JP2901623B2 - プラズマ洗浄方法 - Google Patents
プラズマ洗浄方法Info
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- JP2901623B2 JP2901623B2 JP63310042A JP31004288A JP2901623B2 JP 2901623 B2 JP2901623 B2 JP 2901623B2 JP 63310042 A JP63310042 A JP 63310042A JP 31004288 A JP31004288 A JP 31004288A JP 2901623 B2 JP2901623 B2 JP 2901623B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing chamber
- frequency power
- electrode
- power supply
- Prior art date
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ洗浄方法に係り、特に試料のプラ
ズマ処理時に処理室内に被着するプラズマ重合膜を除去
するのに好適なプラズマ洗浄方法に関する。
ズマ処理時に処理室内に被着するプラズマ重合膜を除去
するのに好適なプラズマ洗浄方法に関する。
従来、例えば、特開昭58−46639号公報に記載のよう
に、プラズマ処理時に処理室内壁に被着するプラズマ重
合膜を除去するために、プラズマ処理中に高周波電源に
接続されていた電極を接地し、プラズマ処理中に接地さ
れていた電極に高周波電源を接続してプラズマ洗浄を行
なうようになっていた。
に、プラズマ処理時に処理室内壁に被着するプラズマ重
合膜を除去するために、プラズマ処理中に高周波電源に
接続されていた電極を接地し、プラズマ処理中に接地さ
れていた電極に高周波電源を接続してプラズマ洗浄を行
なうようになっていた。
上記従来技術は、電極面上に被着したプラズマ重合膜
の除去速度は大きいが、処理室内側癖に被着したプラズ
マ重合膜の除去速度が小さいために、処理室内全体のプ
ラズマ洗浄の終了には長時間必要であるという問題点が
あった。
の除去速度は大きいが、処理室内側癖に被着したプラズ
マ重合膜の除去速度が小さいために、処理室内全体のプ
ラズマ洗浄の終了には長時間必要であるという問題点が
あった。
本発明の目的は、処理室側壁に被着したプラズマ重合
膜の除去速度を増加させることにより、処理室内全体の
プラズマ洗浄終了時間を短縮できるプラズマ洗浄方法を
提供することにある。
膜の除去速度を増加させることにより、処理室内全体の
プラズマ洗浄終了時間を短縮できるプラズマ洗浄方法を
提供することにある。
上記目的は、処理室内に試料を載置する電極に高周波
電源を接続して有り、対向電極が接地されたプラズマ処
理装置により該試料をエッチング処理し、その後、該対
向電極と該試料の載置電極の両方に該高周波電源の一端
を接続するとともに、該高周波電源の他端を接地したプ
ラズマ処理装置の構造で、エッチング処理後の該プラズ
マ処理装置内にO2とSF6とからなるガス導入し、プラズ
マを生成することにより、該対向電極、該試料載置電
極、及び処理室内面に被着したプラズマ重合膜を除去す
ることにより、達成される。
電源を接続して有り、対向電極が接地されたプラズマ処
理装置により該試料をエッチング処理し、その後、該対
向電極と該試料の載置電極の両方に該高周波電源の一端
を接続するとともに、該高周波電源の他端を接地したプ
ラズマ処理装置の構造で、エッチング処理後の該プラズ
マ処理装置内にO2とSF6とからなるガス導入し、プラズ
マを生成することにより、該対向電極、該試料載置電
極、及び処理室内面に被着したプラズマ重合膜を除去す
ることにより、達成される。
処理室内に洗浄用ガスを導入し、対向する２つの電極
に共に電源を接続しプラズマを発生させると、対向する
２つの電極面上にはイオンシースが形成される。イオン
シース中では電界が形成されているため、プラズマ中の
電子は、２つの対向したイオンシース間で往復運動を行
なう。このため、対向する２つの電極間で電子によるガ
ス分子のイオン化確率が増大するため、この領域でのプ
ラズマ密度が増加し、また多量に活性なラジカルが生成
される。このプラズマ中のイオン及びラジカルが処理室
内側壁へ拡散し、処理室内側壁に被着したプラズマ重合
膜と反応し、洗浄速度が増加するので、処理室内全体の
プラズマ洗浄終了時間を短縮することができる。
に共に電源を接続しプラズマを発生させると、対向する
２つの電極面上にはイオンシースが形成される。イオン
シース中では電界が形成されているため、プラズマ中の
電子は、２つの対向したイオンシース間で往復運動を行
なう。このため、対向する２つの電極間で電子によるガ
ス分子のイオン化確率が増大するため、この領域でのプ
ラズマ密度が増加し、また多量に活性なラジカルが生成
される。このプラズマ中のイオン及びラジカルが処理室
内側壁へ拡散し、処理室内側壁に被着したプラズマ重合
膜と反応し、洗浄速度が増加するので、処理室内全体の
プラズマ洗浄終了時間を短縮することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図，第２図により説明
する。処理室１は真空排気装置により減圧された後、エ
ッチングガスCHF3が導入され、所望の圧力に設定され
る。処理室１内には対向した電極2,3が配置されてお
