JPH01137632A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01137632A JPH01137632A JP29526987A JP29526987A JPH01137632A JP H01137632 A JPH01137632 A JP H01137632A JP 29526987 A JP29526987 A JP 29526987A JP 29526987 A JP29526987 A JP 29526987A JP H01137632 A JPH01137632 A JP H01137632A
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- JP
- Japan
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- cathode
- power
- plasma
- low frequency
- wafer
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 7
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエツチング装置に係り、特に５ｉ０２
を選択性良くエツチングするのに好適なプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
を選択性良くエツチングするのに好適なプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
従来の３電極を有するエツチング装置は三浦昭他著、”
ＲＩＥ／プラズマエツチング装置「ティーガル１５００
シリーズ」”、（電子材料、１９８６年３月、第１１０
頁から第１１３頁）に示されているように、プラズマの
発生を高周波数の交流電源により行ない、ウェハへのイ
オンの導入量をウェハが設置されるカソードに低電力、
低周波数の交流電源により行なうようにしたもので、適
切にイオンエネルギを制御することができ、低ダメージ
エツチャーとしての用途が開発されている。
ＲＩＥ／プラズマエツチング装置「ティーガル１５００
シリーズ」”、（電子材料、１９８６年３月、第１１０
頁から第１１３頁）に示されているように、プラズマの
発生を高周波数の交流電源により行ない、ウェハへのイ
オンの導入量をウェハが設置されるカソードに低電力、
低周波数の交流電源により行なうようにしたもので、適
切にイオンエネルギを制御することができ、低ダメージ
エツチャーとしての用途が開発されている。
しかしながら、上記従来技術は、例えば、下地がＳｉで
ある５ｉｎ２膜を選択性良くエツチングする点について
は配慮されておらず、十分満足できる結果は得られてい
ない。
ある５ｉｎ２膜を選択性良くエツチングする点について
は配慮されておらず、十分満足できる結果は得られてい
ない。
本発明の目的は下地がＳｉやＡ文である５ｉ０２膜等の
絶縁膜を選択性良く、かつ、試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することのできるプラズマ
エツチング装置を提供することである。
絶縁膜を選択性良く、かつ、試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することのできるプラズマ
エツチング装置を提供することである。
上記目的は、ウェハを設置する第１のカソードに低周波
数、低電力の交流電源を接続し、第２のカソードに低周
波数、高電力の交流電源を接続することにより、達成さ
れる。
数、低電力の交流電源を接続し、第２のカソードに低周
波数、高電力の交流電源を接続することにより、達成さ
れる。
５ｉ０２のエツチングでは一般にＣＦ系のガスが使用さ
れる。下地Ｓｉとの選択比は試料近傍のプラズマがＣリ
ッチのフルオロカーボンであるかまたはＦリッチのフル
オロカーボンであるかによって決まる。
れる。下地Ｓｉとの選択比は試料近傍のプラズマがＣリ
ッチのフルオロカーボンであるかまたはＦリッチのフル
オロカーボンであるかによって決まる。
高流電源の周波数を従来使用されていた１３゜５６ＭＨ
ｚより低下させると、カソードシースでの電界は従来よ
り幾分大きくなり、試料近傍のプラズマはＣＦ系ガスの
分解が進んでよりＣ成分がリッチなフルオロカーボンと
なる。これにより、Ｓｉとの反応を抑制し、５ｉ０２と
の選択比を向上させることができる。
ｚより低下させると、カソードシースでの電界は従来よ
り幾分大きくなり、試料近傍のプラズマはＣＦ系ガスの
分解が進んでよりＣ成分がリッチなフルオロカーボンと
なる。これにより、Ｓｉとの反応を抑制し、５ｉ０２と
の選択比を向上させることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
本発明のプラズマエツチング装置の処理室は３つの電極
１，２．３及び絶縁物５，６．７と排気孔８とガス導入
孔９とで構成させている。１はチャン八側壁となってい
る第１のカソードであり、コンデンサ１２、マツチング
ボックス１３を介して低周波数、高電力（例えば、２Ｍ
Ｈｚ、１ｋＷ）の交流電源１４が接続しである。一方、
試料であるウェハ４が設置される第２のカソード２には
コンデンサ１５．マツチングボックス１６を介して、低
周波数、低電力（例えば４００ＫＨｚ、１００Ｗ）の交
流電源１７が接続しである。３は接地されたアノードで
その上方に磁石１０がモータ１１により回転可能に取り
付けである。なお、この場合のウェハ４は下地がＳｔで
５ｉ０２膜を形成したものである。
１，２．３及び絶縁物５，６．７と排気孔８とガス導入
孔９とで構成させている。１はチャン八側壁となってい
る第１のカソードであり、コンデンサ１２、マツチング
ボックス１３を介して低周波数、高電力（例えば、２Ｍ
Ｈｚ、１ｋＷ）の交流電源１４が接続しである。一方、
試料であるウェハ４が設置される第２のカソード２には
コンデンサ１５．マツチングボックス１６を介して、低
周波数、低電力（例えば４００ＫＨｚ、１００Ｗ）の交
流電源１７が接続しである。３は接地されたアノードで
その上方に磁石１０がモータ１１により回転可能に取り
付けである。なお、この場合のウェハ４は下地がＳｔで
５ｉ０２膜を形成したものである。
ガス導入孔９から、この場合、ＣＦ系のガスが導入され
、一定圧力に設定された後、交流電源１４．１７により
電力が印加されると放電が開始する。プラズマの発生に
寄与するのは高電力を印加するカソード１とアノード３
との電界である。この交流電源１４の周波数には、この
場合、２ＭＨｚという従来の１３．５６ＭＨｚより低い
周波数が用いられており、カソード１のシース電界は従
来の１３．５６ＭＨｚより大きくなる。これにより、Ｃ
Ｆ系ガスの分解がより進んで、Ｃ成分がリッチなフルオ
ロカーボンとなる。このようにして生成されたプラズマ
中のイオンが、カソード２に印加される低周波数、低電
力のコントロールされた交流電界によってウェハ４に引
き込まれる。これらの低電力であることによりダメージ
が少なく、しかもウェハ４近傍のプラズマがＣ成分のリ
ッチなフルオロカーボンとなっていることによりＳｉと
の反応が抑制され、５ｉｎ２の対Ｓｉとの選択比が向上
し、選択比を大きくした５ｉＯｚのエツチングが可能と
なる。
、一定圧力に設定された後、交流電源１４．１７により
電力が印加されると放電が開始する。プラズマの発生に
寄与するのは高電力を印加するカソード１とアノード３
との電界である。この交流電源１４の周波数には、この
場合、２ＭＨｚという従来の１３．５６ＭＨｚより低い
