JPS63277591A - 気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置Info
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- JPS63277591A JPS63277591A JP11173587A JP11173587A JPS63277591A JP S63277591 A JPS63277591 A JP S63277591A JP 11173587 A JP11173587 A JP 11173587A JP 11173587 A JP11173587 A JP 11173587A JP S63277591 A JPS63277591 A JP S63277591A
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- gas
- catalyst
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］ 。
本発明は気相エピタキシャル成長装置、特に有機金属系
ガスと水素化物ガスとを熱分解させて結晶成長させる、
ＩＩＩ−Ｖ、ｎ−Ｖｌ化合物半導体結晶用気相エピタキ
シャル成長装置に関する。
ガスと水素化物ガスとを熱分解させて結晶成長させる、
ＩＩＩ−Ｖ、ｎ−Ｖｌ化合物半導体結晶用気相エピタキ
シャル成長装置に関する。
［従来の技術］
この種の成長装置は第２図に示すように支持棒２のカー
ボンサセプター３上にＩｎＰ基板４を保持しこれを反応
管１内に設置し、高周波コイル５により反応管１を加熱
し、この反応管１内に原料ガスを導入して熱分解させる
ことにより基板４への結晶成長を行っている。ところで
、従来の装置では原料ガスとして分解効率の低いＰＨ３
ガス等を用いる場合に、反応管１とガス源とを接続する
管路８の二部を拡径させ、その大径部９ａの外周にヒー
タ９ｂを設けてなるクラツキング炉９を構成し、クラツ
キング炉９をもってＰＨ３ガスを分解させた後、この分
解されたＰＨ３ガスをクラツキング炉９に供給していた
。
ボンサセプター３上にＩｎＰ基板４を保持しこれを反応
管１内に設置し、高周波コイル５により反応管１を加熱
し、この反応管１内に原料ガスを導入して熱分解させる
ことにより基板４への結晶成長を行っている。ところで
、従来の装置では原料ガスとして分解効率の低いＰＨ３
ガス等を用いる場合に、反応管１とガス源とを接続する
管路８の二部を拡径させ、その大径部９ａの外周にヒー
タ９ｂを設けてなるクラツキング炉９を構成し、クラツ
キング炉９をもってＰＨ３ガスを分解させた後、この分
解されたＰＨ３ガスをクラツキング炉９に供給していた
。
［発明が解決しようとする問題点コ
上述した装置ではクラツキング炉９が基板４から遠い位
置にあるため、熱分解したガス成分が温度の低い管路８
を通過する際に凝縮して管壁に付着することとなり、熱
分解したＰＨ３ガスを基板に供給することが不可能であ
る。これを解決するには反応管部にクラツキング炉を設
ける必要があるが、石英反応管、電気炉等の装置が複雑
になり、ガス流量等結晶成長条件が複雑になってしまう
という欠点がめった。
置にあるため、熱分解したガス成分が温度の低い管路８
を通過する際に凝縮して管壁に付着することとなり、熱
分解したＰＨ３ガスを基板に供給することが不可能であ
る。これを解決するには反応管部にクラツキング炉を設
ける必要があるが、石英反応管、電気炉等の装置が複雑
になり、ガス流量等結晶成長条件が複雑になってしまう
という欠点がめった。
本発明の目的は前記問題点を解決した気相エピタキシャ
ル成長装置を提供することにある。
ル成長装置を提供することにある。
［Ｒ明の従来技術に対する相違点コ
上述した従来の気相エピタキシャル装置に対し、本発明
は反応管内に触媒を設けることによって、単純な反応管
構造でも原料ガスの分解効率を高めることができるとい
う独創的内容を有する。
は反応管内に触媒を設けることによって、単純な反応管
構造でも原料ガスの分解効率を高めることができるとい
う独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は加熱された反応管内に有機金属系ガスと水素化
物系ガスとを導入しこれらのガスを熱分解することによ
り基板上への結晶成長を行う気相エピタキシャル成長装
置にお′いて、前記反応管のガス導入日付近に、水素化
物系ガスの熱分解を促進させる水素化物分解触媒を設置
したことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置であ
る。
物系ガスとを導入しこれらのガスを熱分解することによ
り基板上への結晶成長を行う気相エピタキシャル成長装
置にお′いて、前記反応管のガス導入日付近に、水素化
物系ガスの熱分解を促進させる水素化物分解触媒を設置
したことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置であ
る。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、本発明は反応管１のガス導入口１ａ付
近に、多数の細孔６ａ、・・・を開けたガス整流板６を
設け、該ガス整流様６上に、ＰＨ３ガスの熱分解を促進
させるＰｔ金属触媒７を設けたものである。また、反応
管１の外周にはカーボンサセプター３及びＰｔ金属触媒
７を加熱する高周波コイル５を巻き付けである。
近に、多数の細孔６ａ、・・・を開けたガス整流板６を
設け、該ガス整流様６上に、ＰＨ３ガスの熱分解を促進
させるＰｔ金属触媒７を設けたものである。また、反応
管１の外周にはカーボンサセプター３及びＰｔ金属触媒
７を加熱する高周波コイル５を巻き付けである。
実施例において、反応管１内の支持棒２に支えられたカ
ーボンサセプター３上にＩｎＰ基板４を設置する。反応
管１のガス導入口１ａからＰＨ３を含むＨ２ガスを流し
た後、高周波コイル５に高周波電流を流してカーボンサ
セプター３を６５０〜７００’程度に加熱する。
ーボンサセプター３上にＩｎＰ基板４を設置する。反応
管１のガス導入口１ａからＰＨ３を含むＨ２ガスを流し
た後、高周波コイル５に高周波電流を流してカーボンサ
セプター３を６５０〜７００’程度に加熱する。
ここで、ＩｎＰ ａ板４の上流側に原料ガスの流れを層
流状にするガス整流板６が設置されており、このガス整
