JPH01137632A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01137632A JPH01137632A JP29526987A JP29526987A JPH01137632A JP H01137632 A JPH01137632 A JP H01137632A JP 29526987 A JP29526987 A JP 29526987A JP 29526987 A JP29526987 A JP 29526987A JP H01137632 A JPH01137632 A JP H01137632A
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- JP
- Japan
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- cathode
- power
- plasma
- low frequency
- wafer
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- Granted
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 7
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエツチング装置に係り、特に5i02
を選択性良くエツチングするのに好適なプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
を選択性良くエツチングするのに好適なプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
従来の3電極を有するエツチング装置は三浦昭他著、”
RIE/プラズマエツチング装置「ティーガル1500
シリーズ」”、(電子材料、1986年3月、第110
頁から第113頁)に示されているように、プラズマの
発生を高周波数の交流電源により行ない、ウェハへのイ
オンの導入量をウェハが設置されるカソードに低電力、
低周波数の交流電源により行なうようにしたもので、適
切にイオンエネルギを制御することができ、低ダメージ
エツチャーとしての用途が開発されている。
RIE/プラズマエツチング装置「ティーガル1500
シリーズ」”、(電子材料、1986年3月、第110
頁から第113頁)に示されているように、プラズマの
発生を高周波数の交流電源により行ない、ウェハへのイ
オンの導入量をウェハが設置されるカソードに低電力、
低周波数の交流電源により行なうようにしたもので、適
切にイオンエネルギを制御することができ、低ダメージ
エツチャーとしての用途が開発されている。
しかしながら、上記従来技術は、例えば、下地がSiで
ある5in2膜を選択性良くエツチングする点について
は配慮されておらず、十分満足できる結果は得られてい
ない。
ある5in2膜を選択性良くエツチングする点について
は配慮されておらず、十分満足できる結果は得られてい
ない。
本発明の目的は下地がSiやA文である5i02膜等の
絶縁膜を選択性良く、かつ、試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することのできるプラズマ
エツチング装置を提供することである。
絶縁膜を選択性良く、かつ、試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することのできるプラズマ
エツチング装置を提供することである。
上記目的は、ウェハを設置する第1のカソードに低周波
数、低電力の交流電源を接続し、第2のカソードに低周
波数、高電力の交流電源を接続することにより、達成さ
れる。
数、低電力の交流電源を接続し、第2のカソードに低周
波数、高電力の交流電源を接続することにより、達成さ
れる。
5i02のエツチングでは一般にCF系のガスが使用さ
れる。下地Siとの選択比は試料近傍のプラズマがCリ
ッチのフルオロカーボンであるかまたはFリッチのフル
オロカーボンであるかによって決まる。
れる。下地Siとの選択比は試料近傍のプラズマがCリ
ッチのフルオロカーボンであるかまたはFリッチのフル
オロカーボンであるかによって決まる。
高流電源の周波数を従来使用されていた13゜56MH
zより低下させると、カソードシースでの電界は従来よ
り幾分大きくなり、試料近傍のプラズマはCF系ガスの
分解が進んでよりC成分がリッチなフルオロカーボンと
なる。これにより、Siとの反応を抑制し、5i02と
の選択比を向上させることができる。
zより低下させると、カソードシースでの電界は従来よ
り幾分大きくなり、試料近傍のプラズマはCF系ガスの
分解が進んでよりC成分がリッチなフルオロカーボンと
なる。これにより、Siとの反応を抑制し、5i02と
の選択比を向上させることができる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
本発明のプラズマエツチング装置の処理室は3つの電極
1,2.3及び絶縁物5,6.7と排気孔8とガス導入
孔9とで構成させている。1はチャン八側壁となってい
る第1のカソードであり、コンデンサ12、マツチング
ボックス13を介して低周波数、高電力(例えば、2M
Hz、1kW)の交流電源14が接続しである。一方、
試料であるウェハ4が設置される第2のカソード2には
コンデンサ15.マツチングボックス16を介して、低
周波数、低電力(例えば400KHz、100W)の交
流電源17が接続しである。3は接地されたアノードで
その上方に磁石10がモータ11により回転可能に取り
付けである。なお、この場合のウェハ4は下地がStで
5i02膜を形成したものである。
1,2.3及び絶縁物5,6.7と排気孔8とガス導入
孔9とで構成させている。1はチャン八側壁となってい
る第1のカソードであり、コンデンサ12、マツチング
ボックス13を介して低周波数、高電力(例えば、2M
Hz、1kW)の交流電源14が接続しである。一方、
試料であるウェハ4が設置される第2のカソード2には
コンデンサ15.マツチングボックス16を介して、低
周波数、低電力(例えば400KHz、100W)の交
流電源17が接続しである。3は接地されたアノードで
その上方に磁石10がモータ11により回転可能に取り
付けである。なお、この場合のウェハ4は下地がStで
5i02膜を形成したものである。
ガス導入孔9から、この場合、CF系のガスが導入され
、一定圧力に設定された後、交流電源14.17により
電力が印加されると放電が開始する。プラズマの発生に
寄与するのは高電力を印加するカソード1とアノード3
との電界である。この交流電源14の周波数には、この
場合、2MHzという従来の13.56MHzより低い
周波数が用いられており、カソード1のシース電界は従
来の13.56MHzより大きくなる。これにより、C
F系ガスの分解がより進んで、C成分がリッチなフルオ
ロカーボンとなる。このようにして生成されたプラズマ
中のイオンが、カソード2に印加される低周波数、低電
力のコントロールされた交流電界によってウェハ4に引
き込まれる。これらの低電力であることによりダメージ
が少なく、しかもウェハ4近傍のプラズマがC成分のリ
ッチなフルオロカーボンとなっていることによりSiと
の反応が抑制され、5in2の対Siとの選択比が向上
し、選択比を大きくした5iOzのエツチングが可能と
なる。
、一定圧力に設定された後、交流電源14.17により
電力が印加されると放電が開始する。プラズマの発生に
寄与するのは高電力を印加するカソード1とアノード3
