JPS63248122A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS63248122A JPS63248122A JP8316087A JP8316087A JPS63248122A JP S63248122 A JPS63248122 A JP S63248122A JP 8316087 A JP8316087 A JP 8316087A JP 8316087 A JP8316087 A JP 8316087A JP S63248122 A JPS63248122 A JP S63248122A
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- Japan
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- substrate
- gaas
- susceptor
- grown
- gas
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
この発明は、有機金属熱分解気相成長（ＭＯＣＶＤ）装
置において、結晶成長させる基板表面を確実にクリーニ
ングできるようにした半導体製造装置に関するものであ
る。
置において、結晶成長させる基板表面を確実にクリーニ
ングできるようにした半導体製造装置に関するものであ
る。
第２図は従来のＭＯＣＶＤ装置の概略図である。この図
において、１は反応管、２は前記反応管１内に反応ガス
を導入するガス導入口、３は前記反応ガスの排気口、４
はＲＦコイルでサセブ・ス５を誘導加熱するためのもの
である。サセプタ５は通常カーボンでできている。６は
前記サセプタ５を支持するためのロンド、７は表面にエ
ピタキシャル成長させるための基板で、例えばＳｉ基扼
である。
において、１は反応管、２は前記反応管１内に反応ガス
を導入するガス導入口、３は前記反応ガスの排気口、４
はＲＦコイルでサセブ・ス５を誘導加熱するためのもの
である。サセプタ５は通常カーボンでできている。６は
前記サセプタ５を支持するためのロンド、７は表面にエ
ピタキシャル成長させるための基板で、例えばＳｉ基扼
である。
次に動作について説明する。基板７上に、例えばＧａＡ
ｓを成長させる場合、まず、第２図の装置においてガス
導入口２よりＨ２ガスを導入し、Ｈ２ガス霊囲気中でＲ
Ｆコイル４からの誘導によりサセプタ５を加熱し、基板
７を９００℃以上で加熱クリーニングした後、基板７を
７００℃に保持しガス導入口２よりトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）ガスとアルシンガス（ＡＳ）１３）を導入し
、基板７上にＧａＡｓ単結晶を成長させる。
ｓを成長させる場合、まず、第２図の装置においてガス
導入口２よりＨ２ガスを導入し、Ｈ２ガス霊囲気中でＲ
Ｆコイル４からの誘導によりサセプタ５を加熱し、基板
７を９００℃以上で加熱クリーニングした後、基板７を
７００℃に保持しガス導入口２よりトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）ガスとアルシンガス（ＡＳ）１３）を導入し
、基板７上にＧａＡｓ単結晶を成長させる。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のような結晶成長に際し、最も重要なことは、基板
７表面のクリーニング法であり、上記のように９００℃
以上の熱クリーニングだけでは必ずしもクリーニングが
完全に行われるとは限らず、再現性よく良質のＧ ａ
Ａ ｓ ！＃結晶が成長できない問題点があった。
７表面のクリーニング法であり、上記のように９００℃
以上の熱クリーニングだけでは必ずしもクリーニングが
完全に行われるとは限らず、再現性よく良質のＧ ａ
Ａ ｓ ！＃結晶が成長できない問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、基板表面のクリーニングを容易に行うことができ
る半導体製造装置を得ることを目的とするものである。
ので、基板表面のクリーニングを容易に行うことができ
る半導体製造装置を得ることを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明に係るＭＯＣＶＤ装習は、サセプタ上の基板に
対向して結晶成長をさせる材料を移動自在に配置したも
のである。
対向して結晶成長をさせる材料を移動自在に配置したも
のである。
この発明におけるＭＯＣＶＤ装置は、基板に対向して結
晶成長させる材料を移動自在に配置したことから、結晶
成長前のＨ２ガス導入により結晶成長させる材料が基板
上で反応し、基板表面のクリーニングが行われる。
晶成長させる材料を移動自在に配置したことから、結晶
成長前のＨ２ガス導入により結晶成長させる材料が基板
上で反応し、基板表面のクリーニングが行われる。
〔実施例）
以下、この発明の一実施例を第１図（ａ）、（ｂ）につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図において、１〜７は第２図と同じものを示し、８
は支持具で、基板７上に結晶成長させる材料、例えばＧ
ａＡｓを基板７と対向させて支持するためのものである
。９はこの支持具８に支持されたＧａＡｓ、１０は前記