流板６をカーボンで作り、高周波コイル５による磁場と
の位置を調整してガス整流板６の温度を４５０〜６００
℃にして触媒７を加熱すると、ＰＨ３が触媒７に接触し
て熱分解される。町ガスにＩｎ（ＣＨ３）３ガスを混入
するとＩｎＰ基板４近傍でＰＨ３とＩｎ（ＣＨ３）３が
熱分解して基板４上にＩｎＰ結晶がエピタキシャル成長
する。
流状にするガス整流板６が設置されており、このガス整
流板６をカーボンで作り、高周波コイル５による磁場と
の位置を調整してガス整流板６の温度を４５０〜６００
℃にして触媒７を加熱すると、ＰＨ３が触媒７に接触し
て熱分解される。町ガスにＩｎ（ＣＨ３）３ガスを混入
するとＩｎＰ基板４近傍でＰＨ３とＩｎ（ＣＨ３）３が
熱分解して基板４上にＩｎＰ結晶がエピタキシャル成長
する。
このとき、Ｐｔ金属触１７をガス整流板６に取り付けて
おけば、原料ガスＰＨ３の分解効率を高めることができ
る。またこの程度の温度ではＰｔ金属触媒７が原料ガス
であるＰＨ３やＩｎ（ＣＨ３）３と化学反応を起こすこ
とはないので成長系にＰｔが取り込まれることはない。
おけば、原料ガスＰＨ３の分解効率を高めることができ
る。またこの程度の温度ではＰｔ金属触媒７が原料ガス
であるＰＨ３やＩｎ（ＣＨ３）３と化学反応を起こすこ
とはないので成長系にＰｔが取り込まれることはない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、反応管内の加熱される部
分に水素化物分解触媒を設置することにより、クラツキ
ング炉を用いなくても効率良く水素化物系ガスを利用で
き、これによって、分解効率が低く、Ｉｎ（ＣＨ３）３
等と重合しやすいために扱いにくかったＰＨ３ガスを用
いて効率良くエピタキシ１ノル成長に用いることができ
る。
分に水素化物分解触媒を設置することにより、クラツキ
ング炉を用いなくても効率良く水素化物系ガスを利用で
き、これによって、分解効率が低く、Ｉｎ（ＣＨ３）３
等と重合しやすいために扱いにくかったＰＨ３ガスを用
いて効率良くエピタキシ１ノル成長に用いることができ
る。
また本発明は他のＶ族、 Ｖｌ族元素水素化物を原料と
する場合にも応用でき、触媒についてはｐｔ塩以外■族
元素や、他の化合物等も利用できるものでおる。
する場合にも応用でき、触媒についてはｐｔ塩以外■族
元素や、他の化合物等も利用できるものでおる。
第１図は本発明を用いた気相エピタキシャル成長装置の
縦断面図、第２図は従来のクラツキング炉を用いた気相
エピタキシャル成長装置の縦断面図である。 １・・・反応管 ２・・・支持棒３・・・カ
ーボンサセプター
縦断面図、第２図は従来のクラツキング炉を用いた気相
エピタキシャル成長装置の縦断面図である。 １・・・反応管 ２・・・支持棒３・・・カ
ーボンサセプター
Claims (1)
- （１）加熱された反応管内に有機金属系ガスと水素化物
系ガスとを導入しこれらのガスを熱分解することにより
基板上への結晶成長を行う気相エピタキシャル成長装置
において、前記反応管のガス導入口付近に、水素化物系
ガスの熱分解を促進させる水素化物分解触媒を設置した
ことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173587A JPS63277591A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173587A JPS63277591A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63277591A true JPS63277591A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14568852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11173587A Pending JPS63277591A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63277591A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472316A2 (en) * | 1990-08-08 | 1992-02-26 | Hughes Aircraft Company | Multichannel plate assembly for gas source molecular beam epitaxy |
| JP2012169553A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| CN103506146A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-15 | 周口师范学院 | 用于分解磷化氢气体的催化剂及其制备方法和应用 |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP11173587A patent/JPS63277591A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472316A2 (en) * | 1990-08-08 | 1992-02-26 | Hughes Aircraft Company | Multichannel plate assembly for gas source molecular beam epitaxy |
| US5188671A (en) * | 1990-08-08 | 1993-02-23 | Hughes Aircraft Company | Multichannel plate assembly for gas source molecular beam epitaxy |
| JP2012169553A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| CN103506146A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-15 | 周口师范学院 | 用于分解磷化氢气体的催化剂及其制备方法和应用 |
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