り、そのうち一方の電極２は接地され、他方の電極３は
整合器４を通して高周波電源５に接続されている。被エ
ッチング材であるウェハ６は電極３に載置されており、
いわゆるカソード結合の状態でエッチング処理される。
このエッチング放電時にエッチングガスCHF3が分解さ
れ、電極2,3の電極面及び処理室１の内面にプラズマ重
合膜が被着する。このプラズマ重合膜は、膜厚が大きく
なるとはくりし発塵源となるため定期的に除去しなけれ
ばならない。このプラズマ重合膜を除去するために実施
するプラズマ洗浄時の電気的接続を第２図に示す。プラ
ズマ洗浄時には、電極2,3ともに整合器４を介して高周
波電源５に接続する。本実施例の場合、被着するプラズ
マ重合膜はＣ−Ｆ系重合膜であるため、O2＋５％SF6の
混合ガスを洗浄用ガスとして処理室１内に導入し、プラ
ズマを発生させ洗浄を行なう。電極2,3はともに高周波
電源５に接続されているために、プラズマを発生させる
と、電極2,3面上にはイオンシースが形成される。イオ
ンシース中では電界が形成されているため、プラズマ中
の電子は、２つの対向したイオンシース間で往復運動を
行なう。したがって、対向する２つの電極2,3間で電子
によるイオン化確率が増大するため、この領域でのプラ
ズマ密度が増加し、また多量に活性なラジカルが生成さ
れる。このプラズマ中のイオン及びラジカルが処理室１
側壁へ拡散し、壁面に被着したプラズマ重合膜と反応し
除去するため、本発明により処理室１側壁の洗浄速度が
増大する。処理室１内のプラズマ洗浄終了時間は処理室
１側壁の洗浄速度に律速されているため、本実施例によ
れば処理室１内のプラズマ洗浄終了時間が短縮されると
いう効果がある。
する。処理室１は真空排気装置により減圧された後、エ
ッチングガスCHF3が導入され、所望の圧力に設定され
る。処理室１内には対向した電極2,3が配置されてお
り、そのうち一方の電極２は接地され、他方の電極３は
整合器４を通して高周波電源５に接続されている。被エ
ッチング材であるウェハ６は電極３に載置されており、
いわゆるカソード結合の状態でエッチング処理される。
このエッチング放電時にエッチングガスCHF3が分解さ
れ、電極2,3の電極面及び処理室１の内面にプラズマ重
合膜が被着する。このプラズマ重合膜は、膜厚が大きく
なるとはくりし発塵源となるため定期的に除去しなけれ
ばならない。このプラズマ重合膜を除去するために実施
するプラズマ洗浄時の電気的接続を第２図に示す。プラ
ズマ洗浄時には、電極2,3ともに整合器４を介して高周
波電源５に接続する。本実施例の場合、被着するプラズ
マ重合膜はＣ−Ｆ系重合膜であるため、O2＋５％SF6の
混合ガスを洗浄用ガスとして処理室１内に導入し、プラ
ズマを発生させ洗浄を行なう。電極2,3はともに高周波
電源５に接続されているために、プラズマを発生させる
と、電極2,3面上にはイオンシースが形成される。イオ
ンシース中では電界が形成されているため、プラズマ中
の電子は、２つの対向したイオンシース間で往復運動を
行なう。したがって、対向する２つの電極2,3間で電子
によるイオン化確率が増大するため、この領域でのプラ
ズマ密度が増加し、また多量に活性なラジカルが生成さ
れる。このプラズマ中のイオン及びラジカルが処理室１
側壁へ拡散し、壁面に被着したプラズマ重合膜と反応し
除去するため、本発明により処理室１側壁の洗浄速度が
増大する。処理室１内のプラズマ洗浄終了時間は処理室
１側壁の洗浄速度に律速されているため、本実施例によ
れば処理室１内のプラズマ洗浄終了時間が短縮されると
いう効果がある。
第２の実施例を第２図，第３図を用いて説明する。第
３図はエッチング時における電気的接続を示した図であ
る。本実施例の場合、被エッチング材であるウェハ６
は、接地された電極３上に載置され、対向する電極２に
高周波電源５が接続されている、言わゆるアノード結合
状態でエッチング処理される。この場合にも、先の実施
例と同様に第２図に示す様に電極2,3にともに高周波電
源５を接続してプラズマ洗浄を実施すると、処理室内１
のプラズマ洗浄時間が短縮できるという効果がある。
３図はエッチング時における電気的接続を示した図であ
る。本実施例の場合、被エッチング材であるウェハ６
は、接地された電極３上に載置され、対向する電極２に
高周波電源５が接続されている、言わゆるアノード結合
状態でエッチング処理される。この場合にも、先の実施
例と同様に第２図に示す様に電極2,3にともに高周波電
源５を接続してプラズマ洗浄を実施すると、処理室内１
のプラズマ洗浄時間が短縮できるという効果がある。
本発明をマグネトロン放電を利用したエッチング装置
に適用した第３の実施例の場合について、第４図，第５
図を用いて説明する。第４図は、エッチング処理時にお
ける電気的接続を示し、被エッチング材であるウェハ６
を載置する電極３には高周波電源５が接続され、対向す
る電極２は接地されている。また電極２近傍に永久磁石
７が配置されており、言わゆるマグネトロン放電により
エッチング処理を行なう。この場合も、プラズマ洗浄時
には第５図に示すように電極2,3にともに高周波電源５
を接続することにより、先の２つの実施例と同様に処理
室１内のプラズマ洗浄時間が短縮できるという効果があ
る。
に適用した第３の実施例の場合について、第４図，第５
図を用いて説明する。第４図は、エッチング処理時にお
ける電気的接続を示し、被エッチング材であるウェハ６
を載置する電極３には高周波電源５が接続され、対向す
る電極２は接地されている。また電極２近傍に永久磁石
