JPH01287923A - 半導体ウエハ冷却装置 - Google Patents
半導体ウエハ冷却装置Info
- Publication number
- JPH01287923A JPH01287923A JP11738688A JP11738688A JPH01287923A JP H01287923 A JPH01287923 A JP H01287923A JP 11738688 A JP11738688 A JP 11738688A JP 11738688 A JP11738688 A JP 11738688A JP H01287923 A JPH01287923 A JP H01287923A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- stage
- cooling device
- cooling medium
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 8
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体ウェハを冷却する装置に関するもので
ある。
ある。
従来の半導体ウェハ冷却装置を第４図、第５図について
説明する。第４図は断面図、第５図は半導体ウェハをス
テージに載置する状態を示す斜視図である。図において
、（１）は半導体ウェハ、（２）は光源ランプ、（３）
は光源ランプ（２）からの光を拡散反射するプレー）、
（４）は半導体ウエノ１（１）を載置するステージであ
る。
説明する。第４図は断面図、第５図は半導体ウェハをス
テージに載置する状態を示す斜視図である。図において
、（１）は半導体ウェハ、（２）は光源ランプ、（３）
は光源ランプ（２）からの光を拡散反射するプレー）、
（４）は半導体ウエノ１（１）を載置するステージであ
る。
次に動作について説明する。搬送装置（図示せず）によ
って、半導体ウェハ（１）の主裏面をステージ（４）の
平面上に矢印（Ａ）の如く載置し、光源ランプ（２）か
ら発せられる光を拡散反射プレート（３）で半導体ウェ
ハ（１）の主表面に均一に照射し、任意の半導体ウェハ
製造処理を行う。
って、半導体ウェハ（１）の主裏面をステージ（４）の
平面上に矢印（Ａ）の如く載置し、光源ランプ（２）か
ら発せられる光を拡散反射プレート（３）で半導体ウェ
ハ（１）の主表面に均一に照射し、任意の半導体ウェハ
製造処理を行う。
従来の半導体ウェハ冷却装置は以上のように構成されて
いるので、光源ランプ（２）からの照射光が放つ熱エネ
ルギーにより半導体ウェハ（１）に熱ダメージが加わる
。この熱ダメージを低減するために、光源ランプ（２）
の光出力を低下させなければならないなどの問題点があ
った。
いるので、光源ランプ（２）からの照射光が放つ熱エネ
ルギーにより半導体ウェハ（１）に熱ダメージが加わる
。この熱ダメージを低減するために、光源ランプ（２）
の光出力を低下させなければならないなどの問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、光源ランプからの光出力を低下させずに、半
導体ウェハへの熱ダメージを抑えることができる半導体
ウェハ冷却装置を得ることを目的とする。
たもので、光源ランプからの光出力を低下させずに、半
導体ウェハへの熱ダメージを抑えることができる半導体
ウェハ冷却装置を得ることを目的とする。
この発明に係、る半導体ウェハ冷却装置は、半導体ウェ
ハを載置するステージ自身を冷却したものである。
ハを載置するステージ自身を冷却したものである。
この発明における半導体ウェハ冷却装置は、冷却されて
いるステージに半導体ウェハを載置することにより、半
導体ウェハが冷却される。
いるステージに半導体ウェハを載置することにより、半
導体ウェハが冷却される。
以下、この発明の一実施例を第１図乃至第３図について
説明する。第１図は断面図、第２図はステージの真空経
路を示す断面図、第３図はステージ自身の冷却を行う冷
却媒体通過経路を示す断面図であり、前記従来装置と同
一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する
。
説明する。第１図は断面図、第２図はステージの真空経
路を示す断面図、第３図はステージ自身の冷却を行う冷
却媒体通過経路を示す断面図であり、前記従来装置と同
一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する
。
図において、（５）は半導体ウェハ（１）を載置するス
テージ、（６）はステージ自身の冷却を行うための冷却
媒体通過用配管で、ステージ（５）の内部を横方向に貫
通している。（７）は半導体ウェハ（１）をステージ（
５）の平面に密着固定させるための真空吸着経路で、ス
テージ（５）の平面に設けられた縦方向の貫通穴により
構成されている。
テージ、（６）はステージ自身の冷却を行うための冷却
媒体通過用配管で、ステージ（５）の内部を横方向に貫
通している。（７）は半導体ウェハ（１）をステージ（
５）の平面に密着固定させるための真空吸着経路で、ス
テージ（５）の平面に設けられた縦方向の貫通穴により
構成されている。
次に動作について説明する。まずステージ（５）に設け
られた冷却媒体通過用配管（６）に水を矢印（Ｂ）の方
向に常時流して、ステージ（５）の温度を維持しておく
。次いで搬送装置（図示せず）によって半導体ウェハ（
１）の主裏面をステージ（５）の平面上に載置し、ステ
ージ（５）に設けられた矢印（Ｃ）方向の真空吸着経路
（力による真空吸着でステージ（５）の平面上に半導体
ウェハ（１）を密着固定する。
