JPS63132422A - 気相成長装置用反応管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し産業上の利用分野コ 本発明は、気Ｉ′ｒｌＩ成長装置用反応管に関し、更に
詳しく、よ、均一な薄膜を形成させる気相成長装置用反
応管に関ずろ。

二従来技術］ 反応ガスの熱分解を利用した気■１成長法によって半導
体薄膜等を形成する気相成長装置において反応管が用い
られている。第３図は、従来の反応管の一例の断面図で
めろ。この反応管１０１は、縦型反応管である。サセプ
タ１０６が、又応答の内部に収１１ノ］保持され、高周
波誘導加熱法等によって加熱さ４”Ｌる。、゛・■膜を
上部に形成させる基板ｌか、サセプタ＋０６の」二に１
己置されているっ反応管の上＋、、！、ｊ　Ｉ　０２に
設けられた反応ガス供給口１０・１かふ、成長させよう
とずろ薄膜を構成する元素を含むΔ当な反応ガス（まｊ
＝まて気）か反応管１０１内に導入さイ″、ろ。反応ガ
スの流れを矢印で示す。反応ガスは、高温の基板１に吹
き付けられ、基板１の表面まｒ二は近傍で熱分解され、
生成した元素まｒコは分子が堰板ｌの表面に結合し、薄
膜が形成する。一方、薄膜形成に関与しない未分解の反
応ガスや、反応ガスの熱分解で生じた副生成物（ガス−
よたは不揮発性生成物）はサセプタ１０６の周囲８通過
して、反応管の下端１０３に設けられｆコガス排出口１
０５から排出される。

しかし、従来の反応管では、基板近傍での反応ガスの流
量か均一でないので、基数の中心部と外周部とにおいて
薄膜成長速度および成長回組成が５′＋３なっており、
均一な薄膜が得られないという問題があった。

！発明の目的コ 本発明の目的は、均一な薄膜を基板上に形成させろ反応
管を提供することにある。

ε発明の構成］ 上記目的は、加熱されるサセプタをその内部に収納して
おり、該サセプタ上に装着された基板に反応ガスを吹き
付け、核基板上に薄膜を成長させる気相成長装置用反応
管において、該反応管が円筒状であり、少なくとも１つ
の筒が、該反応管の内壁と該サセプタとの間で少なくと
も２つの空間を生じさせる状態で該反応管内部で該反応
管の一端に接合されており、少なくとも２つのガス排出
口が、該筒により形成された空間にそれぞれ接続するよ
うに、核間か接合された該反応管の一端に設けられてお
り、ガス供給口が該反応管の他端に設けられていること
を特徴とする気相成長装置用反応管によって達成される
。

反応管か縦型反応管であり、ガス供給口およびガス排出
口が反応管の上端および下端にそれぞ１１設けられてお
り、筒が反応管の下端に接合されていることが好ましい
。

［発明の好ましい態様］ 以下に添付図面を参照して本発明を具体的に説明する。

尚、本発明は、以下の態様に限定されるものではない。

第１図は、本発明の反応管の一つの態様の断面図である
。縦型反応管である反応管１１の内部において、筒Ｉ７
がその下端で反応管の下端１３に接合されている。筒１
７の上端はサセプタ１８の上端とほぼ等しい高さである
。反応ガス供給口１．１か反応管の上端１２に設けられ
ており、ガス排出口１５及び１６が反応管の下端１３に
設けられている。

この反応管においては、ガス排出口１５より排出される
ガスの流量とガス排出口１６より排出されろガス流量の
比を変えることによって基板１の近傍での反応ガスの流
れを制御できる。例えば、ガス排出口１５より排出する
ガス流量を増加すると、基板周辺部での反応ガス流量が
大きくなるので基板周辺部での薄膜成長速度を大きくす
ることかできる。

第２図は、本発明の反応管の別の態様の断面図である。

反応管２１は、テーパ面のついた石英管から成る。反応
管２１の一端は反応ガス供給口２４を有するフラノン２
２に連結されており、反応管２１の他端は台座２３に連
結されている。台座２３には石英管から成るガス排出口
２５および２６か設けられている。筒２７がその下端で
反応管の下端１３に接合されており、筒の上端はサセプ
タ２Ｂの上、ｊ、ｊ、ｌｊとほぼ゛等しい高さである。

ガス排出口２５からは筒２７の外部のガスが排出され、
ガス排出口２６からは筒２７の内部のガスが排出されろ
。反応管冷却用水が冷却水供給口２つから注入され、冷
却水排出口３０からυト出される。

［発明の効果］ 本発明の気相成長装置用反応管によれば面内均一性の高
い薄膜成長を行うことができろ。従って、薄膜成長層を
有４−るデバイスを作成する場合に必要な特性が安定し
て得られるので、デバイスの歩留まりが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の反応管の断面図、よ３よ
び ヱ３図は従来の反応管の断面図である。 １　基板、　　１１．２１．ｌｏ＋　　反応管、！２．
ＩＩＪ２　　上端、　　１３．１０３・・下端、１４．
２□１，１０．１・・ガス供給口、１５．１６．２５，
２６，１０５・・ガス排出口、１７．２７　　筒、＋８
．２８．１０６　　・サセプタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、加熱されるサセプタをその内部に収納しており、該
   サセプタ上に装着された基板に反応ガスを吹き付け、該
   基板上に薄膜を成長させる気相成長装置用反応管におい
   て、 該反応管が円筒状であり、少なくとも１つの筒が、該反
   応管の内壁と該サセプタとの間で少なくとも２つの空間
   を生じさせる状態で該反応管内部で該反応管の一端に接
   合されており、少なくとも２つのガス排出口が、該筒に
   より形成された空間にそれぞれ接続するように、該筒が
   接合された該反応管の一端に設けられており、ガス供給
   口が該反応管の他端に設けられていることを特徴とする
   気相成長装置用反応管。 ２、該反応管が縦型反応管であり、該ガス供給口および
   ガス排出口が該反応管の上端および下端にそれぞれ設け
   られており、該筒が該反応管の下端に接合されている特
   許請求の範囲第１項記載の反応管。