KR970063551A - 반도체 소자의 산화막 제거 방법 - Google Patents
반도체 소자의 산화막 제거 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 초순수를 이용하여 산화막을 제거하므로서 산화막 제거공정의 재현성 및 식각 균일성을 향상이 가능하고, 반도체 소자 특성이 증대되며 공정의 단순화 및 화학 용액의 소비 감소 감소에 따른 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 산화막 제거 방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 반도체 소자의 산화막 제거 방법에 있어서, 밀폐된 세정조내의 순수(DIW)가 일정 기압 이상에서, 일정 온도에서 가열한 후, 산화막이 형성된 웨이퍼를 세정조에 담근 다음 꺼내는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제거 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 순수는 밀폐된 세정조내에서 약 200기압 이상과 200℃이상으로 가열시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065722A KR970063551A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 산화막 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065722A KR970063551A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 산화막 제거 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063551A true KR970063551A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66622786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065722A KR970063551A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 산화막 제거 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063551A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100745398B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 텅스텐 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조방법. |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065722A patent/KR970063551A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100745398B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 텅스텐 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조방법. |
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