られた冷却媒体通過用配管（６）に水を矢印（Ｂ）の方
向に常時流して、ステージ（５）の温度を維持しておく
。次いで搬送装置（図示せず）によって半導体ウェハ（
１）の主裏面をステージ（５）の平面上に載置し、ステ
ージ（５）に設けられた矢印（Ｃ）方向の真空吸着経路
（力による真空吸着でステージ（５）の平面上に半導体
ウェハ（１）を密着固定する。
次いで光源ランプ（２）から発せられる光を拡散反射プ
レート３）で半導体ウェハ（１）の主表面に均一に照射
し、任意の半導体ウェハ製造処理を行う。
レート３）で半導体ウェハ（１）の主表面に均一に照射
し、任意の半導体ウェハ製造処理を行う。
なお、上記実施例ではステージ（５）を冷却する媒体と
して水を用いたが、油等の液体でも上記実施例と同様の
効果を奏するし、また空気等の気体を冷却媒体として用
いても同様の効果を奏する。
して水を用いたが、油等の液体でも上記実施例と同様の
効果を奏するし、また空気等の気体を冷却媒体として用
いても同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば半導体ウェハを載置す
るステージ自身を冷却維持したので、半導体ウェハの冷
却効果を高め、熱による半導体ウェハのダメージを抑え
られ歩留が向上し、またランプ光源の光出力を上げるこ
とにより処理時間が短縮され、生産性が向上するなどの
効果がある。
るステージ自身を冷却維持したので、半導体ウェハの冷
却効果を高め、熱による半導体ウェハのダメージを抑え
られ歩留が向上し、またランプ光源の光出力を上げるこ
とにより処理時間が短縮され、生産性が向上するなどの
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体ウェハ冷却装
置を示す断面図、第２図は真空経路を示す断面図、第３
図はステージ冷却用媒体通過経路を示す断面図、第４図
は従来の半導体ウェハ冷却装置を示す断面図、第５図は
半導体ウェハをステージに載置する状態を示す斜視図で
ある。 図において、（１）は半導体ウェハ、（５）はステージ
、（６）は冷却媒体通過用配管、（７）は真空吸着経路
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 ・ 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第１図
置を示す断面図、第２図は真空経路を示す断面図、第３
図はステージ冷却用媒体通過経路を示す断面図、第４図
は従来の半導体ウェハ冷却装置を示す断面図、第５図は
半導体ウェハをステージに載置する状態を示す斜視図で
ある。 図において、（１）は半導体ウェハ、（５）はステージ
、（６）は冷却媒体通過用配管、（７）は真空吸着経路
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 ・ 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第１図
Claims (1)
- （１）半導体ウェハを載置した状態で冷却するステージ
を有するものにおいて、前記ステージの内部に液体、気
体等の冷却媒体が流れるような空洞部を設けてステージ
自身を冷却するようにしたことを特徴とする半導体ウェ
ハ冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11738688A JPH01287923A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体ウエハ冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11738688A JPH01287923A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体ウエハ冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287923A true JPH01287923A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14710365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11738688A Pending JPH01287923A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体ウエハ冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
| US6379466B1 (en) * | 1992-01-17 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled gas distribution plate |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11738688A patent/JPH01287923A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6379466B1 (en) * | 1992-01-17 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled gas distribution plate |
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
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