JPH07297163A - 被膜除去方法および被膜除去剤 - Google Patents
被膜除去方法および被膜除去剤Info
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエーハに付着する有機被膜や金属汚染被膜
等の被膜を簡便に効率的に除去できる被膜除去方法およ
びそのための被膜除去剤を提供する。 【構成】 被膜除去方法は、希フッ化水素水溶液と希塩
酸との混合液等の酸の水溶液（１２）の中にオゾン（１
３）を注入する工程と、この注入する工程により生じる
気泡（１８）にウエーハ等の基台（１６）に付着された
有機被膜または金属汚染被膜等の被膜（１７）を接触さ
せこの被膜（１７）を基台（１６）から除去する工程を
備えることを特徴とする。
等の被膜を簡便に効率的に除去できる被膜除去方法およ
びそのための被膜除去剤を提供する。 【構成】 被膜除去方法は、希フッ化水素水溶液と希塩
酸との混合液等の酸の水溶液（１２）の中にオゾン（１
３）を注入する工程と、この注入する工程により生じる
気泡（１８）にウエーハ等の基台（１６）に付着された
有機被膜または金属汚染被膜等の被膜（１７）を接触さ
せこの被膜（１７）を基台（１６）から除去する工程を
備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被膜除去方法および被
膜除去剤に係り、特に、半導体製造工程のウエーハまた
は液晶製造工程のガラス基板の洗浄における被膜除去方
法および被膜除去剤に関する。
膜除去剤に係り、特に、半導体製造工程のウエーハまた
は液晶製造工程のガラス基板の洗浄における被膜除去方
法および被膜除去剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においてウエーハに付着
した有機被膜等を除去する場合、従来は、ドライ方式と
ウエット方式とを組み合わせて行うのが一般的である。
した有機被膜等を除去する場合、従来は、ドライ方式と
ウエット方式とを組み合わせて行うのが一般的である。
【０００３】従来は、酸素雰囲気中で高周波電力をウエ
ーハに印加してグロー放電を生じさせ、除去の対象であ
るウエーハに付着した有機被膜をまずドライ方式により
グロー放電に晒す。次に、図５に示すように、ウエット
方式により、最終的に有機被膜を除去する。このウエッ
ト方式では、図５（ａ）に示すように、まず容器に入れ
られた濃硫酸と過酸化水素との混合液１にドライ方式に
よりグロー放電に晒された後のウエーハ２を浸漬する。
これにより、有機被膜をＣＯ２、ＣＯやＨ２Ｏに分解
し、化学的に有機被膜を除去する。次に、図５（ｂ）に
示すように、容器に入れられた純水３にウエーハ２を浸
して脱水分解反応、あるいは純中水における加水分解反
応によりウエーハ２を洗浄する。
ーハに印加してグロー放電を生じさせ、除去の対象であ
るウエーハに付着した有機被膜をまずドライ方式により
グロー放電に晒す。次に、図５に示すように、ウエット
方式により、最終的に有機被膜を除去する。このウエッ
ト方式では、図５（ａ）に示すように、まず容器に入れ
られた濃硫酸と過酸化水素との混合液１にドライ方式に
よりグロー放電に晒された後のウエーハ２を浸漬する。
これにより、有機被膜をＣＯ２、ＣＯやＨ２Ｏに分解
し、化学的に有機被膜を除去する。次に、図５（ｂ）に
示すように、容器に入れられた純水３にウエーハ２を浸
して脱水分解反応、あるいは純中水における加水分解反
応によりウエーハ２を洗浄する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにウエー
ハに付着した有機被膜を除去する場合、従来はドライ方
式とウエット方式とを組み合わせて行われている。ドラ
イ方式では、酸素雰囲気中に高周波電力によりグロー放
電により反応活性は酸素プラズマを発生させるが、この
際チャンバの温度は３００℃〜４００℃と高温になる。
このため、アルミ配線部の突起異常が生じたり有機被膜
自身の硬化が生じ、有機被膜を剥離することができない
という問題点がある。
ハに付着した有機被膜を除去する場合、従来はドライ方
式とウエット方式とを組み合わせて行われている。ドラ
イ方式では、酸素雰囲気中に高周波電力によりグロー放
電により反応活性は酸素プラズマを発生させるが、この
際チャンバの温度は３００℃〜４００℃と高温になる。
このため、アルミ配線部の突起異常が生じたり有機被膜
自身の硬化が生じ、有機被膜を剥離することができない
という問題点がある。
【０００５】また、ウエット方式では、濃硫酸と過酸化