７が配置されており、言わゆるマグネトロン放電により
エッチング処理を行なう。この場合も、プラズマ洗浄時
には第５図に示すように電極2,3にともに高周波電源５
を接続することにより、先の２つの実施例と同様に処理
室１内のプラズマ洗浄時間が短縮できるという効果があ
る。
尚、以上、各実施例ではプラズマ洗浄用の電源として
プラズマ処理用高周波電源を共用するようにしている
が、これらを別設置しても勿論良い。また、プラズマ洗
浄用の電源としては、高周波電源の他に、例えば、直流
電源，直流成分を重畳した高周波電源等が採用し得る。
プラズマ処理用高周波電源を共用するようにしている
が、これらを別設置しても勿論良い。また、プラズマ洗
浄用の電源としては、高周波電源の他に、例えば、直流
電源，直流成分を重畳した高周波電源等が採用し得る。
本発明によれば、律速箇所である処理室内の洗浄速度
が増加するので、処理室内のプラズマ洗浄時間が短縮で
きる効果がある。
が増加するので、処理室内のプラズマ洗浄時間が短縮で
きる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例のエッチング処理時の電
気的接続を示す図、第２図は、本発明の第1,第２の実施
例のプラズマ洗浄時の電気的接続を示す図、第３図は本
発明の第２の実施例のエッチング処理時の電気的接続を
示す図、第４図は本発明の第３の実施例のエッチング処
理時の電気的接続を示す図、第５図は本発明の第３の実
施例のプラズマ洗浄時の電気的接続を示す図である。 １……処理室、2,3……電極、４……整合器、５……高
周波電源、６……ウェハ、７……永久磁石
気的接続を示す図、第２図は、本発明の第1,第２の実施
例のプラズマ洗浄時の電気的接続を示す図、第３図は本
発明の第２の実施例のエッチング処理時の電気的接続を
示す図、第４図は本発明の第３の実施例のエッチング処
理時の電気的接続を示す図、第５図は本発明の第３の実
施例のプラズマ洗浄時の電気的接続を示す図である。 １……処理室、2,3……電極、４……整合器、５……高
周波電源、６……ウェハ、７……永久磁石
Claims (1)
- 【請求項１】処理室内に試料を載置する電極に高周波電
源を接続して有り、対向電極が接地されたプラズマ処理
装置により該試料をエッチング処理し、その後、該対向
電極と該試料の載置電極の両方に該高周波電源の一端を
接続するとともに、該高周波電源の他端を接地したプラ
ズマ処理装置の構造で、エッチング処理後の該プラズマ
処理装置内にO2とSF6とからなるガスを導入し、プラズ
マを生成することにより、該対向電極、該試料載置電
極、及び処理室内面に被着したプラズマ重合膜を除去す
ることを特徴としたプラズマ洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310042A JP2901623B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | プラズマ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310042A JP2901623B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | プラズマ洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156634A JPH02156634A (ja) | 1990-06-15 |
| JP2901623B2 true JP2901623B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=18000462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63310042A Expired - Lifetime JP2901623B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | プラズマ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901623B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110239A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Nec Kansai Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS63116428A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
| JPH0831442B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1996-03-27 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及び装置 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63310042A patent/JP2901623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02156634A (ja) | 1990-06-15 |
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