JPS632442Y2 - - Google Patents
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- JPS632442Y2 JPS632442Y2 JP10206983U JP10206983U JPS632442Y2 JP S632442 Y2 JPS632442 Y2 JP S632442Y2 JP 10206983 U JP10206983 U JP 10206983U JP 10206983 U JP10206983 U JP 10206983U JP S632442 Y2 JPS632442 Y2 JP S632442Y2
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- Japan
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- gas
- reaction tube
- quartz reaction
- vapor phase
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 10
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野）
本考案は気相成長装置に関するもので、特にガ
ス整流装置を備えガスの熱対流を生じないように
した気相成長装置に関するものである。
ス整流装置を備えガスの熱対流を生じないように
した気相成長装置に関するものである。
（従来技術）
第１図は従来の曲型的な気相成長装置の１例の
要部を示す説明用断面図である。
要部を示す説明用断面図である。
１は石英反応管、２はグラフアイトサセプタ、
３は高周波コイル、４はガス導入口、５は真空ポ
ンプで図に示すように構成されている。この構成
において石英反応室１の上部のガス導入管４から
流入したガスはグラフアイトサセプタ２の熱によ
り矢印１０で示す如く対流を起こし、ガス状態で
中間反応を生じ易く、グラフアイトサセプタ２の
載置された基板上の成長膜の組成、膜厚の面内分
布を悪くしたり、所望の物性を得ることが困難と
なるといつた欠点があつた。
３は高周波コイル、４はガス導入口、５は真空ポ
ンプで図に示すように構成されている。この構成
において石英反応室１の上部のガス導入管４から
流入したガスはグラフアイトサセプタ２の熱によ
り矢印１０で示す如く対流を起こし、ガス状態で
中間反応を生じ易く、グラフアイトサセプタ２の
載置された基板上の成長膜の組成、膜厚の面内分
布を悪くしたり、所望の物性を得ることが困難と
なるといつた欠点があつた。
（考案の目的）
本考案の目的はこれらの欠点を除去するために
ガス整流装置を石英反応管内に設けガス対流を防
ぐようにした装置を提供するものであり以下詳細
に説明する。
ガス整流装置を石英反応管内に設けガス対流を防
ぐようにした装置を提供するものであり以下詳細
に説明する。
（考案の構成）
縦型気相成長装置において、石英反応管の周囲
に冷却装置を設けるとともに、サセプタ上方で該
石英反応管の内側面にサセプタ方向に傾斜し半径
方向に突出するフインからなる冷却された中間生
成物トラツプ用羽根状ガス整流装置を設けた気相
成長装置である。
に冷却装置を設けるとともに、サセプタ上方で該
石英反応管の内側面にサセプタ方向に傾斜し半径
方向に突出するフインからなる冷却された中間生
成物トラツプ用羽根状ガス整流装置を設けた気相
成長装置である。
（実施例）
第２図は本考案の第１の実施例の要部を示す説
明用断面図である。６は周囲に冷却装置を設けた
石英反応管、７は羽根状ガス整流装置、８は冷却
水入口、９は冷却水出口であり第１図と同じもの
は同一の符号を付している。図において石英反応
管６は壁面が二重になつていてその二重壁面間６
−２に冷却水入口８から冷却水が流入し冷却水出
口９から流出するようになつて冷却装置を形成す
る。石英反応管６のグラフアイトサセプタ２の上
方の内側面６−１には該グラフアイトサセプタ２
の方向に傾斜して半径方向に突出するように複数
のフインからなる羽根状ガス整流装置７が設けて
あり、前記冷却装置により冷却されるようになつ
ている。石英反応管６の外側面６−３の外面には
高周波コイル３が設けられていてグラフアイトサ
セプタ２を加熱する。
明用断面図である。６は周囲に冷却装置を設けた
石英反応管、７は羽根状ガス整流装置、８は冷却
水入口、９は冷却水出口であり第１図と同じもの
は同一の符号を付している。図において石英反応
管６は壁面が二重になつていてその二重壁面間６
−２に冷却水入口８から冷却水が流入し冷却水出
口９から流出するようになつて冷却装置を形成す
る。石英反応管６のグラフアイトサセプタ２の上
方の内側面６−１には該グラフアイトサセプタ２
の方向に傾斜して半径方向に突出するように複数
のフインからなる羽根状ガス整流装置７が設けて
あり、前記冷却装置により冷却されるようになつ
ている。石英反応管６の外側面６−３の外面には
高周波コイル３が設けられていてグラフアイトサ
セプタ２を加熱する。
石英反応管６の下方には真空ポンプ５が連結さ
れている。上記のような構成となつていて、ガス
は上部のガス導入口４より導入され、石英反応管
１の管壁は冷却水により冷却され、同時に羽根状
ガス整流装置７も冷却される。グラフアイトサセ
プタ２は高周波コイル３により加熱され、石英反
応管１内は真空ポンプ５により減圧状態又は常圧
状態となつている。