支持具８をささえるためのロッドである。
は支持具で、基板７上に結晶成長させる材料、例えばＧ
ａＡｓを基板７と対向させて支持するためのものである
。９はこの支持具８に支持されたＧａＡｓ、１０は前記
支持具８をささえるためのロッドである。
なお、第１図（ａ）は基板７のクリーニング時のＧａＡ
ｓ９の配置を示し、第１図（ｂ）は基板７上への結晶成
長時のＧａＡｓ９の配置を示す。
ｓ９の配置を示し、第１図（ｂ）は基板７上への結晶成
長時のＧａＡｓ９の配置を示す。
次に動作について説明する。
まず、第１図（ａ）の配置において、ガス導入口２より
Ｈ２ガスを導入しＲＦコイル４によりサセプタ５を加熱
し、基板７を９００℃に加熱する。加熱された基板７の
輻射熱によりＧａＡｓ９も加熱され、ＧａＡｓ９中より
Ｇａ及びＡｓの蒸気が発生し、基板７上に飛来する。Ｇ
ａは基板７上の酸化物と反応し、基板７の表面から酸化
物を除去し、洗浄な基板表面が実現される（参考文献Ａ
ｐｐ１．Ｐｈｐ、Ｌｅｔｔ、３６ （３） １９８０．
ｐ２１０）。
Ｈ２ガスを導入しＲＦコイル４によりサセプタ５を加熱
し、基板７を９００℃に加熱する。加熱された基板７の
輻射熱によりＧａＡｓ９も加熱され、ＧａＡｓ９中より
Ｇａ及びＡｓの蒸気が発生し、基板７上に飛来する。Ｇ
ａは基板７上の酸化物と反応し、基板７の表面から酸化
物を除去し、洗浄な基板表面が実現される（参考文献Ａ
ｐｐ１．Ｐｈｐ、Ｌｅｔｔ、３６ （３） １９８０．
ｐ２１０）。
その後、ＧａＡｓ９を第１図（ｂ）に示すように、基板
７との対向位置から移動し、基板７の温度を７００℃に
保持し、ガス導入口２よりＴ Ｍ ＧとＡｓＨ，を導入
し、ＧａＡｓの成長を行う。
７との対向位置から移動し、基板７の温度を７００℃に
保持し、ガス導入口２よりＴ Ｍ ＧとＡｓＨ，を導入
し、ＧａＡｓの成長を行う。
なお、上記実施例では、基板７としてＳｔを用い、この
基板７上にＧａＡｓを成長させる場合の有効性について
述べたが、例えば基板７上に他の結晶を成長させる場合
も同様に有効である。
基板７上にＧａＡｓを成長させる場合の有効性について
述べたが、例えば基板７上に他の結晶を成長させる場合
も同様に有効である。
以上説明したように、この発明は、結晶成長すべき基板
に対向して結晶成長させる材料を移動自在に配置したの
で、結晶成長前に基板をクリーニングすることができ、
再現性よく、かつ高品質の結晶成長が得られる効果があ
る。
に対向して結晶成長させる材料を移動自在に配置したの
で、結晶成長前に基板をクリーニングすることができ、
再現性よく、かつ高品質の結晶成長が得られる効果があ
る。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示すＭ
ＯＣＶ Ｄ装置の構成を示す図で、第１図（ａ）は基板
のクリーニング状態を示す図であり、第１図（ｂ）は結
晶成長状態を示す図、第２図は従来のＭ ＯＣＶ Ｄ装
置の構成図である。 １において、１は反応管、２はガス導入口、３は排気口
、４はＲＦコイル、５はサセプタ、６はサセプタを支持
するロッド、７は基板、８は支持具、９はＧａＡｓ、１
０はＧａＡｓを支持するロッドである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
ＯＣＶ Ｄ装置の構成を示す図で、第１図（ａ）は基板
のクリーニング状態を示す図であり、第１図（ｂ）は結
晶成長状態を示す図、第２図は従来のＭ ＯＣＶ Ｄ装
置の構成図である。 １において、１は反応管、２はガス導入口、３は排気口
、４はＲＦコイル、５はサセプタ、６はサセプタを支持
するロッド、７は基板、８は支持具、９はＧａＡｓ、１
０はＧａＡｓを支持するロッドである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 反応管内のサセプタ上に載置された基板上に結晶成長さ
せる有機金属熱分解気相成長装置において、前記サセプ
タ上の基板に対向して前記結晶成長させる材料を移動自
在に配置したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316087A JPS63248122A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316087A JPS63248122A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248122A true JPS63248122A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13794500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8316087A Pending JPS63248122A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63248122A (ja) |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP8316087A patent/JPS63248122A/ja active Pending
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