JPS63312642A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPS63312642A JPS63312642A JP14957887A JP14957887A JPS63312642A JP S63312642 A JPS63312642 A JP S63312642A JP 14957887 A JP14957887 A JP 14957887A JP 14957887 A JP14957887 A JP 14957887A JP S63312642 A JPS63312642 A JP S63312642A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wall
- plasma
- chamber
- alumite
- etching
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- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はプラズマエツチング装置に関するものであり
、特に、エツチング室の内壁の材料に高純度のアルミナ
を用い、その耐久性を改良したプラズマエツチング装置
に関するものである。
、特に、エツチング室の内壁の材料に高純度のアルミナ
を用い、その耐久性を改良したプラズマエツチング装置
に関するものである。
［従来の技術］
第１図は平行平板型プラズマエツチング装置の断面図で
ある。
ある。
エツチング室１内には陰極２が絶縁物３を介して設けら
れている。陰極２はコンデンサ４を介してＲＦ電源５に
接続されている。ＲＦ電Ｆｉ５の一端は接地されている
。また、エツチング室１内には、陰極２と対面するよう
に陽極６が設けられている。陽極６の一端は設置されて
いる。陰極２面一にには高純度のアルミナ板７が取付け
られている。
れている。陰極２はコンデンサ４を介してＲＦ電源５に
接続されている。ＲＦ電Ｆｉ５の一端は接地されている
。また、エツチング室１内には、陰極２と対面するよう
に陽極６が設けられている。陽極６の一端は設置されて
いる。陰極２面一にには高純度のアルミナ板７が取付け
られている。
次に、動作について説明する。
陰極２面上にエツチングすべき半導体ウェハ８を置く。
次いで、ＲＦ電Ｒ感により高周波電力を印加する。する
と、化学的活性度の高いラジカルを含有するプラズマが
発生する。このプラズマにより、半導体ウェハ８をプラ
ズマエツチングする。
と、化学的活性度の高いラジカルを含有するプラズマが
発生する。このプラズマにより、半導体ウェハ８をプラ
ズマエツチングする。
［発明が解決しようとする問題点コ
プラズマエッチング装置は以上のように構成されている
。したがって、化学的活性度の高いラジカルを含むプラ
ズマはエツチング室１の内壁面１ａにも接する。そのた
め、内壁面１ａの材料の選定が極めて重要となる。従来
の装置においては、その内壁面１ａの材料として、加工
が容易なアルミニウムを用い、さらに、その表面にアル
マイト処理を梅し、プラズマに対する表面の安定性を増
１川させていた。
。したがって、化学的活性度の高いラジカルを含むプラ
ズマはエツチング室１の内壁面１ａにも接する。そのた
め、内壁面１ａの材料の選定が極めて重要となる。従来
の装置においては、その内壁面１ａの材料として、加工
が容易なアルミニウムを用い、さらに、その表面にアル
マイト処理を梅し、プラズマに対する表面の安定性を増
１川させていた。
しかしながら、アルマイト処理により変質されたアルミ
ニウム表面のアルマイト層は、良質なアルマイト層を得
るために、その厚みを数十μｍ以下に制限せざるを得な
かった。そして、その強度も充分なものではなかった。
ニウム表面のアルマイト層は、良質なアルマイト層を得
るために、その厚みを数十μｍ以下に制限せざるを得な
かった。そして、その強度も充分なものではなかった。
したがって、このような非常に薄く、かつその強度も充
分でないアルマイト層のプラズマに対する耐久性は、非
常に悪いものであった。それゆえ、プラズマの条件によ
っては、頻繁に、その部分を交換しなければならないと
いう問題点があった。
分でないアルマイト層のプラズマに対する耐久性は、非
常に悪いものであった。それゆえ、プラズマの条件によ
っては、頻繁に、その部分を交換しなければならないと
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり、プラズマに対する耐久性の高いエツチン
グ室を釘するプラズマエツチング装置を提供することを
］」的とする。
たものであり、プラズマに対する耐久性の高いエツチン
グ室を釘するプラズマエツチング装置を提供することを
］」的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明はエツチング室内に半導体ウェハを導入して該
半導体ウェハのプラズマエツチングを行なうプラズマエ
ツチング装置に係るものである。
半導体ウェハのプラズマエツチングを行なうプラズマエ
ツチング装置に係るものである。
そして、前記エツチング室の内壁の材料として高純度の
アルミナを用いることによって、前記問題点を解決して
いる。
アルミナを用いることによって、前記問題点を解決して
いる。
［作用］
本発明では、エツチング室の内壁として、アルマイト層
の代わりに高純度のアルミナ板を用いている。高純度の
アルミナは強度的にも非常に優れたものであり、アルマ
イト処理によるアルマイト層とは異なり、その厚みに制
限がなく、任意の形状のものが得られるという特徴があ
る。したがって、プラズマと接する部分であるエツチン
グ室の内壁の材料として、このような高純度のアルミナ
を用いることにより、従来のアルマイト処理されたアル
ミニウムに比べて、その耐久性は著しく増大する。
の代わりに高純度のアルミナ板を用いている。高純度の
アルミナは強度的にも非常に優れたものであり、アルマ
イト処理によるアルマイト層とは異なり、その厚みに制
限がなく、任意の形状のものが得られるという特徴があ
る。したがって、プラズマと接する部分であるエツチン
グ室の内壁の材料として、このような高純度のアルミナ
を用いることにより、従来のアルマイト処理されたアル
ミニウムに比べて、その耐久性は著しく増大する。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
従来の装置と異なる点は、エツチング室１の内壁１ａの
材料として高純度のアルミナを用いている点である。高
純度のアルミナは、前述のごとく、強度的にも非常に優
れたものであり、アルマイト処理によるアルマイト層と
は異なり、その厚みに制限がなく、任意の形状のものが
得られる。したがって、半導体ウェハ８をエツチング室
１内に導入して、プラズマエツチング処理を行なった場
合、プラズマがエツチング室１の内壁１ａに接しても、
内壁１ａが腐食されるということはなくなる。したがっ
て、寿命が大幅に延ばされたエツチング装置が得られる
。なお、その他の構成部分については従来の装置と同じ
であるので、その説明を省略する。
材料として高純度のアルミナを用いている点である。高
純度のアルミナは、前述のごとく、強度的にも非常に優
れたものであり、アルマイト処理によるアルマイト層と
は異なり、その厚みに制限がなく、任意の形状のものが
得られる。したがって、半導体ウェハ８をエツチング室
１内に導入して、プラズマエツチング処理を行なった場
合、プラズマがエツチング室１の内壁１ａに接しても、
内壁１ａが腐食されるということはなくなる。したがっ
て、寿命が大幅に延ばされたエツチング装置が得られる
。なお、その他の構成部分については従来の装置と同じ
であるので、その説明を省略する。
［発明の効果］
以ト説明したとおり、この発明に係るプラズマエツチン
グ装置によれば、エツチング室の内壁の材料として高純
度のアルミナを用いたので、プラズマに対する耐久性が
著しく向上する。したがって、エツチング装置の寿命を
大幅に延ばすことができるという効果がある。
グ装置によれば、エツチング室の内壁の材料として高純
度のアルミナを用いたので、プラズマに対する耐久性が
著しく向上する。したがって、エツチング装置の寿命を
大幅に延ばすことができるという効果がある。
第１図は平行平板型プラズマエツチング装置の断面図で
ある。 図において、１はエツチング室、１ａはエツチング室の
内壁、８は半導体ウェハである。
ある。 図において、１はエツチング室、１ａはエツチング室の
内壁、８は半導体ウェハである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エッチング室内に半導体ウェハを導入して該半導体ウェ
ハのプラズマエッチングを行なうプラズマエッチング装
置において、 前記エッチング室の内壁の材料として高純度のアルミナ
を用いたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14957887A JPS63312642A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14957887A JPS63312642A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312642A true JPS63312642A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15478260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14957887A Pending JPS63312642A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63312642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
-
1987
- 1987-06-16 JP JP14957887A patent/JPS63312642A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
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