KR940001269A - 반도체 디바이스의 금속배선형성방법 - Google Patents

반도체 디바이스의 금속배선형성방법 Download PDF

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KR940001269A KR1019920009868A KR920009868A KR940001269A KR 940001269 A KR940001269 A KR 940001269A KR 1019920009868 A KR1019920009868 A KR 1019920009868A KR 920009868 A KR920009868 A KR 920009868A KR 940001269 A KR940001269 A KR 940001269A
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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스를 제조하는 공정중 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 금속식각 공정후에 금속에 흡착되어 있는 C1기를 F기로 치환한 다음, O2플라즈마를 이용하여 금속배선의 측면 폴리머를 제거해 줌으로써, 후속하는 순수제정 및 감광막 제거공정을 용이하게 하며 금속 배선의 측면부에 Al2O3보호막의 성장을 쉽게 할 수 있다.

Description

반도체 디바이스의 금속배선형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 반도체 디바이스 제조공정중 금속식각공정이후의 처리방법으로서, CF4또는 CHF3플라즈마를 이용하여 금속 흡착되어 있는 C1기를 F기를 치환하는 제1단계공정과, 순수(deionized water)로 세정하는 제2단계공정과, 남아있는 감광막을 제거하는 제3단계공정을 포함하는 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 제1단계공정과 상기 제2단계 공정 사이에 O2플라즈마를 사용하여 금속배선의 측면 폴리머를 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 O2플라즈마를 사용하여 금속배선의 측면 폴리머를 제거하는 공정은, 200 내지 1500mTorr의 압력, 100 내지 1000와트(Watt)의 파워, 10 내지 100SCCM의 O2플라즈마 상태로 30 내지 200초동안 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468694B1 (ko) * 1997-10-13 2005-03-16 삼성전자주식회사 반도체장치의콘택형성방법
US9266295B2 (en) 2011-12-16 2016-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and device for forming reflector in light emitting device package

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