JPH047668U - - Google Patents

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JPH047668U
JPH047668U JP4802190U JP4802190U JPH047668U JP H047668 U JPH047668 U JP H047668U JP 4802190 U JP4802190 U JP 4802190U JP 4802190 U JP4802190 U JP 4802190U JP H047668 U JPH047668 U JP H047668U
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inner container
temperature region
compound semiconductor
container
high temperature
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JP4802190U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案に係る化合物半導体製造装置
の一例を示す縦断面図、第2図は他の例を示す縦
断面図、第3図はこの考案の化合物半導体製造装
置を用いて化合物半導体を合成する場合の炉の温
度分布図、第4図はGaP状態図の要部を示す図
、第5図はPの蒸気圧と温度との関係図、第6図
は化合物半導体製造装置の従来例の縦断面図であ
る。 1……内容器、2……Ga(第1の材料)、4
a,4b……脚(間隙形成部材)、5……外容器
、6……放熱部、8……P(第2の材料)、9…
…高温度領域、20……空間。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 化合物半導体合成のための材料の少なくとも一
    つの材料を気相で供給し、材料を反応温度に保持
    された高温度領域を通過させて化合物半導体を合
    成するための装置において、 第1の材料を保持する内容器と、第2の材料及
    び前記内容器を収納する外容器と、前記内容器の
    壁面と外容器の壁面との間に間隙を形成する間隙
    形成部材とを備え、 前記内容器と外容器との接触部である前記間隙
    形成部材が高温度領域を避けて設けられて高温度
    領域では内容器と外容器との間に十分な空間が形
    成され、かつ内容器の最高温度領域部分に放熱部
    が設けられていることを特徴とする化合物半導体
    製造装置。
JP4802190U 1990-05-07 1990-05-07 Pending JPH047668U (ja)

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