KR910008789A - 금속층위의 감광제 제거방법 - Google Patents

금속층위의 감광제 제거방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910008789A
KR910008789A KR1019890015373A KR890015373A KR910008789A KR 910008789 A KR910008789 A KR 910008789A KR 1019890015373 A KR1019890015373 A KR 1019890015373A KR 890015373 A KR890015373 A KR 890015373A KR 910008789 A KR910008789 A KR 910008789A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal layer
remove photoresist
photoresist
metal
remove
Prior art date
Application number
KR1019890015373A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920007337B1 (ko
Inventor
구자봉
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019890015373A priority Critical patent/KR920007337B1/ko
Publication of KR910008789A publication Critical patent/KR910008789A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920007337B1 publication Critical patent/KR920007337B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

금속층위의 감광제 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명의 P/R제거공정을 나타낸 도면.

Claims (1)

  1. 메탈 필름에서 원하는 패턴을 P/R을 이용하여 만든 후 불필요하게 된 P/R을 제거시키는 방법에 있어서, 베이크 공정과 자외선 커팅 및 메탈 에치후 P/R을 산소 플라즈마로 제거하기 전에 탈이온화된 물을 이용하여 P/R을 세척하고 스핀 드라이 공정을 거쳐 P/R 표면에 수분을 흡수시키므로 P/R을 제거시킬 수 있도록 함을 특징으로 하는 금속층 위의 감광제 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890015373A 1989-10-25 1989-10-25 금속층위의 감광제 제거방법 KR920007337B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019890015373A KR920007337B1 (ko) 1989-10-25 1989-10-25 금속층위의 감광제 제거방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019890015373A KR920007337B1 (ko) 1989-10-25 1989-10-25 금속층위의 감광제 제거방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910008789A true KR910008789A (ko) 1991-05-31
KR920007337B1 KR920007337B1 (ko) 1992-08-31

Family

ID=19291016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890015373A KR920007337B1 (ko) 1989-10-25 1989-10-25 금속층위의 감광제 제거방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920007337B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100839147B1 (ko) * 2002-04-15 2008-06-19 삼성전자주식회사 감광막 제거 방법 및 이를 위한 감광막 제거 시스템
KR101646961B1 (ko) 2015-10-28 2016-08-09 (주)동일기계 식품 이송기

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100839147B1 (ko) * 2002-04-15 2008-06-19 삼성전자주식회사 감광막 제거 방법 및 이를 위한 감광막 제거 시스템
KR101646961B1 (ko) 2015-10-28 2016-08-09 (주)동일기계 식품 이송기

Also Published As

Publication number Publication date
KR920007337B1 (ko) 1992-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE8600291L (sv) Metod att framstella en poleranordning
TW257875B (en) Method of forming miniature pattern
KR910008789A (ko) 금속층위의 감광제 제거방법
KR940001269A (ko) 반도체 디바이스의 금속배선형성방법
KR910020833A (ko) 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법
JPS5234547A (en) Treating waste water containing polyvinyl alochol
KR940008148A (ko) 포토다이오드의 제조방법
KR940015683A (ko) 금속패턴 형성방법
KR980005493A (ko) 반도체 소자의 콘택 형성방법
KR980005899A (ko) 포토레지스트의 스트리핑방법
KR940015674A (ko) 폴리실리콘 패턴시 발생되는 폴리머 제거방법
KR920001619A (ko) 산화층의 에치 데미지 제거방법
JPS57118641A (en) Lifting-off method
KR980005631A (ko) 콘택홀 형성방법
KR960002479A (ko) 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법
JPS51148256A (en) Method of disposing waste water produced in washing process of surface treatment on molded aluminium
KR960002550A (ko) 반도체 소자의 스페이서 형성방법
KR970049094A (ko) 반도체장치의 포토레지스트 제거방법
KR970018166A (ko) 웨이퍼 식각물질을 이용한 웨이퍼 절단 방법
KR970052225A (ko) 메탈층 패턴 형성 방법
KR960015076A (ko) 실리콘 습식식각방법
JPS5266379A (en) Photo etching
KR910013589A (ko) 가드링 형성방법
KR950021047A (ko) 포토레지스트의 미세패턴 형성방법
KR960002551A (ko) 금속배선 부식 방지 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020716

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee