KR960005858A - Bpsg막의 크리스탈디펙트 방지방법 - Google Patents

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KR960005858A KR1019940017307A KR19940017307A KR960005858A KR 960005858 A KR960005858 A KR 960005858A KR 1019940017307 A KR1019940017307 A KR 1019940017307A KR 19940017307 A KR19940017307 A KR 19940017307A KR 960005858 A KR960005858 A KR 960005858A
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bpsg film
crystal defect
prevent crystal
taken out
furnace
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KR1019940017307A
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김진태
권오성
박영택
오영균
김의식
홍흥기
구영모
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 소자의 제조공정 중 BPSG막의 크리스탈디펙트 방지방법에 관한 것으로, BPSG막 플로우 공정 후 웨이퍼를 공정로 내부에서 꺼낼 때 상기 공정로 내부의 온도를 600℃ 근처까지 내린 후 꺼내는 것을 특징으로 한다.

Description

BPSG막의 크리스탈디펙트 방지방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 제조공정 중 BPSG막의 크리스탈디펙트 방지방법에 있어서, BPSG막 플로우 공정 후 웨이퍼를 공정로 내부에서 꺼낼 때 상기 공정로 내부의 온도를 600℃ 근처까지 내린 후 꺼내는 것을 특징으로 하는 BPSG막의 크리스탈디펙트 방지방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017307A 1994-07-18 1994-07-18 Bpsg막의 크리스탈디펙트 방지방법 KR960005858A (ko)

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