水素を大量に使用するために廃液の処理に経費がかかる
という問題点がある。
水素を大量に使用するために廃液の処理に経費がかかる
という問題点がある。
【０００６】また、ドライ方式とウエット方式とを組み
合わせて作業を行うので、有機被膜を除去するための処
理時間は約４時間という長時間かかり、生産性効率がよ
くないという問題点がある。
合わせて作業を行うので、有機被膜を除去するための処
理時間は約４時間という長時間かかり、生産性効率がよ
くないという問題点がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
有する問題を解消し、ウエーハに付着する有機被膜や金
属汚染被膜等の被膜を簡便に効率的に除去できる被膜除
去方法およびそのための被膜除去剤を提供することであ
る。
有する問題を解消し、ウエーハに付着する有機被膜や金
属汚染被膜等の被膜を簡便に効率的に除去できる被膜除
去方法およびそのための被膜除去剤を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による被膜除去方法は、酸の水溶液の中にオ
ゾンを注入する工程と、前記注入する工程により生じる
気泡に基台に付着された被膜を接触させこの被膜を基台
から除去する工程とを備えることを特徴とする。
に、本発明による被膜除去方法は、酸の水溶液の中にオ
ゾンを注入する工程と、前記注入する工程により生じる
気泡に基台に付着された被膜を接触させこの被膜を基台
から除去する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】ここで、前記酸の水溶液が少なくとも希弗
化水素水溶液あるいは／または、非塩酸を含む混合液で
あることが好適である。
化水素水溶液あるいは／または、非塩酸を含む混合液で
あることが好適である。
【００１０】また、前記基台がウエーハまたはガラス基
板であり、前記被膜が有機被膜または金属汚染被膜であ
ることが好適である。
板であり、前記被膜が有機被膜または金属汚染被膜であ
ることが好適である。
【００１１】また、前記混合液の温度は常温範囲にある
とともに、前記混合液は５重量％以下の水溶液であり、
前記オゾンの濃度は約４００００ｐｐｍ以上の範囲、あ
るいは約４００００ｐｐｍから約９００００ｐｐｍの範
囲にあることが好適である。
とともに、前記混合液は５重量％以下の水溶液であり、
前記オゾンの濃度は約４００００ｐｐｍ以上の範囲、あ
るいは約４００００ｐｐｍから約９００００ｐｐｍの範
囲にあることが好適である。
【００１２】本発明による被膜除去剤は、基台に付着さ
れた被膜に接触させこの被膜を基台から除去するための
被膜除去剤であって、少なくとも希弗化水素水溶液ある
いは／または、非塩酸を含む混合液の中にオゾンを注入
して生成される気泡からなることを特徴とする。
れた被膜に接触させこの被膜を基台から除去するための
被膜除去剤であって、少なくとも希弗化水素水溶液ある
いは／または、非塩酸を含む混合液の中にオゾンを注入
して生成される気泡からなることを特徴とする。
【００１３】
【作用】フッ化水素水溶液と塩酸との混合液等の酸の水
溶液の中にオゾンを注入すると気泡が生じる。この気泡
はオゾンとこの外側に付着した酸の水溶液からなる。気
泡を形成するオゾンが被膜と接触してオゾンと被膜の中
間体が形成される。この中間体は気泡を形成する酸の水
溶液により基台からが除去される。
溶液の中にオゾンを注入すると気泡が生じる。この気泡
はオゾンとこの外側に付着した酸の水溶液からなる。気
泡を形成するオゾンが被膜と接触してオゾンと被膜の中
間体が形成される。この中間体は気泡を形成する酸の水
溶液により基台からが除去される。
【００１４】
【実施例】本発明による被膜除去方法の実施例を図面を
参照して説明する。図１に本実施例において使用する被
膜除去装置１０を示す。被膜除去装置１０の容器１１の
中には容器１１の中ほどの高さまで、希フッ化水素水溶
液と希塩酸とを混合して得られる混合液１２が収められ
ている。この混合液１２中の希フッ化水素水溶液と希塩
酸の重量％は約０．５％である。また、混合液１２の温
度は常温範囲の温度であり、例えば２５℃である。容器
１１の底部の近傍にはオゾン１３を混合液１２中へ注入
するためのガラス製バブラー１４が取り付けられてい
る。ガラス製バブラー１４の一端から４００００ｐｐｍ
〜９００００ｐｐｍの範囲にある濃度のオゾンが注入さ
れる。ガラス製バブラー１４の他端にはオゾン１３を混
合液１２中へ放散するための円盤状の放散部１５が固着
されている。放散部１５の上部には小さな穴が多数開け
