KR970030422A - 웨이퍼 세정방법 - Google Patents

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KR970030422A
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KR
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wafer
wafer cleaning
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hydrogen atom
reactor
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Application number
KR1019950042781A
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English (en)
Inventor
문환성
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정공정에 관한 것으로, 활성화된 수소원자를 사용하여 웨이퍼의 표면에 잔류하는 금속성 불순물을 제거할 수 있도록 하므로써 계면특성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법을 설명하기 위한 웨이퍼 단면도.

Claims (6)

  1. 웨이퍼의 표면에 존재하는 금속성 불순물 및 자연산화막을 제거하기 위한 웨이퍼 세정방법에 있어서, 일정온도 및 압력상태의 반응로 내로 상기 웨이퍼를 로드한 후 활성화된 수소원자를 사용하여 상기 웨이퍼의 표면을 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수소원자는 CH4및 Cl2의 가스를 이용하여 생성되도록 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수소원자는 자외선 마이크로 웨이브에 의해 활성화 되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 자외선 마이크로 웨이브는 자외선 수온램프에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정시 세정온도는 150 내지 200℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반응로는 저압반응로인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
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