JPH04199814A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、反応管内での基板上への結晶成長を安定に
行うことができるようにした半導体製造装置に関するも
のである。

［従来の技術］ 第２図は従来のこの種の半導体製造装置を示す概略構成
図である。第２図において、１は２重管を形成する外管
１ａと内管１ｂとからなる石英反応管、２はその内壁、
３はこの石英反応管１を流れる反応ガス、４は前記外管
１ａと内管１ｂとからなる２重管中を流れる冷却水、５
は基板、６は加熱されるカーボン製のサセプタである。

７は高周波加熱電源、８は前記石英反応管１の内壁２に
付着した反応生成物、９は外部に輻射される熱線を示す
。

この動作は、サセプタ６を加熱することにより基板５を
加熱した状態で反応ガス３を石英反応管１内に流し、基
板５上で化学反応を起こして結晶を成長させる。この時
、石英反応管１を構成する２重管中に冷却水を還流させ
、その系を冷却する。この過程で、石英反応管１の内壁
２には、反応生成物８が付着する。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の半導体製造装置は、以上のように構成されている
ので、結晶成長を重ねるごとに冷却されている石英反応
管１の内壁２に冷却された反応生成物８が付着し、外部
に赤外線等により放射される熱エネルギー（熱線９）が
減衰し、基板５を一定温度に加熱するためには高周波加
熱電源７の入力を変動させねばならず、また、石英反応
管１全体の熱系が徐々に変化して（るという問題点があ
った・ この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、系が変動することなく安定して結晶成長が
継続できる半導体製造装置を得ることを目的とする。

［課題を解決するための手段１ この発明に係る半導体製造装置は、冷却水が流れている
反応管の冷却水と接する内壁側に、熱線をしゃへいする
熱放射防止膜を形成したものである。

［作用］ この発明においては、反応管の冷却水と接する内壁側に
熱放射防止膜を形成したことから、反応生成物の付着に
より熱線の反応管外への輻射量の経時変化が抑制され、
経時的、熱的に安定する。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。

第１図において、第２図と同一符号は同一構成部分を示
し、１０は前記石英反応管１の冷却水４が接する内管１
ｂ側に形成された熱に不透明の皮膜、例えば窒化膜から
なる熱放射防止膜である。

このように、熱放射防止膜１０の形成により石英反応管
１から外部へ輻射する熱線の経時変化が抑制され、熱系
全体として安定したものとなる。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明は、反応管内の冷却水と
接する内壁側に熱放射防止膜を形成したので、経時的な
熱変化がおさえられ、熱系全体が安定することから、結
晶成長が安定して行われ、高品質の結晶成長膜が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体製造装置の一実施例を示す構
成断面図、第２図は従来の半導体製造装置の構成断面図
である。 図において、１は２重管で構成された石英反応管、２は
内壁、３は反応ガス、４は冷却水、５は基板、６はサセ
プタ、７は高周波加熱電源、８は反応生成物、１０は熱
放射防止膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 周辺部を冷却水が還流する反応管内にて、加熱されたサ
   セプタ上に載置された基板上に化学変化をおこさせて結
   晶成長を行うＭＯＣＶＤ装置において、前記反応管内の
   冷却水と接する内壁側に熱放射防止膜を形成したことを
   特徴とする半導体製造装置。