後、交流電源14,17により電
力が印加されると放電が開始する。プラズマの発生に寄
与するのは高電力を印加するカソード１とアノード３と
の電界である。この交流電源14の周波数には、この場
合、2MHzという従来の13.56MHzにより低い周波数が用い
られており、カソード１のシース電界は従来の13.56MHz
より大きくなる。これにより、CF系ガスの分解がより進
んで、Ｃ成分がリッチなフルオロカーボンとなる。この
ようにして生成されたプラズマ中のイオンが、カソード
２に印加される低周波数、低電力のコントロールされた
交流電界によってウエハ４に引き込まれる。これらの低
電力であることによりダメージが少なく、しかもウエハ
４近傍のプラズマがＣ成分のリッチなフルオロカーボン
となっていることによりSiとの反応が抑制され、SiO2の
対Siとの選択比が向上し、選択比を大きくしたSiO2のエ
ッチングが可能となる。
れ、一定圧力に設定された後、交流電源14,17により電
力が印加されると放電が開始する。プラズマの発生に寄
与するのは高電力を印加するカソード１とアノード３と
の電界である。この交流電源14の周波数には、この場
合、2MHzという従来の13.56MHzにより低い周波数が用い
られており、カソード１のシース電界は従来の13.56MHz
より大きくなる。これにより、CF系ガスの分解がより進
んで、Ｃ成分がリッチなフルオロカーボンとなる。この
ようにして生成されたプラズマ中のイオンが、カソード
２に印加される低周波数、低電力のコントロールされた
交流電界によってウエハ４に引き込まれる。これらの低
電力であることによりダメージが少なく、しかもウエハ
４近傍のプラズマがＣ成分のリッチなフルオロカーボン
となっていることによりSiとの反応が抑制され、SiO2の
対Siとの選択比が向上し、選択比を大きくしたSiO2のエ
ッチングが可能となる。
このように、上記実施例では下地がSiであるSiO2膜の
エッチングについて述べたが、下地がAlのSiO2膜やPSG
膜等スルーホールの加工等においても同様の効果が得ら
れる。
エッチングについて述べたが、下地がAlのSiO2膜やPSG
膜等スルーホールの加工等においても同様の効果が得ら
れる。
以上述べたように、本実施例によれば下地がSiやAlで
あるSiO2膜等の絶縁膜を選択性良く、しかもウエハへの
入射イオンエネルギを制御してエッチングすることがで
きる。
あるSiO2膜等の絶縁膜を選択性良く、しかもウエハへの
入射イオンエネルギを制御してエッチングすることがで
きる。
本発明によれば、下地がSiやAlであるSiO2膜等の絶縁
膜を選択性良く、かつ試料への入射イオンエネルギを制
御してエッチング処理することができるという効果があ
る。
膜を選択性良く、かつ試料への入射イオンエネルギを制
御してエッチング処理することができるという効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例であるプラズマエッチング装
置を示す縦断面図である。 １……第１のカソード、２……第２のカソード、３……
アノード、14,17……交流電源、10……磁石
置を示す縦断面図である。 １……第１のカソード、２……第２のカソード、３……
アノード、14,17……交流電源、10……磁石
Claims (1)
- 【請求項１】真空下で処理ガスをプラズマ化し、該プラ
ズマにより試料をエッチング処理するプラズマエッチン
グ処理において、 該プラズマ生成用の交流電源として2.0MHzの周波数の第
一の交流電源を備えると共に、 該エッチング処理される試料への入射イオンエネルギの
制御用電源として該プラズマ生成用の交流電源の周波数
と電力よりも低い周波数と電力の第二の交流電源を備え
たことをを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295269A JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295269A JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137632A JPH01137632A (ja) | 1989-05-30 |
| JP2656511B2 true JP2656511B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=17818407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62295269A Expired - Lifetime JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656511B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193046A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| DE19505906A1 (de) * | 1995-02-21 | 1996-08-22 | Siemens Ag | Verfahren zum Damage-Ätzen der Rückseite einer Halbleiterscheibe bei geschützter Scheibenvorderseite |
| KR20010044058A (ko) * | 2000-06-29 | 2001-06-05 | 박용석 | 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813625B2 (ja) * | 1979-12-12 | 1983-03-15 | 超エル・エス・アイ技術研究組合 | ガスプラズマ食刻法 |
| US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
| JPS6175526A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Anelva Corp | 複数電極真空処理装置 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62295269A patent/JP2656511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01137632A (ja) | 1989-05-30 |
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