られている。混合液１２の上面１２ａの上方近傍には、
図示しない支持手段により基台としてのＳｉのウエーハ
１６が混合液１２の上面１２ａと水平になるように支持
されている。ウエーハ１６の下面には除去しようとする
有機被膜の例としてフォトレジスト１７が付着されてい
る。混合液１２の上面１２ａの上方の空間は図示しない
排気系により排気されるようになっており、この空間の
圧力の値は常圧、例えば約１気圧である。
参照して説明する。図１に本実施例において使用する被
膜除去装置１０を示す。被膜除去装置１０の容器１１の
中には容器１１の中ほどの高さまで、希フッ化水素水溶
液と希塩酸とを混合して得られる混合液１２が収められ
ている。この混合液１２中の希フッ化水素水溶液と希塩
酸の重量％は約０．５％である。また、混合液１２の温
度は常温範囲の温度であり、例えば２５℃である。容器
１１の底部の近傍にはオゾン１３を混合液１２中へ注入
するためのガラス製バブラー１４が取り付けられてい
る。ガラス製バブラー１４の一端から４００００ｐｐｍ
〜９００００ｐｐｍの範囲にある濃度のオゾンが注入さ
れる。ガラス製バブラー１４の他端にはオゾン１３を混
合液１２中へ放散するための円盤状の放散部１５が固着
されている。放散部１５の上部には小さな穴が多数開け
られている。混合液１２の上面１２ａの上方近傍には、
図示しない支持手段により基台としてのＳｉのウエーハ
１６が混合液１２の上面１２ａと水平になるように支持
されている。ウエーハ１６の下面には除去しようとする
有機被膜の例としてフォトレジスト１７が付着されてい
る。混合液１２の上面１２ａの上方の空間は図示しない
排気系により排気されるようになっており、この空間の
圧力の値は常圧、例えば約１気圧である。
【００１５】被膜除去装置１０において、ガラス製バブ
ラー１４の一端からオゾンを注入すると気泡１８が発生
する。図２に、有機被膜−酸の水溶液−オゾンとの間に
界面反応の様子を示す。気泡１８は、図２に示すよう
に、内側にあるオゾンの気泡２０とこの外側にある希フ
ッ化水素水溶液または希塩酸からなる気泡１９から構成
されている。気泡１８は混合液２中を上昇した後、混合
液２外へ出て、ウエーハ１６の下面のフォトレジスト１
７にぶつかって接触する。この結果、フォトレジスト１
７と、希フッ化水素水溶液または希塩酸と、オゾンとの
間に、有機被膜−酸の水溶液−オゾンとによる界面反応
が進行する。まずオゾンが有機被膜と接触してオゾンと
有機被膜との中間体が形成され、この中間体は酸の水溶
液によりウエーハから離脱される。中間体がウエーハの
表面から離脱されると、再びオゾンが中間体を形成す
る。このような過程を繰り返して有機被膜がウエーハか
ら除去される。
ラー１４の一端からオゾンを注入すると気泡１８が発生
する。図２に、有機被膜−酸の水溶液−オゾンとの間に
界面反応の様子を示す。気泡１８は、図２に示すよう
に、内側にあるオゾンの気泡２０とこの外側にある希フ
ッ化水素水溶液または希塩酸からなる気泡１９から構成
されている。気泡１８は混合液２中を上昇した後、混合
液２外へ出て、ウエーハ１６の下面のフォトレジスト１
７にぶつかって接触する。この結果、フォトレジスト１
７と、希フッ化水素水溶液または希塩酸と、オゾンとの
間に、有機被膜−酸の水溶液−オゾンとによる界面反応
が進行する。まずオゾンが有機被膜と接触してオゾンと
有機被膜との中間体が形成され、この中間体は酸の水溶
液によりウエーハから離脱される。中間体がウエーハの
表面から離脱されると、再びオゾンが中間体を形成す
る。このような過程を繰り返して有機被膜がウエーハか
ら除去される。
【００１６】次に、図３および図４を参照して、被膜除
去装置１０を用いて有機被膜を除去することを試みた結
果について説明する。図３はオゾン（Ｏ３）の濃度（ｐ
ｐｍ）に対する有機被膜除去速度（オングストローム／
ｍｉｎ）の関係を示す。図３からわかるように、有機被
膜除去速度はオゾン濃度に対して比例的に早くなる。オ
ゾン濃度が４００００ｐｐｍのときの有機被膜除去速度
は２２００（オングストローム／ｍｉｎ）であり、オゾ
ン濃度が６００００ｐｐｍのときの有機被膜除去速度は
３０００（オングストローム／ｍｉｎ）であり、オゾン
濃度が８００００ｐｐｍのときの有機被膜除去速度は３
８００（オングストローム／ｍｉｎ）である。
去装置１０を用いて有機被膜を除去することを試みた結
果について説明する。図３はオゾン（Ｏ３）の濃度（ｐ
ｐｍ）に対する有機被膜除去速度（オングストローム／
ｍｉｎ）の関係を示す。図３からわかるように、有機被
膜除去速度はオゾン濃度に対して比例的に早くなる。オ