れている。上記のような構成となつていて、ガス
は上部のガス導入口４より導入され、石英反応管
１の管壁は冷却水により冷却され、同時に羽根状
ガス整流装置７も冷却される。グラフアイトサセ
プタ２は高周波コイル３により加熱され、石英反
応管１内は真空ポンプ５により減圧状態又は常圧
状態となつている。
以上説明したようにガス導入口４より導入され
たガス１０は、グラフアイトサセプタ２およびそ
の周囲で加熱され熱分解するとともに熱対流を生
じ上昇する。この時上昇は羽根状ガス整流装置７
により抑制され分解したガスは冷却された羽根状
ガス整流装置７のトラツプ作用によりトラツプさ
れ再びグラフアイトサセプタ２に戻ることはな
い。それ故グラフアイトサセプタ２上の基板へは
未分解の原料ガスのみが達し、分解は基板上のみ
で生じるために、成長が供給律速のみで決定され
る。
たガス１０は、グラフアイトサセプタ２およびそ
の周囲で加熱され熱分解するとともに熱対流を生
じ上昇する。この時上昇は羽根状ガス整流装置７
により抑制され分解したガスは冷却された羽根状
ガス整流装置７のトラツプ作用によりトラツプさ
れ再びグラフアイトサセプタ２に戻ることはな
い。それ故グラフアイトサセプタ２上の基板へは
未分解の原料ガスのみが達し、分解は基板上のみ
で生じるために、成長が供給律速のみで決定され
る。
（考案の効果）
以上詳細に述べたように基板上には原料ガスが
未分解のまま達し、供給律速のみで成長が決定さ
れるので、成長時の成長速度、組成の制御が精度
よく行なうことができる。また基板に達する前に
分解したガスは羽根状ガス整流装置によつてトラ
ツプされるためガス間の中間反応を回避すること
ができ、従つて基板に中間反応生成物が供給され
るようなことはなく、かつ熱対流が防止されるた
め大面積・均一かつ高純度ウエハの成長が可能と
なるといつた利点がある。
未分解のまま達し、供給律速のみで成長が決定さ
れるので、成長時の成長速度、組成の制御が精度
よく行なうことができる。また基板に達する前に
分解したガスは羽根状ガス整流装置によつてトラ
ツプされるためガス間の中間反応を回避すること
ができ、従つて基板に中間反応生成物が供給され
るようなことはなく、かつ熱対流が防止されるた
め大面積・均一かつ高純度ウエハの成長が可能と
なるといつた利点がある。
本考案は、ガスの熱対流と中間反応防止のため
の羽根状ガス整流装置を気相成長装置に設けるよ
うにし大面積・均一・高純度成長ができるので、
半導体気相成長に利用でき、他の絶縁膜気相成長
にも応用できるという効果がある。
の羽根状ガス整流装置を気相成長装置に設けるよ
うにし大面積・均一・高純度成長ができるので、
半導体気相成長に利用でき、他の絶縁膜気相成長
にも応用できるという効果がある。
第１図は従来の気相成長装置の１例を要部の示
す説明用断面図である。第２図は本考案の第１の
実施例の要部を示す説明用断面図である。 １：石英反応管、２：グラフアイトサセプタ、
３：高周波コイル、４：ガス導入口、５：真空ポ
ンプ、６：冷却装置を設けた石英反応管、７：羽
根状ガス整流装置、８：冷却水入口、９：冷却水
出口。
す説明用断面図である。第２図は本考案の第１の
実施例の要部を示す説明用断面図である。 １：石英反応管、２：グラフアイトサセプタ、
３：高周波コイル、４：ガス導入口、５：真空ポ
ンプ、６：冷却装置を設けた石英反応管、７：羽
根状ガス整流装置、８：冷却水入口、９：冷却水
出口。
Claims (1)
- 縦型気相成長装置において、石英反応管の周囲
に冷却装置を設けるとともに、サセプタ上方で該
石英反応管の内側面にサセプタ方向に傾斜し半径
方向に突出するフインからなる冷却された中間生
成物トラツプ用羽根状ガス整流装置を設けたこと
を特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206983U JPS6013970U (ja) | 1983-07-02 | 1983-07-02 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206983U JPS6013970U (ja) | 1983-07-02 | 1983-07-02 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013970U JPS6013970U (ja) | 1985-01-30 |
| JPS632442Y2 true JPS632442Y2 (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=30240761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10206983U Granted JPS6013970U (ja) | 1983-07-02 | 1983-07-02 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013970U (ja) |
-
1983
- 1983-07-02 JP JP10206983U patent/JPS6013970U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6013970U (ja) | 1985-01-30 |
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