JPH02284417A - 気相結晶成長装置 - Google Patents
気相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH02284417A JPH02284417A JP10631189A JP10631189A JPH02284417A JP H02284417 A JPH02284417 A JP H02284417A JP 10631189 A JP10631189 A JP 10631189A JP 10631189 A JP10631189 A JP 10631189A JP H02284417 A JPH02284417 A JP H02284417A
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- Japan
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- reaction tube
- infrared rays
- susceptor
- substrate
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- Pending
Links
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 9
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板上に単結晶をエピタキシャル成長させ
るための、気相結晶成長装置に関するものである。
るための、気相結晶成長装置に関するものである。
〔従来の技術」
第２図は、従来のＭＯＣＶＤ法による結晶成長装置の反
応管付近を示す断面図であり、図において（１）は原料
ガス入口、（２）は第１反応管、（３）は基板、（４）
は基板を保持するサセプタ、（５）は反応管保持台、（
６）はサセプタ保持台、（７）排ガス出口、（８）はＲ
Ｆコイル、（９）は気密のための０リングである。
応管付近を示す断面図であり、図において（１）は原料
ガス入口、（２）は第１反応管、（３）は基板、（４）
は基板を保持するサセプタ、（５）は反応管保持台、（
６）はサセプタ保持台、（７）排ガス出口、（８）はＲ
Ｆコイル、（９）は気密のための０リングである。
次に動作について説明する。原料ガス入口（１）より反
応管（２）に導入された原料ガスは、ＲＦコイＩｖ（８
）により加熱されたサセプタ（４）上の基板（３）付近
で加熱分解、反応を起こし、基板（３）上に結晶として
析出する。同時に反応生成物は反応管内壁にも付着し、
堆積してゆく。
応管（２）に導入された原料ガスは、ＲＦコイＩｖ（８
）により加熱されたサセプタ（４）上の基板（３）付近
で加熱分解、反応を起こし、基板（３）上に結晶として
析出する。同時に反応生成物は反応管内壁にも付着し、
堆積してゆく。
従来の気相結晶成長装置は以上のように構成されている
ので、気相結晶成長を反復することにより反応生成物が
反応管（２）内壁に付着し、徐々に堆積してくる。この
堆積した付着物は加熱されたサセプタ（４）からの遠赤
外線等に対して不透明であるため、サセプタより放射さ
れた遠赤外線及び赤外線を吸収し熱を発生する。その結
果反応管（２）内における熱系が変化し、それに伴って
基板（３）上における結晶成長条件も変化する。この熱
系の変化は付着物の堆積量に依存するため付着物の量の
変化に伴って結晶成長条件を一定に保つためにＲＢ’コ
イル（８）の入力を徐々に変化させならなければならな
いという問題点があった。
ので、気相結晶成長を反復することにより反応生成物が
反応管（２）内壁に付着し、徐々に堆積してくる。この
堆積した付着物は加熱されたサセプタ（４）からの遠赤
外線等に対して不透明であるため、サセプタより放射さ
れた遠赤外線及び赤外線を吸収し熱を発生する。その結
果反応管（２）内における熱系が変化し、それに伴って
基板（３）上における結晶成長条件も変化する。この熱
系の変化は付着物の堆積量に依存するため付着物の量の
変化に伴って結晶成長条件を一定に保つためにＲＢ’コ
イル（８）の入力を徐々に変化させならなければならな
いという問題点があった。
〔課題を解決するための手段］
この発明における気相結晶成長装置は、従来の反応管（
第１反応管）の内側に赤外線及び遠赤外線に対して不透
明な絶縁物例えばＳｉＣで形成した内管（第２反応管）
を設けたものである。
第１反応管）の内側に赤外線及び遠赤外線に対して不透
明な絶縁物例えばＳｉＣで形成した内管（第２反応管）
を設けたものである。
［作用］
この発明による気相結晶成長装置における内管（第２戻
応管）は、遠赤外線及び赤外線の波長に対して不透明な
絶縁物であるから、付着物の量の大小にかかわらず、サ
セプタから放射された遠赤外線及び赤外線を吸収するの
で内管（第２反応管）内での熱系の変化を抑えることが
出来る。
応管）は、遠赤外線及び赤外線の波長に対して不透明な
絶縁物であるから、付着物の量の大小にかかわらず、サ
セプタから放射された遠赤外線及び赤外線を吸収するの
で内管（第２反応管）内での熱系の変化を抑えることが
出来る。
以下、この発明の一実施例を図をもちいて説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。（１）
は原料ガス入口、（２）は第１反応管、（３）は基板、
（４）は基板を保持するサセプタ、（５）は反応保持台
、（６）はサセプタ保持台、（７）は排ガス出口、（８
）ばＲＦ″コイル、（９）は気密のための０リング、（
１０）は第１反応管（２）の内側に絶縁物で形成した第
２反応管（内管）、（１１）は第２反応管保持台である
っ原料ガヌ入口（１）より、反応管（２）に導入された
原料ガスは、サセプタ（４）及びＲＦ″コイル（８）に
よって加熱された基板（３）付近で加熱分解・反応を起
こし基板（３）上に結晶として析出する。この結晶成長
時に同時に第２反応管Ｃｌ０）の内壁にも付着物が堆積
する、第２反応管（１０）はあらかじめ付着物と同じく
赤外線及び遠赤外線に対して不透明な絶縁物で形成した
のでサセプタより放射された赤外線及び遠赤外線をほと
んど吸収する。そのため第２反応管（１０）内において
は、付着物の堆積量にかかわらず吸収する赤外線及び遠
赤外線の量は変らず第２反応管（ｌＧ）内の熱系は変化
しないので従来の気相結晶成長装置の様に、付着物によ
る熱系の変化に対応して結晶成長温度を一定に保つため
にＲＦコイル（８）の入力を変化させる必要がなくなり
