KR970003560A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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KR970003560A
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KR1019950018856A
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박미라
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 세정 공정후의 공기중 노출과 같은 통제되지 않은 조건에서 형성된 두께가 균일하지 않은 자연산화막을 HF용액으로 제거하고, 상기의 반도체기판을 소정온도의 H2O2용액에 담구어 균일한 두께의 산화막을 성장시킨 후, 후속공정을 진행하여 반도체소자를 형성하였으므로, 상기 산화막상에 형성되는 게이트 산화막 등과 같은 얇은 산화막의 막질이 향상되고, 두께가 균일하여 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 통제되지 않은 조건에서 반도체기판상에 형성된 불균일한 두께의 자연산화막을 제거하는 공정과, 상기 구조의 반도체기판을 H2O2용액에 담구어 예정된 두께의 균일한 자연산화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판을 세척하는 공정을 구비하는 반도체소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자연산화막 제거공정을 HF : 순수 = 1 : 300 ~ 100로 희석된 용액에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 H2O2용액의 온도가 15 ~ 40℃인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 20A 이하인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950018856A 1995-06-30 1995-06-30 반도체소자의 제조방법 KR970003560A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6950736B2 (en) 2002-11-28 2005-09-27 Hydundai Motor Company Shift control method and apparatus of an automatic transmission
US8702559B2 (en) 2011-06-01 2014-04-22 Hyundai Motor Company Control method for vehicle drive source of hybrid vehicle when a transmission malfunctions

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6950736B2 (en) 2002-11-28 2005-09-27 Hydundai Motor Company Shift control method and apparatus of an automatic transmission
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