KR950015625A - 웨이퍼 세정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 웨이퍼 상에 자연적으로 형성되어 소자특성 저하의 한 원인으로 작용하는 자연산화막 제거방법에 관한 것으로, 최종단계의 순수에 불화수소를 소정농도로 혼합하여 상부의 자연산화막을 효과적으로 제거할 수 있으며, 특히 콘택홀 세정시 적용될 경우 불필요 한 콘택저항을 최소화함으로써 소자의 전기적특성을 개선할 수 있어 고품질의 제품생산이 가능하며 수율향상에 기여하는 바가 크다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도는 본발명의 세정방법이 적용되는 일예를 설명하기 위한 DRAM 구조도.
제1B도는 4M DRAM구조도.
제2도는 제1도의 제1콘택홀부의 상세도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 제조공정 중 웨이퍼 표면의 유기물, 산화물, 무기물 제거 단계를 포함하는 웨이퍼 세정시 최종단계에서 순수로 세정하는 웨이퍼 세정방법에 있어서, 상기 최종단계의 순수에 불화수소를 소정농도로 혼합하여 상부의 자연산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합되는 불화수소의 농도는 5내지 10ppm인것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930023469A KR950015625A (ko) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 웨이퍼 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930023469A KR950015625A (ko) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 웨이퍼 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950015625A true KR950015625A (ko) | 1995-06-17 |
Family
ID=66825059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930023469A KR950015625A (ko) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 웨이퍼 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950015625A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338764B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2002-05-30 | 윤종용 | 반도체 기판의 오염 물질을 제거하기 위한 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
-
1993
- 1993-11-05 KR KR1019930023469A patent/KR950015625A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338764B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2002-05-30 | 윤종용 | 반도체 기판의 오염 물질을 제거하기 위한 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
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