、常に安定した結晶成長を行うことが出来る。
１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。（１）
は原料ガス入口、（２）は第１反応管、（３）は基板、
（４）は基板を保持するサセプタ、（５）は反応保持台
、（６）はサセプタ保持台、（７）は排ガス出口、（８
）ばＲＦ″コイル、（９）は気密のための０リング、（
１０）は第１反応管（２）の内側に絶縁物で形成した第
２反応管（内管）、（１１）は第２反応管保持台である
っ原料ガヌ入口（１）より、反応管（２）に導入された
原料ガスは、サセプタ（４）及びＲＦ″コイル（８）に
よって加熱された基板（３）付近で加熱分解・反応を起
こし基板（３）上に結晶として析出する。この結晶成長
時に同時に第２反応管Ｃｌ０）の内壁にも付着物が堆積
する、第２反応管（１０）はあらかじめ付着物と同じく
赤外線及び遠赤外線に対して不透明な絶縁物で形成した
のでサセプタより放射された赤外線及び遠赤外線をほと
んど吸収する。そのため第２反応管（１０）内において
は、付着物の堆積量にかかわらず吸収する赤外線及び遠
赤外線の量は変らず第２反応管（ｌＧ）内の熱系は変化
しないので従来の気相結晶成長装置の様に、付着物によ
る熱系の変化に対応して結晶成長温度を一定に保つため
にＲＦコイル（８）の入力を変化させる必要がなくなり
、常に安定した結晶成長を行うことが出来る。
以上のように、この発明によれば、付着物と同じく遠赤
外線及び赤外線に対して不透明な物質である絶縁物で形
成した内管（第２反応管）を収り付けたのでサセプタか
らの遠赤外線及び赤外線は絶縁物に吸収され付着物の量
の大小にかかわらず、輻射による熱系の変化を抑えられ
、基板温度を一定に保つことが出来る。従ってサセプタ
上の基板（３）を一定温度に加熱するために、ＲＦ大入
力８）を変化させる必要がなく安定した半導体結晶を成
長させることができる。
外線及び赤外線に対して不透明な物質である絶縁物で形
成した内管（第２反応管）を収り付けたのでサセプタか
らの遠赤外線及び赤外線は絶縁物に吸収され付着物の量
の大小にかかわらず、輻射による熱系の変化を抑えられ
、基板温度を一定に保つことが出来る。従ってサセプタ
上の基板（３）を一定温度に加熱するために、ＲＦ大入
力８）を変化させる必要がなく安定した半導体結晶を成
長させることができる。
第１図はこの発明の一実施例による気相結晶成長装置を
示す断面図、第２図は従来の気相結晶成長装置を示す断
面図である。 図中、（１）は原料ガス入口、（２）は第１反応管、（
３）は基板、（４）はサセプタ、（５）は第１反応管保
持台、（６）はサセプタ保持台、（７）ばＯリング、（
８）はＲＦコイル、（９）は排ガス出口、（１０）は第
２反応管、（１１）は第２反応管保持台っ なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図 ↓〜′ 第２図 ｔ 原オ斗力゛ス〉、口 ２ オ ＩＬパミタｒ ３ λ（本（ ＋ ザセプタ ５、第１反民営づ爪オ鉛 ６ ヤ１仁ブクィ糸才寺台 ７０リンク゛′ ｇ ＲＦコイル デ カトグ久云口 ＩＯ才２反尺管 １１ 第２反バー管イ丞持台
示す断面図、第２図は従来の気相結晶成長装置を示す断
面図である。 図中、（１）は原料ガス入口、（２）は第１反応管、（
３）は基板、（４）はサセプタ、（５）は第１反応管保
持台、（６）はサセプタ保持台、（７）ばＯリング、（
８）はＲＦコイル、（９）は排ガス出口、（１０）は第
２反応管、（１１）は第２反応管保持台っ なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図 ↓〜′ 第２図 ｔ 原オ斗力゛ス〉、口 ２ オ ＩＬパミタｒ ３ λ（本（ ＋ ザセプタ ５、第１反民営づ爪オ鉛 ６ ヤ１仁ブクィ糸才寺台 ７０リンク゛′ ｇ ＲＦコイル デ カトグ久云口 ＩＯ才２反尺管 １１ 第２反バー管イ丞持台
Claims (1)
- 第１の反応管の内側に、遠赤外線及び赤外線の波長に対
して不透明な内管を設け、上記内管が絶縁物、例えばＳ
ｉＣで形成されていることを特徴とする気相結晶成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631189A JPH02284417A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631189A JPH02284417A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 気相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02284417A true JPH02284417A (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14430445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10631189A Pending JPH02284417A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02284417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5862302A (en) * | 1994-09-28 | 1999-01-19 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus having a reaction tube with transparent and opaque portions |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP10631189A patent/JPH02284417A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5862302A (en) * | 1994-09-28 | 1999-01-19 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus having a reaction tube with transparent and opaque portions |
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