KR960026316A - 반도체 기판의 세정방법 - Google Patents

반도체 기판의 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판 표면에 잔존하는 유기물, 금속이온 및 자연 산화막을 제거하는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것으로, 특히 게이트 산화전의 웨이퍼 세정에 있어서, 불화수소 용액 딥 공정으로 완전히 제거되지 않은 자연 산화막을 무수(無水)의 플루오르화 수소(Anhydrous Hydrogen Fluorid)로 제거하고, 잔류 플루오르 성분을 크세논 램프 플라즈마(Xelamp plasma)를 이용하여 제거하는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 반도체 기판의 게이트산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계, 플루오르화 수소를 이용하여 자연 산화막을 제거하는 가스 세정 단계, 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위하여 기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시켜 진행하는 드라이 세정 단계, 및 금속이온 제거를 위한 염산 세정 단계를 포함하여 구성된다.

Description

반도체 기판의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 반도체 기판의 게이트 산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계, 플루오르화 수소를 이용하여 자연 산화막을 제거하는 가스 세정 단계, 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위하여기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시켜 진행하는 드라이 세정 단계, 및 금속이온 제거를 위한 염산 세정 단계를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 자연 산화막 제거를 위한 가스 세정 단계는 옥시데이션을 촉진시키는 습기를 배제하기 위하여 무수(無水)의 플루오르화 수소가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플루오르화 수소 가스를 이용한 가스 세정시 소정의 시각 효과를 얻기 위하여20∼70sccm 정도의 가스 흐름을 유지하고, 200w 이하의 알에프 파워를 유지하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  4. 제1항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 파워는 10w/cm2내외로 유지시켜 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  5. 제1항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 압력 1×10-8torr내외로 유지시켜 진행하는것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 플루오르화 수소 가스를 이용한 가스 세정시 소정의 식각 효과를 얻기 위하여20∼70sccm 정도의 가스 흐름을 유지하고, 200w 이하의 알에프 파워를 유지하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  7. 반도체 기판의 게이트 산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계 및자연 산화막 제거를 위한 불화수소 용액 세정 단게 후, 불화수소 용액 세정시 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기위하여 기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시키는 드라이 세정 단계를 진행하고, 금속이온 제거를 위한 염산 세정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  8. 제7항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 알에프 파워는 10w/cm2내외로 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  9. 제7항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 압력은 1×10-8torr내외로 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100233146B1 (ko) * 1996-08-21 1999-12-01 윤종용 다결정 실리콘의 제조 방법
KR100253583B1 (ko) * 1997-04-21 2000-04-15 김영환 접합형 에스. 오. 아이 웨이퍼 제조방법
KR100292218B1 (ko) * 1997-11-25 2001-07-12 황 철 주 반도체소자제조방법
KR100366623B1 (ko) * 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
KR100909160B1 (ko) * 2002-12-24 2009-07-23 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 세정방법

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