周波数が用いられており、カソード１のシース電界は従
来の１３．５６ＭＨｚより大きくなる。これにより、Ｃ
Ｆ系ガスの分解がより進んで、Ｃ成分がリッチなフルオ
ロカーボンとなる。このようにして生成されたプラズマ
中のイオンが、カソード２に印加される低周波数、低電
力のコントロールされた交流電界によってウェハ４に引
き込まれる。これらの低電力であることによりダメージ
が少なく、しかもウェハ４近傍のプラズマがＣ成分のリ
ッチなフルオロカーボンとなっていることによりＳｉと
の反応が抑制され、５ｉｎ２の対Ｓｉとの選択比が向上
し、選択比を大きくした５ｉＯｚのエツチングが可能と
なる。
このように、上記実施例では下地がＳｔである５ｉ０２
膜のエツチングについて述べたが、下地がＡｆＬの５ｉ
Ｏｚ膜やＰＳＧ膜等膜層スルーホール工等においても同
様の効果が得られる。
膜のエツチングについて述べたが、下地がＡｆＬの５ｉ
Ｏｚ膜やＰＳＧ膜等膜層スルーホール工等においても同
様の効果が得られる。
以上述べたように、本実施例によれば下地がＳｉやＡ文
であるＳｉ０ｇ膜等の絶縁膜を選択性良く２ しかもウ
ェハへの入射イオンエネルギを制御してエツチングする
ことができる。
であるＳｉ０ｇ膜等の絶縁膜を選択性良く２ しかもウ
ェハへの入射イオンエネルギを制御してエツチングする
ことができる。
本発明によれば、下地がＳｔやＡＭである５ｔｏ２膜等
の絶縁膜を選択性良く、かつ試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することができるという効
果がある。
の絶縁膜を選択性良く、かつ試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することができるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例であるプラズマエツチング装
置を示す縦断面図である。
置を示す縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を載置する第１のカソード電極と、該第１のカ
ソード電極に対向して配置したアノード電極と、該アノ
ード電極と前記カソード電極との間の空間周囲に設けた
第２のカソード電極とを有し、前記第１のカソード電極
に低周波数、低電力の交流電源を接続し、前記第２のカ
ソード電極に低周波数、高電力の交流電源を接続し、前
記アノードを接地したことを特徴とするプラズマエッチ
ング装置。 ２、前記第１のカソード電極と前記アノード電極との間
に磁場を導入する特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295269A JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295269A JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137632A true JPH01137632A (ja) | 1989-05-30 |
| JP2656511B2 JP2656511B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=17818407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62295269A Expired - Lifetime JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656511B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193046A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| KR20010044058A (ko) * | 2000-06-29 | 2001-06-05 | 박용석 | 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치 |
| KR100424421B1 (ko) * | 1995-02-21 | 2004-06-05 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 기판의앞면을보호하면서반도체기판의후면을데미지에칭하는방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5684476A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-09 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Etching method of gas plasma |
| JPS6079726A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-07 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | プラズマリアクタ装置及びプラズマエッチング方法 |
| JPS6175526A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Anelva Corp | 複数電極真空処理装置 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62295269A patent/JP2656511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5684476A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-09 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Etching method of gas plasma |
| JPS6079726A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-07 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | プラズマリアクタ装置及びプラズマエッチング方法 |
| JPS6175526A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Anelva Corp | 複数電極真空処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193046A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| KR100424421B1 (ko) * | 1995-02-21 | 2004-06-05 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 기판의앞면을보호하면서반도체기판의후면을데미지에칭하는방법 |
| KR20010044058A (ko) * | 2000-06-29 | 2001-06-05 | 박용석 | 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2656511B2 (ja) | 1997-09-24 |
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