KR920005290A - 반도체 기판을 클리닝하기 위한 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 기판을 클리닝하기 위한 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR920005290A
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마사노리 고바야시
쓰또무 오가와
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세끼사와 요시
후지쓰 가부시끼가이샤
하요시 도시유끼
후지쓰 브이 엘 에스아이 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기판을 클리닝하기 위한 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 장치의 제조과정에서 기판을 클리닝하는데 사용된 클리닝 용제에 들어 있는 암모니아 수의 용량 비율과 비결점장치(mon-defective device)의 비율사이의 관계를 보인도.
제7(a) 내지 제7(e)도는 본 발명의 클리닝 용제로 반도체 장치를 클리닝하기 위한 단계를 포함하는 반도체 장치의 처리 과정을 보인도.
제8도는 본 발명에 따른 클리닝 용제조성율의 최적 비율을 보인도.

Claims (8)

  1. 29wt%의 조성율을 갖는 암모니아수, 31wt%의 조성율을 갖는 과산화수소 수용액 및 이온화되지 않은 물의 혼합으로 구성된 클리닝 용제로 반도체 기판을 클리닝하는 단계, 클리닝 용제로 클리닝되었던 반도체기판을 헹구는 단계, 및 반도체 기판을 말리는 단계로 이루어진 반도체 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서, 암모니아수의 용량비율이 1000의 이온화되지 않은 물에 대해 30보다 작거나 같도록 설정되고, 상기 암모니아수의 용량비율은 과산화수소 수용액의 용량비율보다 작거나 같도록 설정되며, 상기 과산화수소 수용액의 용랭비율은 1000의 이온하되지 않은 물에 대해 100보다 작거나 같도록 설정되고, 상기 과산화수소 수용액의 용량비율은 다음식으로 나타낸 한계 조성율 Y2보다 작거나 같도록 설정되도록 상기 클리닝 용제가 각각의 용량비율로된 암모니아수 및 과산화수소 수용액을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    Y2=0.25X3-2.75X2+13.5X-10
    단, X는 상기 이온화되지 않은 물의 1000에 들어있는 암모니아수의 용량비율로 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 과산화수소 수용액의 용량비율이 1000이 이온화되지 않은 물에 대해 3보다 작거나 같도록 설정되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 암모니아의 용량비율이 1000이온화되지 않은 물에 대해 1보다 크거나 같도록 설정되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 과산화수소 수용액의 용량비율이 다음과 같이 나타낸 한계조성율 Y1보다 크거나 같도록 설정되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
    Y1=4.64X10-3X3-6.22X10-2X2+1.52X+4.37
    단, X는 1000의 이온화되지 않은 물에 대한 암모니아수의 용량비율을 나타낸다.
  5. 제1항에 있어서, 상기 클리닝 용제가 반도체 기판을 클리닝하는 단계에서 60℃보다 높은 온도에서 유지되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 결정시리콘의 표면을 갖으며, 상기 클리닝 용제가 상기 클리닝의 단계로 결정실리콘의 표면을 클리닝하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반도체 기판이 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로하는 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 실리콘 산화물의 표면을 갖으며, 상기 클리닝 용제가 상기 클리닝의 단계로 실리콘 산화물의 표면을 클리닝하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019910015053A 1990-08-29 1991-08-29 반도체 기판을 클리닝하기 위한 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조방법 KR920005290A (ko)

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