JPS61111964U - - Google Patents

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JPS61111964U
JPS61111964U JP19956884U JP19956884U JPS61111964U JP S61111964 U JPS61111964 U JP S61111964U JP 19956884 U JP19956884 U JP 19956884U JP 19956884 U JP19956884 U JP 19956884U JP S61111964 U JPS61111964 U JP S61111964U
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JP
Japan
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substrate
internal
deposition
outer enclosure
cylindrical
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JP19956884U
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図aは本考案の堆積基板を用いた気相合成
装置の一部を示す概略的な縦断面図であり、bは
該基板の横断面図であり、第2図a〜dは本考案
の別の態様に係る堆積基板の横断面図であり、第
3図a,bは従来の基板を用いた気相合成装置の
第1図と同様な図である。 (主な参照番号)、1……原料ガス供給ノズル
、2,2,2……堆積基板、3……堆積結晶

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 四角形断面を有する筒状の基板外囲部と、
    その内部空間に設けられた少なくとも1つの内部
    基板とを具備することを特徴とする気相合成装置
    用堆積基板。 (2) 前記内部基板が、前記外囲部内部の寸法に
    等い幅を有する平板状の基板であることを特徴と
    する実用新案登録請求の範囲第1項記載の堆積基
    板。 (3) 前記内部基板が、前記外囲部よりも寸法の
    小さな四角断面を有する筒状の基板であることを
    特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の
    堆積基板。 (4) 前記平板状基板または筒状基板の少なくと
    も1部が複合体形状とされていることを特徴とす
    る実用新案登録請求の範囲第2項または第3項記
    載の堆積基板。 (5) 前記内部基板の長さが、前記気相合成装置
    の原料ガス供給側において前記外囲部の長さより
    も短いことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
    第4項記載の堆積基板。
JP19956884U 1984-12-27 1984-12-27 Pending JPS61111964U (ja)

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