ゾン濃度が４００００ｐｐｍのときの有機被膜除去速度
は２２００（オングストローム／ｍｉｎ）であり、オゾ
ン濃度が６００００ｐｐｍのときの有機被膜除去速度は
３０００（オングストローム／ｍｉｎ）であり、オゾン
濃度が８００００ｐｐｍのときの有機被膜除去速度は３
８００（オングストローム／ｍｉｎ）である。
【００１７】図４はオゾン濃度が６００００ｐｐｍのと
きの、オゾン添加時間（ｍｉｎ）と有機被膜除去量（オ
ングストローム）の関係を示す。図４からわかるよう
に、有機被膜除去量（オングストローム）はオゾン添加
時間（ｍｉｎ）に対して比例的に増加する。図４によ
り、例えば有機被膜の厚さが１５０００オングストロー
ムのときの被膜除去に要する処理時間は約５〜６分であ
り、３００００オングストロームでは１０〜１１分であ
る。
きの、オゾン添加時間（ｍｉｎ）と有機被膜除去量（オ
ングストローム）の関係を示す。図４からわかるよう
に、有機被膜除去量（オングストローム）はオゾン添加
時間（ｍｉｎ）に対して比例的に増加する。図４によ
り、例えば有機被膜の厚さが１５０００オングストロー
ムのときの被膜除去に要する処理時間は約５〜６分であ
り、３００００オングストロームでは１０〜１１分であ
る。
【００１８】また、フォトレジスト１７等の有機被膜の
代わりに、ウエーハ１６の下面にＮａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、あるいはＺｎ等からなる金属汚染被膜を付着されて
いる場合についても、被膜除去装置１０を用いて被膜を
除去することを試みた。Ｎａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、ある
いはＺｎ等は１０１２〜１０１３（ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ２）程度強制汚染したウエーハを用いた。この結果、
これらの金属汚染被膜が９０％以上除去することができ
た。
代わりに、ウエーハ１６の下面にＮａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、あるいはＺｎ等からなる金属汚染被膜を付着されて
いる場合についても、被膜除去装置１０を用いて被膜を
除去することを試みた。Ｎａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、ある
いはＺｎ等は１０１２〜１０１３（ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ２）程度強制汚染したウエーハを用いた。この結果、
これらの金属汚染被膜が９０％以上除去することができ
た。
【００１９】本実施例の構成によれば、約０．５重量％
（ｗ％）という比較的稀薄な薬品である混合液１２に４
００００〜９００００ｐｐｍのオゾンを注入するだけ
で、フォトレジスト１７等の有機被膜を容易に除去する
ことができる。また、稀薄な薬品である混合液１２を用
いるので、洗浄等の後処理が大幅に容易になる。
（ｗ％）という比較的稀薄な薬品である混合液１２に４
００００〜９００００ｐｐｍのオゾンを注入するだけ
で、フォトレジスト１７等の有機被膜を容易に除去する
ことができる。また、稀薄な薬品である混合液１２を用
いるので、洗浄等の後処理が大幅に容易になる。
【００２０】また、従来のドライ方式による酸素プラズ
マによる３００〜４００℃という高温の熱分解反応や、
ウエット方式による脱水分解反応とは異なり、常温およ
び常圧の環境条件で、しかも比較的短時間で有機被膜を
除去することができる。この結果、アルミ配線の突起異
常や有機被膜自身の硬化を生じさせない。
マによる３００〜４００℃という高温の熱分解反応や、
ウエット方式による脱水分解反応とは異なり、常温およ
び常圧の環境条件で、しかも比較的短時間で有機被膜を
除去することができる。この結果、アルミ配線の突起異
常や有機被膜自身の硬化を生じさせない。
【００２１】また、Ｎａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、あるいは
Ｚｎ等の金属汚染被膜を９０％以上も除去することがで
きる。
Ｚｎ等の金属汚染被膜を９０％以上も除去することがで
きる。
【００２２】なお、以上に述べた実施例において、希フ
ッ化水素水溶液と希塩酸とを混合して得られる混合液１
２について説明したが、本発明はこれに限らず、混合液
は酸の水溶液であればよい。被膜を除去するためには、
酸の水溶液の中にオゾンを注入して生じる気泡がオゾン
と酸の水溶液とから構成されていればよいのである。し
