KR920022384A - 반도체 소자 제조공정의 p.i.q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각방법 및 그 장치 - Google Patents

반도체 소자 제조공정의 p.i.q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920022384A
KR920022384A KR1019910007692A KR910007692A KR920022384A KR 920022384 A KR920022384 A KR 920022384A KR 1019910007692 A KR1019910007692 A KR 1019910007692A KR 910007692 A KR910007692 A KR 910007692A KR 920022384 A KR920022384 A KR 920022384A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
heat exchange
piq
coating
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019910007692A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940005286B1 (ko
Inventor
조병섭
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019910007692A priority Critical patent/KR940005286B1/ko
Publication of KR920022384A publication Critical patent/KR920022384A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940005286B1 publication Critical patent/KR940005286B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q충 코팅을 위한 웨이퍼 냉각장치를 보인 구성도,
제2도는 제1도의 다른 실시예를 보인 구성도.

Claims (8)

  1. P.I.Q의 2차 코팅전에 가열된 P.I.Q의 1차코팅층을 냉각시키기 위하여 웨이퍼에 냉기를 공급하여, 2차코팅을 위한 P.I.Q용액에 의하여 웨이퍼에 도포된 P.I.Q 1차 코팅층의 중앙부분이 녹아내리는 현상을 방지하도록 함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 350∼450RPM의 속도로 회전시키면서 15∼25초 동안 냉기를 공급함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각방법.
  3. 제1항 또는 제25항에 있어서, 상기 냉기는 냉각질소가스(COOL N2GAS)가 사용됨을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각방법.
  4. 질소가스관(1)(1′)에 열교환부(2)를 형성하여, 그 열교환부(2)가 열교환수단(2)가 열교환수단(A)을 지나도록 하고, 상기 질소가스관(1′)에 노즐(7)을 설치하여 냉각된 질소가스가 웨이퍼(6)로 분사되도록 구성함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 질소가스관(1)(1′)에 솔레노이드 밸브(3)와, 플로우미터(4), 그리고 가스필터(5)가 구비된 것임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 열교환부(1)는 코일형상으로 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 열교환수단(A)은 질소가스관(1)(1′)의 열교환부(2)가 장착되는 열교환용기(11)와, 상기 열교환용기(11)에 각각 연결되어 냉각수를 공급함과 아울러 열교환된 냉각수를 배출시키는 냉각수관(12)(13)과, 상기 열교환용기(11)의 온도를 조절하는 온도콘트롤러(14)로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 열교환수단은 질소가스관(1)(1′)의 열교환부(2)가 장착됨과 아울러 온도콘트롤러(22)에 의하여 온도가 조절되는 냉장시스템(21)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 P.I.Q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910007692A 1991-05-13 1991-05-13 반도체 소자 제조방법 및 이에 사용되는 냉각장치 KR940005286B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910007692A KR940005286B1 (ko) 1991-05-13 1991-05-13 반도체 소자 제조방법 및 이에 사용되는 냉각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910007692A KR940005286B1 (ko) 1991-05-13 1991-05-13 반도체 소자 제조방법 및 이에 사용되는 냉각장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920022384A true KR920022384A (ko) 1992-12-19
KR940005286B1 KR940005286B1 (ko) 1994-06-15

Family

ID=19314359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910007692A KR940005286B1 (ko) 1991-05-13 1991-05-13 반도체 소자 제조방법 및 이에 사용되는 냉각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940005286B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190099819A (ko) * 2018-02-20 2019-08-28 주식회사 원익아이피에스 기판처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190099819A (ko) * 2018-02-20 2019-08-28 주식회사 원익아이피에스 기판처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR940005286B1 (ko) 1994-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0334808A (ja) プラスチック製品成形用工具
KR940009500A (ko) 액화천연가스용 가스터빈의 점화방법 및 기구
IL104506A (en) Fast changing heating- cooling device and method, particularly for cryogenic and/or surgical use
CA2136533A1 (en) Active Magnetic Regenerator Method and Apparatus
EP0101906A3 (en) Method and apparatus for controlled reduction in temperature and preservation of embryos in a cryogenic state
TW338791B (en) REfrigeration system and method for cooling a susceptor using a refrigeration system
JP2996524B2 (ja) ポリイミド硬化装置
KR920022384A (ko) 반도체 소자 제조공정의 p.i.q 코팅을 위한 웨이퍼 냉각방법 및 그 장치
US4370864A (en) Method and apparatus for cooling heated gases or liquids
JPH0628563U (ja) 冷凍装置
JPH04344859A (ja) 連鋳鋳片の冷却装置
JPH05269363A (ja) オートクレーブの冷却装置
JP2603942Y2 (ja) 容器の冷却装置
JP3811845B2 (ja) 空調用氷蓄熱装置
JP2000304308A (ja) 内融式氷蓄熱装置
JPH0360890A (ja) レーザ溶接装置
JP3716012B2 (ja) 液体空気による空気冷却装置
KR950034449A (ko) 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치.
JP2561254Y2 (ja) 風呂給湯装置
JPS6428904A (en) Superconducting magnet device
JPS60158964A (ja) 冷却ロ−ルの冷却媒体供給方法
JPS6036717A (ja) エンジン冷却水温度制御装置
SU1522001A1 (ru) Установка дл получени тепла и холода
JPH09273825A (ja) 吸収式冷温水機
JPS56108812A (en) Adjusting device of cooling water for hot blast valve

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040331

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee