JPS6120034U - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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Publication number
JPS6120034U
JPS6120034U JP10390084U JP10390084U JPS6120034U JP S6120034 U JPS6120034 U JP S6120034U JP 10390084 U JP10390084 U JP 10390084U JP 10390084 U JP10390084 U JP 10390084U JP S6120034 U JPS6120034 U JP S6120034U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling gas
vapor phase
phase growth
bell jar
heat source
Prior art date
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Pending
Application number
JP10390084U
Other languages
English (en)
Inventor
重次 松永
公弟 岩田
Original Assignee
東芝機械株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6120034U publication Critical patent/JPS6120034U/ja
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ないし第３図は本考案の一実施例を示すもので、
第１図は気相成長装置の構成を概略的に示す断面図、第
２図は第１図■−■線に沿う断面図、第３図は第１図■
一■線に沿う断面図、第４図は従来装置の概略的断面図
である。 ２・・・・・・石英ベルジャー、３・・・・・・半導体
基板（ウエハー）、４・・・・・・サセプタ．、５・・
・・・・主熱源（高周波コイル）、６・・・・・・ノズ
ル、８・・・・・・反応室、９・・・・・・金属製ベル
ジャー、、１０・・・・・・補助熱源（ハロゲンランブ
）、１１・・・・・・反射部材（反射ミラー）、１２・
・・・・・冷却ガス導通路、１４．１５・・・・・・冷
却ガス導入口、１６・・・・・・冷却ガス排出口。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 （１）反応室内に設けられ半導体基板が載置されるサセ
    プタを主熱源で加熱されるとともにサセプタ上の半導体
    基板を前記反応室を形成する石英ベルジャーの外側、か
    つ前記サセプタと対向する状態に設けられた補助熱源に
    よって加熱するようにした気相成長装置であって、前記
    石英ベルジャーと補助熱源の全体を金属製ベル，ジャー
    で覆うとともに前記石英ベルジャーと金属製ベルジャー
    との間に冷却ガスを導通する冷却ガス導通路を形成した
    ことを特徴とする気相成長装置。 （２）金属製ベルジャーの上部に対応して冷却ガスを冷
    却ガス導通路に導く冷却ガス導入口を設けるとともに下
    部に対応して冷却ガス導通路を通った冷却ガスを排出す
    るための冷却ガス排出口を設けたことを特徴とする実用
    新案登録請求の範囲第１項記載の気相成長装置。 ｛３｝冷却ガス導入口と冷却ガス排出口を冷却ガス供給
    源を介して接続し、冷却ガスを循還させるようにしたこ
    とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第２項記載の気
    相成長装置。 （４）補助熱源がその背部を反射部材で囲繞されたハロ
    ゲンランプからなることを特徴とする実用新案登録請求
    の範囲第１項記載の気相成長装置。
JP10390084U 1984-07-10 1984-07-10 気相成長装置 Pending JPS6120034U (ja)

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JP10390084U JPS6120034U (ja) 1984-07-10 1984-07-10 気相成長装置

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JP10390084U JPS6120034U (ja) 1984-07-10 1984-07-10 気相成長装置

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JPS6120034U true JPS6120034U (ja) 1986-02-05

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