たがって、例えば、酸の水溶液として、フッ化水素水溶
液と硫酸の混合液でもよい。また、オゾンの濃度は約４
００００ｐｐｍから約９００００ｐｐｍの範囲について
示したが、本発明はこれに限らず、この範囲にある濃度
よりも濃くともよく、またより薄くともよい。また、本
発明は図１または図２に限定されるものではない。
ッ化水素水溶液と希塩酸とを混合して得られる混合液１
２について説明したが、本発明はこれに限らず、混合液
は酸の水溶液であればよい。被膜を除去するためには、
酸の水溶液の中にオゾンを注入して生じる気泡がオゾン
と酸の水溶液とから構成されていればよいのである。し
たがって、例えば、酸の水溶液として、フッ化水素水溶
液と硫酸の混合液でもよい。また、オゾンの濃度は約４
００００ｐｐｍから約９００００ｐｐｍの範囲について
示したが、本発明はこれに限らず、この範囲にある濃度
よりも濃くともよく、またより薄くともよい。また、本
発明は図１または図２に限定されるものではない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、基台に付着した有機被膜や金属汚染被膜等の被膜
を基台から簡便に効率的に除去することができる。
れば、基台に付着した有機被膜や金属汚染被膜等の被膜
を基台から簡便に効率的に除去することができる。
【図１】本発明による被膜除去方法の実施例に使用する
被膜除去装置を示す断面図。
被膜除去装置を示す断面図。
【図２】有機被膜−水−オゾンとの間の界面反応を説明
する図。
する図。
【図３】オゾン（Ｏ３）の濃度（ｐｐｍ）に対する有機
被膜除去速度（オングストローム／ｍｉｎ）の関係を示
す図。
被膜除去速度（オングストローム／ｍｉｎ）の関係を示
す図。
【図４】オゾン濃度が６００００ｐｐｍのときの、オゾ
ン添加時間（ｍｉｎ）と有機被膜除去量（オングストロ
ーム）の関係を示す図。
ン添加時間（ｍｉｎ）と有機被膜除去量（オングストロ
ーム）の関係を示す図。
【図５】従来、有機被膜等を除去する場合にドライ方式
と組み合わせて行われる従来のウエット方式を示す図。
有機被膜をＣＯ２、ＣＯやＨ２Ｏに分解し、化学的に有
機被膜を除去し（ａ）、次に、純粋を用いて脱水分解反
応によりウエーハを洗浄する（ｂ）。
と組み合わせて行われる従来のウエット方式を示す図。
有機被膜をＣＯ２、ＣＯやＨ２Ｏに分解し、化学的に有
機被膜を除去し（ａ）、次に、純粋を用いて脱水分解反
応によりウエーハを洗浄する（ｂ）。
１ 濃硫酸と過酸化水素との従来の混合液 ２ ウエーハ ３ 純粋 １０ 被膜除去装置 １１ 容器 １２ 希フッ化水素水溶液と希塩酸とからなる混合液 １３ オゾン １４ ガラス製バブラー １５ 放散部 １６ ウエーハ １７ フォトレジスト １８ オゾンと酸の水溶液との気泡 １９ 希フッ化水素水溶液または希塩酸等の酸の水溶液
の気泡 ２０ オゾンの気泡
の気泡 ２０ オゾンの気泡
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年４月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】ここで、前記酸の水溶液が希弗化水素水溶
液、希塩酸または希弗化水素水溶液と希塩酸との混合液
であることが好適である。
液、希塩酸または希弗化水素水溶液と希塩酸との混合液
であることが好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】本発明による被膜除去剤は、基台に付着さ
れた被膜に接触させこの被膜を基台から除去するための
被膜除去剤であって、希弗化水素水溶液、希塩酸または
希弗化水素水溶液と希塩酸との混合液の中にオゾンを注
入して生成される気泡からなることを特徴とする。
れた被膜に接触させこの被膜を基台から除去するための
被膜除去剤であって、希弗化水素水溶液、希塩酸または
希弗化水素水溶液と希塩酸との混合液の中にオゾンを注
入して生成される気泡からなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】なお、以上に述べた実施例において、希フ
ッ化水素水溶液と希塩酸とを混合して得られる混合液１
２について説明したが、本発明はこれに限らず、希フッ
化水素水溶液でもよく、また希塩酸でもよく、酸の水溶
液であればよい。被膜を除去するためには、酸の水溶液
の中にオゾンを注入して生じる気泡がオゾンと酸の水溶
液とから構成されていればよいのである。したがって、
例えば、酸の水溶液として、フッ化水素水溶液と硫酸の
混合液でもよい。また、オゾンの濃度は約４００００ｐ
ｐｍから約９００００ｐｐｍの範囲について示したが、
本発明はこれに限らず、この範囲にある濃度よりも濃く
ともよく、またより薄くともよい。また、本発明は図１
または図２に限定されるものではない。
ッ化水素水溶液と希塩酸とを混合して得られる混合液１
２について説明したが、本発明はこれに限らず、希フッ
化水素水溶液でもよく、また希塩酸でもよく、酸の水溶
液であればよい。被膜を除去するためには、酸の水溶液
の中にオゾンを注入して生じる気泡がオゾンと酸の水溶
液とから構成されていればよいのである。したがって、
例えば、酸の水溶液として、フッ化水素水溶液と硫酸の
混合液でもよい。また、オゾンの濃度は約４００００ｐ
ｐｍから約９００００ｐｐｍの範囲について示したが、
本発明はこれに限らず、この範囲にある濃度よりも濃く
ともよく、またより薄くともよい。また、本発明は図１
または図２に限定されるものではない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｇ // Ｂ０８Ｂ 3/08 Ａ 2119−3Ｂ (72)発明者 大 野 怜 子 岩手県北上市北工業団地６番６号 岩手東 芝エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 松 岡 輝 美 岡山県岡山市築港緑町２−12−８−205
Claims (5)
- 【請求項１】酸の水溶液の中にオゾンを注入する工程
と、前記注入する工程により生じる気泡に基台に付着さ
れた被膜を接触させこの被膜を基台から除去する工程と
を備えることを特徴とする被膜除去方法。 - 【請求項２】前記酸の水溶液が少なくとも希弗化水素水
溶液あるいは／または、非塩酸を含む混合液であること
を特徴とする請求項１に記載の被膜除去方法。 - 【請求項３】前記基台がウエーハまたはガラス基板であ
り、前記被膜が有機被膜または金属汚染被膜であること
を特徴とする請求項１に記載の被膜除去方法。 - 【請求項４】前記酸の水溶液の温度は常温範囲にあると
ともに、前記酸の水溶液は５重量％以下の酸の水溶液で
あり、前記オゾンの濃度は約４００００ｐｐｍから約９
００００ｐｐｍの範囲にあることを特徴とする請求項１
に記載の被膜除去方法。 - 【請求項５】基台に付着された被膜に接触させこの被膜
を基台から除去するための被膜除去剤であって、希弗化
水素水溶液あるいは／または、非塩酸を含む混合液の中
にオゾンを注入して生成される気泡からなることを特徴
とする被膜除去剤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8855194A JP3320549B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 被膜除去方法および被膜除去剤 |
| US08/427,309 US5632847A (en) | 1994-04-26 | 1995-04-24 | Film removing method and film removing agent |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8855194A JP3320549B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 被膜除去方法および被膜除去剤 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297163A true JPH07297163A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3320549B2 JP3320549B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=13946003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8855194A Expired - Lifetime JP3320549B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 被膜除去方法および被膜除去剤 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5632847A (ja) |
| JP (1) | JP3320549B2 (ja) |
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