KR950025909A - 반도체 웨이퍼의 자연 산화막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 자연산화막 형성방법에 관한 것으로, 고온의 튜브를 이동시켜 웨이퍼를 덮고 반응을 억제하기 위하여 N2가스를 주입시킨 후 상기 튜브 및 웨이퍼 전체를 챔버로 이동시켜 열처리 되도록 하므로써 자연 산화막(Native Oxide)의 두께가 일정하게 성장되도록 한 반도체 웨이퍼의 자연 산화막 형성방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 웨이퍼의 자연 산화막 형성방법을 설명하기 위한 챔버의 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 자연산화막 형성방법을 설명하기 위한 챔버이 단면도.
Claims (1)
- 반도체 웨이퍼의 자연산화막 형성방법에 있어서, 가스주입구(6) 및 배출구(7)가 형성된 도어(4) 상부에 위치하는 웨이퍼 보트 지지대(3)에 웨이퍼(2)를 차폐로 적재시키고 튜브(1)를 하부로 이동시켜 상기 도어(4)에 밀착시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 가스 주입구(6)를 통하여 N2가스를 주입시킨 다음 상기 도어(4)와 밀착된 튜브(4)전체를 챔버(5)로 이동시켜 열처리공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 열처리 공정후 상기 전체공정을 역순으로 진행한 다음 웨이퍼를 꺼내는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 자연산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002243A KR950025909A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 반도체 웨이퍼의 자연 산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002243A KR950025909A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 반도체 웨이퍼의 자연 산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025909A true KR950025909A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66663594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940002243A KR950025909A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 반도체 웨이퍼의 자연 산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025909A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990003718A (ko) * | 1997-06-26 | 1999-01-15 | 김영환 | 반도체 소자 |
-
1994
- 1994-02-07 KR KR1019940002243A patent/KR950025909A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990003718A (ko) * | 1997-06-26 | 1999-01-15 | 김영환 | 반도체 소자 |
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