との電界である。この交流電源14の周波数には、この
場合、2MHzという従来の13.56MHzより低い
周波数が用いられており、カソード1のシース電界は従
来の13.56MHzより大きくなる。これにより、C
F系ガスの分解がより進んで、C成分がリッチなフルオ
ロカーボンとなる。このようにして生成されたプラズマ
中のイオンが、カソード2に印加される低周波数、低電
力のコントロールされた交流電界によってウェハ4に引
き込まれる。これらの低電力であることによりダメージ
が少なく、しかもウェハ4近傍のプラズマがC成分のリ
ッチなフルオロカーボンとなっていることによりSiと
の反応が抑制され、5in2の対Siとの選択比が向上
し、選択比を大きくした5iOzのエツチングが可能と
なる。
このように、上記実施例では下地がStである5i02
膜のエツチングについて述べたが、下地がAfLの5i
Oz膜やPSG膜等膜層スルーホール工等においても同
様の効果が得られる。
膜のエツチングについて述べたが、下地がAfLの5i
Oz膜やPSG膜等膜層スルーホール工等においても同
様の効果が得られる。
以上述べたように、本実施例によれば下地がSiやA文
であるSi0g膜等の絶縁膜を選択性良く2 しかもウ
ェハへの入射イオンエネルギを制御してエツチングする
ことができる。
であるSi0g膜等の絶縁膜を選択性良く2 しかもウ
ェハへの入射イオンエネルギを制御してエツチングする
ことができる。
本発明によれば、下地がStやAMである5to2膜等
の絶縁膜を選択性良く、かつ試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することができるという効
果がある。
の絶縁膜を選択性良く、かつ試料への入射イオンエネル
ギを制御してエツチング処理することができるという効
果がある。
第1図は本発明の一実施例であるプラズマエツチング装
置を示す縦断面図である。
置を示す縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、試料を載置する第1のカソード電極と、該第1のカ
ソード電極に対向して配置したアノード電極と、該アノ
ード電極と前記カソード電極との間の空間周囲に設けた
第2のカソード電極とを有し、前記第1のカソード電極
に低周波数、低電力の交流電源を接続し、前記第2のカ
ソード電極に低周波数、高電力の交流電源を接続し、前
記アノードを接地したことを特徴とするプラズマエッチ
ング装置。 2、前記第1のカソード電極と前記アノード電極との間
に磁場を導入する特許請求の範囲第1項記載のプラズマ
エッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62295269A JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62295269A JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01137632A true JPH01137632A (ja) | 1989-05-30 |
JP2656511B2 JP2656511B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=17818407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62295269A Expired - Lifetime JP2656511B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2656511B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07193046A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
KR20010044058A (ko) * | 2000-06-29 | 2001-06-05 | 박용석 | 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치 |
KR100424421B1 (ko) * | 1995-02-21 | 2004-06-05 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 기판의앞면을보호하면서반도체기판의후면을데미지에칭하는방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684476A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-09 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Etching method of gas plasma |
JPS6079726A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-07 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | プラズマリアクタ装置及びプラズマエッチング方法 |
JPS6175526A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Anelva Corp | 複数電極真空処理装置 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62295269A patent/JP2656511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684476A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-09 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Etching method of gas plasma |
JPS6079726A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-07 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | プラズマリアクタ装置及びプラズマエッチング方法 |
JPS6175526A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Anelva Corp | 複数電極真空処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07193046A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
KR100424421B1 (ko) * | 1995-02-21 | 2004-06-05 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 기판의앞면을보호하면서반도체기판의후면을데미지에칭하는방법 |
KR20010044058A (ko) * | 2000-06-29 | 2001-06-05 | 박용석 | 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2656511B2 (ja) | 1997-09-24 |
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