KR950034449A - 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치. - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로 특히 반도체소자 제조장치 중에서 급속열처리장치(RTP: Rapid Thermal Processing)에 냉각장치를 보강하여 더욱 빠른 냉각속도를 얻을 수 있도록 한 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치에 관한 것으로 반도체소자의 열처리 과정후 냉각단계에서 반도체 기판상에 결정결합이 생성되는 문제점을 해소하기 위하여 안출된 본 발명에서는 열처리과정후 더욱 빠른 냉각속도를 갖도록 하므로서 생성된 반도체의 결정결합(cystalline defects)을 줄일 수 있도록 한 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는 빠른 냉각속도를 얻기 위하여 반응관에 입력되는 가스라인에 별도의 냉각장치를 부착하여 반응(혹은 열처리)이 끝난 후 램프(lamp)가 꺼지고 냉각단계가 시작되며 냉각장치를 통과하여 충분히 냉각된 가스가 반도체 기판의 표면에 닿아 반도체 기판 표면을 매우 빠르게 냉각할 수 있도록 한 것이다.

Description

냉각장치가 보강된 급속열처리 장치.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예 구성도, 제2도는 본 발명의 다른 실시예 구성도.

Claims (4)

  1. 반도체 제조공정의 급속열처리장치에 있어서, 반옹관(10)에 연결되어 가스를 공급하는 가스관(30)이 별도의 냉매에 의해 냉각되는 가스냉각장치(20)를 통과하여 공급될 수 있도록 구성됨을 특징으로 하는 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 가스냉각장치(20)를 통과하는 가스관(30)은 냉각매체와의 접촉면적을 최대로 확대하기 위하여 용수철 형상으로 구성됨을 특징으로 하는 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 반응관(10)에 연결되는 가스관(30)은 가스의 흐름을 신속히 바꾸어줄 수 있도록 반응가스가 주입되는 제1가스관(31)과; carrier가스나 비활성가스를 주입하는 제2가스관(32)으로 분리 설치됨을 특징으로 하는 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 반응단계의 가스를 공급하는 제1가스관(31)은 가스냉각장치(20)를 통과하지 않도록 하며, 냉각단계의 가스를 공급하는 제2가스관(32)은 가스냉각장치(20)를 통과하도록 구성됨을 특징으로 하는 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940010552A 1994-05-14 1994-05-14 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치 KR0128025B1 (ko)

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