KR970003577A - 폴리이미드 큐어링 공정에서 액상의 생성물 제거방법 - Google Patents

폴리이미드 큐어링 공정에서 액상의 생성물 제거방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 16메가 디 - 램의 반도체 웨이퍼 생산공정중에 행하여지는 픽스 큐어링 공정의 수회 실행후 발생하는 생성물을 제거시키는 픽스 큐어링 공정에서의 생성물 제거방법을 제공하기 위한 것이다.
이와같은 본 발명의 픽스 큐어링 공정으로 생긴 생성물의 제거방법은 픽스 큐어링 공정후 챔버 내의 온도를 준비온도에서 산소개스보다 질소개스의 공급량을 늘린 상태에서 분당 6 ~ 8℃의 온도 상승폭으로 380 ~ 420℃까지 올리는 단계와, 380 ~ 420℃의 온도범위에서 산소개스의 발화점인 온도부터 780 ~ 820℃까지 분당 3 ~ 5℃도 온도를 상승시켜 소정시간 열처리하는 단계와, 열처리 단계후 분당 3 ~ 5℃도 380 ~ 420℃까지 온도를 강하시키는 단계와, 380 ~ 420℃의 온도범위에서 분당 6 ~ 8℃로 준비온도까지 하강시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

폴리이미드 큐어링 공정에서 액상의 생성물 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 픽스 큐어링 공정 후 발생한 생성물등을 제거하는 본 발명의 처리 공정을 보여주는 도면.

Claims (4)

  1. 픽스 큐어링 공정후 챔버 내의 온도를 준비온도에서 산소개스보다 질소개스의 공급량을 늘인 상태에서 분당 6 ~ 8℃온도 상승폭으로 380 ~ 420℃까지 올리는 단계와, 380 ~ 420℃의 온도범위에서 산소개스의 발화점인 온도부터 780 ~ 820℃까지 분당 3 ~ 5℃로 온도를 상승시켜 소정시간 열처리하는 단계와, 열처리 단계후 분당 3 ~ 5℃로 380 ~ 420℃까지 온도를 강하시키는 단계와, 380 ~ 420℃이 온도범위에서 분당 6 ~ 8℃로 준비온도까지 하강시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 픽스 큐어링 공정에서 액상의 생성물 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1온도상승단계에서 산소개스와 질소개스의 비는 1 : 3으로 공급하는 것을 특징으로 하는 픽스 큐어링 공정에서 액상의 생성물 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전과정의 온도제어는 외부온도 제어방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 픽스 큐어링 공정에서 액상의 생성물 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전온도제어과정에서 발생하는 배기가스는 배기관을 완전히 연 상태로 100mmH2O의 압력으로 배출되도록 하는 것을 특징으로 하는 픽스 큐어링 공정에서 액상의 생성물 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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